CYBL10X6X Programmable Radio-on-Chip With Bluetooth Low Energy (PRoC BLE) Datasheet (Chinese).pdf

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CYBL10X6X 产品系列数据手册
低功耗蓝牙可编程片上射频芯片
(PRoC BLE)
概述
PRoC BLE 是一个 32 位、 48 MHz ARM® Cortex®-M0 BLE 解决方案,它包括 CapSense®、 12 位 ADC、 4 个定时 / 计数 / 脉冲宽度
调制器(TCPWM)、36 个 GPIO、两个串行通信模块(SCB)、LCD 和 I2S。PRoC BLE 包括与 Bluetooth® 4.1 兼容的免费协议 BLE
栈,可为 HID、遥控、玩具、信标和无线充电器提供可编程且灵活的完整解决方案。除了这些应用外, PRoC BLE 还提供了系统级
BLE 连接的简单且成本低的方法。
性能
Bluetooth® Smart 连接
■
蓝牙 4.1 单模式器件
集成了 Balun 的 2.4 GHz BLE 射频和基带
■ TX 输出功率:–18 dBm 至 +3 dBm
■ 分辨率为 1 dB 的接收信号强度指示 (RSSI)
■ RX 灵敏度:–89 dBm
■ TX 电流:15.6 mA (功率为 0 dBm)
■ RX 电流:16.4 mA
■
■
■
■
四个专用的 16 位 TCPWM
❐ 另外四个 8 位或两个 16 位 PWM
可编程低电压检测 (LVD)范围为 1.8 V 到 4.5 V
I2S 主设备接口
时钟、复位和电源
■
■
■
供电电压范围:1.9 V 至 5.5 V
3 MHz 至 48 MHz 内部主振荡器 (IMO),准确度为 2%
无负载电容的 24 MHz 外部时钟振荡器 (ECO)
32 kHz WCO
ARM Cortex-M0 CPU 内核
■
32 位处理器 (0.9 DMIPS/MHz)带有单周期 32 位乘法,工作
频率可达 48 MHz
■ 128 KB 闪存
■ 16 KB SRAM
可编程的 GPIO
■
■
■
用闪存模拟的 EEPROM
带有专用内部低速振荡器 (ILO)的看门狗定时器
超低功耗
■
■
■
■
■
编程与调试
■
在监视晶体振荡器 (WCO)工作情况下的 1.3 µA 深度睡眠模
式电流
在 SRAM 数据保持情况下的 150 nA 休眠模式电流
在 GPIO 可唤醒情况下的 60 nA 停止模式电流
■
支持 36 个电容式传感器,用于按键、滑条和触控板
■ 两指手势:滚动、惯性滚动、捏、延展和边缘轻扫
■ 赛普拉斯的电容式 Sigma-Delta (CSD)提供了一流的信噪比
( > 5:1)和防水性能
■ 硬件自动调试算法 (SmartSense™)
外设
■
带内部参考电压、采样与保持 (S/H)和通道定序器的 12 位、
1 Msps SAR ADC
■
超低功耗的 LCD 段驱动,可以在深度睡眠模式下驱动 128 段
支持 I2C (主设备 / 从设备)、SPI(主设备 / 从设备)或 UART
的两个串行通信模块
■
赛普拉斯半导体公司
文档编号:001-93623 版本 *A
•
2 引脚 SWD
支持在线闪存编程
温度与封装
■
■
带有两指手势的 CapSense® 触摸感应
■
36 个 GPIO 均能被配置为开漏高 / 低电平、电阻上拉 / 下拉、高
阻态或者强驱动输出
任何 GPIO 引脚都可以作为拥有灵活引脚布线功能的
CapSense、 LCD 或模拟引脚使用
工作温度范围:–40 °C 到 +85 °C
在 56 引脚 QFN (7 mm × 7 mm)和 68 球形焊盘 WLCSP
(3.52 mm × 3.91 mm)封装中提供
PSoC® Creator™ 设计环境
■
■
用于配置、开发、编程和测试 BLE 应用的简单易用 IDE
将设计导出到 Keil、 IAR 或 Eclipse 的选项
蓝牙低功耗协议栈
■
■
198 Champion Court
蓝牙低功耗协议栈支持通用访问配置文件 (GAP)中央设备、
外设、观察者或广播者的角色
❐ 在工作状态下进行中心器件和外设角色之间的灵活切换
支持互操作性的标准蓝牙低功耗配置和服务
❐ 在特殊的使用情况中,可以自定义该配置和服务
•
San Jose, CA 95134-1709
•
408-943-2600
修订日期 January 28, 2015
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PRoC BLE:CYBL10X6X
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目录
模块与功能.......................................................................... 3
CPU 子系统 ................................................................. 4
BLE 子系统 .................................................................. 4
系统资源的子系统........................................................ 4
外设模块 ...................................................................... 5
引脚分布 .............................................................................. 8
功耗 .................................................................................. 13
低功耗模式 ................................................................ 13
开发支持 ............................................................................ 15
文档 ............................................................................ 15
在线支持 ..................................................................... 15
工具 ........................................................................... 15
套件 ........................................................................... 15
电气规范 ............................................................................ 16
最大绝对额定值 .......................................................... 16
BLE 子系统 ................................................................ 16
器件级规范 ................................................................ 19
模拟外设 ..................................................................... 24
文档编号:001-93623 版本 *A
数字外设 ..................................................................... 26
存储器......................................................................... 29
系统资源 .................................................................... 29
订购信息 ............................................................................ 33
器件型号约定 ............................................................. 33
封装 ................................................................................... 35
缩略语................................................................................ 37
文档规范 ............................................................................ 39
测量单位 ..................................................................... 39
修订记录 ............................................................................ 40
销售、解决方案和法律信息 ............................................... 41
全球销售和设计支持 ................................................... 41
产品 ............................................................................ 41
PSoC® 解决方案......................................................... 41
赛普拉斯开发者社区 ................................................... 41
技术支持 ..................................................................... 41
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模块与功能
CYBL10X6X 框图如图 1 所示。有五个主要的子系统:CPU 子系统、 BLE 子系统、系统资源、外设模块和 I/O 子系统。
图 1. 框图
PRoC BLE 器件系列能够为硬件和固件的编程、测试、调试和跟
踪提供广泛的支持。借助完善的片上调试功能,可以使用标准的
生产器件在最终系统中进行全面的器件调试。它不需要特殊的接
口、调试转接板、模拟器或仿真器。只需要标准的编程连接,即
可全面支持调试。
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PSoC Creator 集成开发环境 (IDE)软件能够为 PRoC BLE 器
件提供全面集成的编程和调试支持。 SWD 接口与工业标准的第
三方工具完全兼容。PRoC BLE 还支持禁用 SWD 接口并拥有强
大的闪存保护性能。
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CPU 子系统
CPU
CYBL10X6X器件是基于节能的ARM Cortex-M0的32位处理器,
它提供低功耗、高性能的特性,并且通过使用 16 位 Thumb 指令
降低代码大小。 Cortex-M0 能够执行单周期 32 位算术和逻辑操
作,包括单周期 32 位乘法,从而提高了它的性能。紧密集成的
嵌套向量中断控制器(NVIC)包含 32 个中断线,因此 Cortex-M0
可以实现低电平延迟和确定的中断响应。
CPU 还包含一个两引脚串行连线调试 (SWD)接口 — JTAG 的
两连线模式。默认情况下,调试电路都处于使能状态,并且只能
在固件中被禁用。如果被禁用,唯一的使能方法是擦除整个器
件,清除闪存保护,然后用使能调试的新固件对器件进行重新编
程。另外,也可以将调试引脚作为 GPIO 使用。该器件拥有四个
断点 (breakpoints)和两个观察点 (watchpoints),用于进行
有效的调试。
闪存
该器件包含一个 128 KB 闪存存储器,该存储器的闪存加速器与
CPU 紧密耦合,以减少闪存的平均访问时间。闪存可在工作频率
为 48 MHz 的情况下提供一个等待状态 (WS)的访问时间,并
在工作频率为 24 MHz 的情况下使用零等待状态的访问时间。闪
存加速器的单周期访问平均占 SRAM 的 85%。如果需要,闪存
存储器的部分空间可以用于仿真 EEPROM。
在对闪存进行擦除和编程期间 (擦除和编程每一行的最多占用
20 ms),内部主振荡器 (IMO)被设置为 48 MHz。该设置也
适用于模拟的 EEPROM。由于以不同的 IMO 频率工作的外设会
受到影响,因此进行系统设计时必须考虑到该设置。如果闪存编
程期间外设继续正常运行,那么始终要将 IMO 设置为 48 MHz,
并通过对该频率进行分频获得外设时钟。
SRAM
即使在休眠模式下,低功耗 16 KB SRAM 存储器也会保留它的内
容。
ROM
8 KB 监控 ROM 包含了一个可执行的函数库,用于编程闪存。通
过监控调用 (SVC)可以访问这些函数,使用这些函数能够在系
统内编程闪存存储器。
BLE 子系统
BLE 子系统包含链路层引擎和物理层。链路层引擎支持主设备和
从设备模式。链路层引擎通过在硬件中实现实时要求严格的功能
(如加密功能)来降低功耗,并提供最少的处理器干预和高性能
特性。关键协议元素 (如主机控制接口 (HCI)和链路控制)通
过固件实现。也提供了直接测试模式 (DTM),以便能够使用标
准蓝牙测试器来测试无线性能。
物理层包含一个调制解调器和一个射频收发器,该收发器以 1
Mbps 的速度通过 2.4 GHz ISM 带传输和接收 BLE 数据包。发
送时,该模块将进行 GFSK 调制,并在通过天线传输 BLE 数据
包之前将该数据包的数字基带信号转换为射频。进行接收时,该
模块会针对天线中的射频信号执行 GFSK 解调,以获得数字比特
流。
蓝牙低功耗协议栈使用 BLE 子系统并提供了以下性能:
■ 链路层 (LL)
❐ 主设备和从设备模式
❐ 128 位 AES 引擎
❐ 加密
❐ 低占空比广告 (蓝牙 4.1 性能)
❐ 低功耗 Ping (蓝牙 4.1 性能)
■ 蓝牙低功耗 4.1 单模协议栈,包括逻辑链接控制适配协议
(L2CAP)、属性协议 (ATT) 和安全管理器 (SM) 协议
■ 主设备和从设备模式
■ 可以使用 API 访问通用属性文件 (GATT)、通用访问配置文
件 (GAP)以及 L2CAP
■ 面向连接的 L2CAP 通道 (蓝牙 4.1 性能)
■ GAP 特性
❐ 作为广播者、观察者、外设和中央角色
❐ 安全模式 1:级别 1、 2 和 3
❐ 安全模式 2:级别 1 和 2
❐ 用户定义的广告数据
❐ 重键支持
■ GATT 特性
❐ GATT 客户机和服务器
❐ 支持 GATT 子程序
❐ 32 位通用唯一标识符 (UUID) (蓝牙 4.1 性能)
■ 安全管理器 (SM)
❐ Pairing(配对)方法:Just Works、Passkey Entry 和 Out of
Band
❐ 认证的中间人 (MITM)保护和数据签名
■ 支持所有 SIG 采用的 BLE 配置文件
系统资源的子系统
电源
电源模块包含多个内部 LDO,这些 LDO 为不同模块提供所需电
压电平。电源系统还包含 POR、 BOD 和 LVD 电路。 POR 电路
一直保持器件的复位状态,直到电源以相应级别稳定和时钟就绪
为止。当电源电压过低,以至于不可执行合适器件操作时,BOD
电路将复位该器件。如果电源电压下降到低于用户可选的电平,
LVD 电路将生成中断。
可以使用外部低电平有效复位引脚 (XRES)进行复位该器件。
XRES 引脚拥有一个内部上拉电阻,因此在大多数应用设计中,
不需要其他上拉电阻。有关电源系统的详细信息,请参考第 13 页
上的 “ 电源 ” 一节中介绍的内容。
时钟控制
PRoC BLE 时钟控制为所有子系统提供时钟,并且通过该时钟系
统可以在各种时钟源之间进行切换而不会产生毛刺。 PRoC BLE
的时钟控制包括 IMO 和内部低速振荡器(ILO)。它使用 24 MHz
外部晶体振荡器(ECO)和 32 kHz WCO。另外,外部时钟还可
以从一个引脚供电。
射频收发器包括集成的 Balun。该 Balun 提供了一个单端射频端
口引脚,这样能够通过 pi 匹配网络驱动一个 50 Ω 的天线终端。
可以将输出功率编程为 –18 dBm 至 +3 dBm,以优化不同应用程
序的电流消耗。
文档编号:001-93623 版本 *A
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电压参考
该器件有 12 个分频器和 16 个分频器输出。其中两个分频器进行
额外的小数分频。通过分频 HFCLK 信号 (如图 2 中所述)可以
生 成 用 于 不 同 外 设 的 系 统 时 钟 (SYSCLK)和 外 设 时 钟
(PERx_CLK)。系统时钟 (SYSCLK)驱动总线、寄存器和处
理器必须高于系统中 HFCLK 的分频时钟。ECO 和 WCO 存在于
BLE 子系统内,其时钟输出布线到系统资源。
拥有 1% 准确度的内部带隙参考电路为 12 位 SAR ADC 提供电压
参考。为了获得更好的信噪比和绝对准确度,可以使用 REF 引脚
旁路内部带隙参考电压或使用 SAR 的外部参考电压。
内部主振荡器 (IMO)
看门狗定时器 (WDT)
IMO是主系统时钟资源,可以将其频率调整为3 MHz至48 MHz,
步长为 1 MHz。 IMO 准确度为 ±2%。
看门狗定时器由 ILO 提供时钟,所以看门狗可以在深度睡眠模式
下工作,并且在超时发生前如果仍未得到服务将生成一个看门狗
复位。看门狗复位在 ‘ 复位原因 ’ 寄存器内被记录。
内部低速振荡器 (ILO)
ILO 是超低功耗的 32 KHz 振荡器,主要用于生成深度睡眠模式
下工作外设的时钟。利用 IMO 校准 ILO 驱动计数器可以提高其准
确度。赛普拉斯提供了一个用于校准目的的软件组件。
图 2. 时钟控制
HFCLK
ECO
Divider
/2 n (n=0..3)
Divider 0
(/16)
12 位 SAR ADC
ADC 是一个拥有内置采样与保持 (S/H)电路的 12 位、 1 Msps
SAR ADC。 ADC 可以使用内部参考电压或外部参考电压运行。
SAR ADC 的上一代是 SARMUX, SARMUX 可将外部引脚和内
部信号 (模拟复用总线和温度传感器输出)布线到 SAR ADC 的
八个内部通道。定序器控制器 (SARSEQ)用于控制 SARMUX
和 SAR ADC,以对所有已使能的通道进行自动扫描 (而无需
CPU 的干预)并进行预处理(如对输出数据求平均值)。赛普拉
斯提供的软件驱动程序 (组件)可用于控制 ADC 外设。
BLE
Subsystem
Prescaler
外设模块
SYSCLK
图 3. SAR ADC 系统框图
PER0_CLK
Control
Configure
Registers
IMO
Divider 9
(/16)
P3.0 – P3.7
EXTCLK
Fractional
Divider 0
(/16.5)
WCO
Fractional
Divider 1
(/16.5)
ILO
AHB, DSI
VPLUS
SARMUX
SARADC
Data
Sequencer
V MINUS
PER15_CLK
SARREF
LFCLK
外部晶体振荡器 (ECO)
ECO 作为 BLE 子系统的活动时钟使用,以便满足蓝牙 4.1 规范
中 ±50 ppm 的时钟准确度要求。该 ECO 包括可调试的负载电容,
以便通过测量实际时钟频率来调试晶体时钟频率。高准确度的
ECO 时钟可以作为系统时钟使用。
监视晶体振荡器 (WCO)
WCO 作为 BLE 子系统的睡眠时钟使用,以便满足蓝牙 4.1 规范
中 ±500 ppm 的时钟准确度要求。睡眠时钟提供了准确的睡眠时
序,并在具体的报告和连接间隔期间允许唤醒。通过使用 WCO
和固件,可以实现准确的实时时钟 (在 32.768 KHz 晶体准确度
的范围内)。
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SARSEQ
Analog Mux
Bus A/B
Vrefs
Ref-bypass
可以使用基于二极管的片上温度传感器来测量 Die 的温度。该温
度传感器的输出可以连接至 ADC 做量化采样,量化结果通过赛
普拉斯提供的固定算法来转换成温度值。
4x 定时器 / 计数器 /PWM (TCPWM)
通过使用 16 位 TCPWM 模块可以生成 PWM 输出、捕获输入信
号边沿的时序或提供定时器功能。 TCPWM 也可以作为 16 位计
数器使用,以支持向上、向下和向上 / 向下计数模式。
所有硬件输入信号上的上升沿、下降沿、双边沿的检测以及通过
信号可用于产生计数器事件。有三种布线输出信号可用于说明下
溢出、上溢出以及计数器 / 比较匹配事件。最多可以使用四个
TCPWM。
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4x PWM
除了 TCPWM 外,还提供这些 PWM。可以将 PWM 外设配置为
8 位或 16 位分辨率。PWM 提供了比较输出,以便可以在硬件中
生成单次或连续时序和控制信号。它还提供了一种在 CPU 干预
最少的情况下准确生成复杂实时事件的简便方法。最多可以使用
四个 8 位 PWM 或两个 16 位 PWM。
串行通信模块 (SCB0/SCB1)
可以将 SCB 配置为 I2C、UART 或 SPI 接口。它支持一个用于接
收和传送缓冲区的 8 字节 FIFO,从而减少 CPU 干预。最多可以
使用两个 SCB (SCB0、 SCB1)。
I2C 模式:I2C 外设与 I2C 标准模式、快速模式和增强型快速模式
器件相兼容,如 NXP I2C 总线规范和用户手册 (UM10204)中
所定义。在开漏模式下,可以使用 GPIO 引脚实现 I2C 总线 I/O。
硬件 I2C 模块实现了一个完整的多主设备和从设备接口(它具有
多主设备的校准功能)。该模块的工作速度可达 1Mbps (增强型
快速模块),另外它还提供各种灵活的缓冲选项,以降低 CPU 的
中断开 销 和 延 迟。 I2C 功 能 通 过 赛 普 拉 斯 提 供 的软件组件
(EzI2C)实现,通过该组件可以在 PRoC BLE 存储器中创建邮
箱地址范围,并且对存储器中的阵列进行读写操作时可以大量降
低 I2C 通信。此外,该模块提供一个深度为 8 字节的 FIFO,用
于接收和传送数据。该模块延长了 CPU 读取数据的时间,从而
减少了时钟延展的发生 (由于 CPU 没有及时读取数据,因此才
导致时钟延展)。
使用 SCB0 时,可以将 I2C 的串行数据 (SDA)和串行时钟
(SCL)分别连接至 P0.4 和 P0.5、P1.4 和 P1.5 或 P3.0 和 P3.1。
使用 SCB1 时,可以将 SDA 和 SCL 分别连接至 P0.0 和 P0.1、
P3.4 和 P3.5 或 P5.0 和 P5.1。
I2C 的各种配置如下:
■ 当SCB1布线到GPIO引脚P5.0和P5.1时,除了它在I2C通信期
间不满足热插拔功能,它与标准模式 (100 kHz)、快速模式
(400 kHz)和增强快速模式(1 MHz)I2C 信号规范完全兼容。
■ 当 SCB1 未被布线到 P5.0 和 P5.1 时,它只与标准模式 (100
kHz)兼容。
■ SCB0 只与标准模式 (100 kHz)相兼容。
UART 模式:这是一个运行速度高达 1 Mbps 的全功能 UART。
它 支 持 汽 车 单 线 接 口 (LIN) 、红 外 接 口 (IrDA)和 智 能 卡
(ISO7816)的协议。此外,它还支持 9 位多处理器模式,此模
式允许寻址连接到通用的 RX 和 TX 线的外设。 UART 硬件流量
控制允许慢速和快速器件通过 UART 进行通信却没有数据丢失。
欲了解有关可以连接至 GPIO 的 UART,请参考第 11 页上的表 4。
SPI 模式:SPI 模式支持全部 Motorola® SPI、Texas Instruments®
安全简单配对(SSP)(基本添加用于同步 SPI 编码的启动脉冲)
和 National Microwire(SPI 的半双工形式)。可通过赛普拉斯提
供的软件组件(Ez-SPI)实现 SPI 功能,从而在对存储器阵列进
行读写操作时减少数据交换。欲了解有关可以连接至 GPIO 的
SPI,请参考第 11 页上的表 4。
Inter-IC 音频总线 (I2S)
Inter-IC 音频总线(I2S)是用于将数字音频器件连接在一起的串
行总线接口标准。此规范来自于 Philips® Semiconductor (I2S
总线规范; 1986 年 2 月,修订时间为 1996 年 6 月 5 日)。
I2S 仅在主设备模式下运行,并且支持拥有独立数据字节流的发
送器 (TX)和接收器 (RX)。这些字节流从最高有效字节开始
被压缩。用于每次采样的字节数 (左 / 右通道的采样)是保持采
样所需的最少字节数。
LCD
LCD 控制器可驱动多达 4 个 common 和 32 个 segment。该控制
器使用完整的数字方法来驱动 LCD 段,从而提供超低功耗。这两
种方法被称为数字相关和 PWM。
数字相关通过调制频率和通用和段信号电压,用于生成一个用于
以照亮段的最高 RMS 电压,或保持 RMS 信号为零。这种方法对
STN 有用,但可能会导致降低跟 TN 显示的对比度。
PWM 属于 PWM 信号驱动板,有效地使用面板的电容来提供经
过调试脉冲宽度的集成,从而生成所需的 LCD 电压。这种方法会
导致更高的功耗,但驱动 TN 显示时可以产生更好的结果。
支持 LCD 在深度睡眠时刷新显示缓冲区 (4 位;每端口一个 32
位寄存器)。
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CapSense
I/O 子系统
通过一个 CapSense Sigma-Delta (CSD)模块,所有 GPIO 都
可支持 CapSense ;通过一个模拟复用器总线,可将此模块连接
到任何 GPIO 引脚。所有 GPIO 引脚都可以使用一个模拟开关来
连接至该总线。因此,在软件控制情况下,系统中的任何引脚或
引脚组都可以提供 CapSense 功能。另外,还给 CapSense 模块
提供了 PSoC Creator 中的软件组件,以便于用户使用。通过将
屏蔽电压驱动到另一个模拟总线可以提供防水性能。通过将屏蔽
电极驱动为与感应电极相同可以避免屏蔽电容衰减感应输入。
包含 GPIO 模块的 I/O 子系统实现以下功能:
■ 八种驱动模式:
❐ 模拟输入模式 (禁用了输入和输出缓冲区)
❐ 只输入
❐ 弱上拉和强下拉
❐ 弱上拉和弱下拉
❐ 强上拉和弱下拉
❐ 强上拉和强下拉
❐ 开漏和强下拉
❐ 开漏和强上拉
■ 端口引脚:36
■ 选择输入阈值 (CMOS 或 LVTTL)。
■ 除了在驱动强度模式之外,
(使能 / 禁用)输入和输出缓冲区的
单独控制。
■ 用于闩锁前一状态的保持模式 (用于保留 I/O 在深度睡眠模式
和休眠模式的状态)。
■ 可以选择 dV/dt 的转换速率,用以提高 EMI。
■ GPIO 引脚 P5.0 和 P5.1 都是过压容限引脚
■ GPIO 单元 (包括 P5.0 和 P5.1)不能热插拔或者由其它系统
单独上电。
带手势的触控板拥有以下特性:
■ 支持单手指和两手指应用
■ 支持高达 35 个 X/Y 传感器输入
■ 包括手势检测库:
❐ 单手指触摸:跟踪、平移、点击、双击
❐ 两手指触摸:平移、点击、缩放
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引脚分布
表 1 显示的是 CYBL10X6X 器件的引脚列表。
表 1. CYBL10X6X 引脚列 (QFN 封装)
引脚
1
名称
VDDD
电源
1.71 V 至 5.5 V 的数字电源
2
XTAL32O/P6.0
时钟
32.768 kHz 晶体
3
XTAL32I/P6.1
4
XRES
时钟
RESET
5
P4.0
GPIO
端口 4 引脚 0,模拟 / 数字 /lcd/csd
6
P4.1
GPIO
端口 4 引脚 1,模拟 / 数字 /lcd/csd
7
P5.0
GPIO
端口 5 引脚 0,模拟 / 数字 /lcd/csd
8
P5.1
GPIO
端口 5 引脚 1,模拟 / 数字 /lcd/csd
9
VSSD
接地
数字接地
10
VDDR
GANT1
电源
GROUND
1.9 V 至 5.5 V 的无线模块电源
11
12
ANT
GANT2
天线
GROUND
天线引脚
13
14
VDDR
电源
1.9 V 至 5.5 V 无线模块电源
15
VDDR
电源
1.9 V 至 5.5 V 无线模块电源
16
XTAL24I
时钟
24 MHz 晶体或外部时钟输入
17
XTAL24O
时钟
24 MHz 晶体
18
VDDR
P0.0
电源
GPIO
1.9 V 至 5.5 V 无线模块电源
19
20
P0.1
GPIO
端口 0 引脚 1,模拟 / 数字 /lcd/csd
21
P0.2
GPIO
端口 0 引脚 2,模拟 / 数字 /lcd/csd
22
P0.3
GPIO
端口 0 引脚 3,模拟 / 数字 /lcd/csd
23
VDDD
1.71 V 至 5.5 V 数字电源
24
P0.4
电源
GPIO
25
P0.5
GPIO
端口 0 引脚 5,模拟 / 数字 /lcd/csd
26
P0.6
GPIO
端口 0 引脚 6,模拟 / 数字 /lcd/csd
27
P0.7
GPIO
端口 0 引脚 7,模拟 / 数字 /lcd/csd
28
P1.0
GPIO
端口 1 引脚 0,模拟 / 数字 /lcd/csd
29
P1.1
GPIO
端口 1 引脚 1,模拟 / 数字 /lcd/csd
30
P1.2
GPIO
端口 1 引脚 2,模拟 / 数字 /lcd/csd
31
P1.3
GPIO
端口 1 引脚 3,模拟 / 数字 /lcd/csd
32
P1.4
GPIO
端口 1 引脚 4,模拟 / 数字 /lcd/csd
33
P1.5
GPIO
端口 1 引脚 5,模拟 / 数字 /lcd/csd
34
P1.6
GPIO
端口 1 引脚 6,模拟 / 数字 /lcd/csd
35
P1.7
GPIO
端口 1 引脚 7,模拟 / 数字 /lcd/csd
36
VDDA
P2.0
电源
GPIO
1.75 V 至 5.5 V 模拟电源
37
38
P2.1
GPIO
端口双引脚 1,模拟 / 数字 /lcd/csd
39
P2.2
GPIO
端口双引脚 2,模拟 / 数字 /lcd/csd
40
P2.3
GPIO
端口双引脚 3,模拟 / 数字 /lcd/csd
文档编号:001-93623 版本 *A
类型
说明
32.768 kHz 晶体或外部时钟输入
复位,低电平有效
天线屏蔽地
天线屏蔽地
端口 0 引脚 0,模拟 / 数字 /lcd/csd
端口 0 引脚 4,模拟 / 数字 /lcd/csd
端口双引脚 0,模拟 / 数字 /lcd/csd
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PRoC BLE:CYBL10X6X
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表 1. CYBL10X6X 引脚列 (QFN 封装) (续)
引脚
41
名称
P2.4
类型
GPIO
端口双引脚 4,模拟 / 数字 /lcd/csd
说明
42
P2.5
GPIO
端口双引脚 5,模拟 / 数字 /lcd/csd
43
P2.6
GPIO
端口双引脚 6,模拟 / 数字 /lcd/csd
44
P2.7
GPIO
端口双引脚 7,模拟 / 数字 /lcd/csd
45
VREF
REF
1.024 V 参考电压
46
VDDA
47
P3.0
电源
GPIO
端口 3 引脚 0,模拟 / 数字 /lcd/csd
48
P3.1
GPIO
端口 3 引脚 1,模拟 / 数字 /lcd/csd
49
P3.2
GPIO
端口 3 引脚 2,模拟 / 数字 /lcd/csd
50
P3.3
GPIO
端口 3 引脚 3,模拟 / 数字 /lcd/csd
51
P3.4
GPIO
端口 3 引脚 4,模拟 / 数字 /lcd/csd
52
P3.5
GPIO
端口 3 引脚 5,模拟 / 数字 /lcd/csd
53
P3.6
GPIO
端口 3 引脚 6,模拟 / 数字 /lcd/csd
54
P3.7
GPIO
端口 3 引脚 7,模拟 / 数字 /lcd/csd
55
VSSA
接地
模拟接地
56
VCCD
57
EPAD
电源
GROUND
1.75 V 至 5.5 V 模拟电源
经调节的 1.8 V 电源;连接至 1 µF 电容
QFN 封装的接地焊盘
表 2 显示的是 CYBL10X6X 器件的应缴列表 (WLCSP 封装)。
表 2. CYBL10X6X 引脚列 (WLCSP 封装)
引脚
A1
名称
VREF
类型
REF
说明
1.024 V 参考电压
A2
VSSA
接地
模拟接地
A3
P3.3
GPIO
端口 3 引脚 3,模拟 / 数字 /lcd/csd
A4
P3.7
GPIO
端口 3 引脚 7,模拟 / 数字 /lcd/csd
A5
VSSD
接地
数字接地
A6
VSSA
接地
模拟地
A7
VCCD
电源
经调节的 1.8 V 电源,连接至 1 µF 电容
A8
VDDD
电源
1.71 V 至 5.5 V 数字电源
B1
P2.3
GPIO
端口双引脚 3,模拟 / 数字 /lcd/csd
B2
VSSA
接地
模拟接地
B3
P2.7
GPIO
端口双引脚 7,模拟 / 数字 /lcd/csd
B4
P3.4
GPIO
端口 3 引脚 4,模拟 / 数字 /lcd/csd
B5
P3.5
GPIO
端口 3 引脚 5,模拟 / 数字 /lcd/csd
B6
P3.6
GPIO
端口 3 引脚 6,模拟 / 数字 /lcd/csd
B7
XTAL32I/P6.1
时钟
32.768 kHz 晶体或外部时钟输入
时钟
32.768 kHz 晶振
B8
XTAL32O/P6.0
C1
VSSA
接地
模拟接地
C2
P2.2
GPIO
端口双引脚 2,模拟 / 数字 /lcd/csd
C3
P2.6
GPIO
端口双引脚 6,模拟 / 数字 /lcd/csd
C4
P3.0
GPIO
端口 3 引脚 0,模拟 / 数字 /lcd/csd
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表 2. CYBL10X6X 引脚列 (WLCSP 封装)(续)
引脚
C5
名称
P3.1
类型
GPIO
端口 3 引脚 1,模拟 / 数字 /lcd/csd
说明
端口 3 引脚 2,模拟 / 数字 /lcd/csd
C6
P3.2
GPIO
C7
XRES
RESET
C8
P4.0
GPIO
端口 4 引脚 0,模拟 / 数字 /lcd/csd
D1
P1.7
GPIO
端口 1 引脚 7,模拟 / 数字 /lcd/csd
D2
VDDA
电源
1.75 V 至 5.5 V 模拟电源
D3
P2.0
GPIO
端口双引脚 0,模拟 / 数字 /lcd/csd
D4
P2.1
GPIO
端口双引脚 1,模拟 / 数字 /lcd/csd
D5
P2.5
GPIO
端口双引脚 5,模拟 / 数字 /lcd/csd
D6
VSSD
接地
数字接地
D7
P4.1
GPIO
端口 4 引脚 1,模拟 / 数字 /lcd/csd
D8
P5.0
GPIO
端口 5 引脚 0,模拟 / 数字 /lcd/csd
E1
P1.2
GPIO
端口 1 引脚 2,模拟 / 数字 /lcd/csd
复位,低电平有效
E2
P1.3
GPIO
端口 1 引脚 3,模拟 / 数字 /lcd/csd
E3
P1.4
GPIO
端口 1 引脚 4,模拟 / 数字 /lcd/csd
E4
P1.5
GPIO
端口 1 引脚 5,模拟 / 数字 /lcd/csd
E5
P1.6
GPIO
端口 1 引脚 6,模拟 / 数字 /lcd/csd
E6
P2.4
GPIO
端口双引脚 4,模拟 / 数字 /lcd/csd
E7
P5.1
GPIO
端口 5 引脚 1,模拟 / 数字 /lcd/csd
E8
VSSD
接地
数字接地
F1
VSSD
接地
数字接地
F2
P0.7
GPIO
端口 0 引脚 7,模拟 / 数字 /lcd/csd
F3
P0.3
GPIO
端口 0 引脚 3,模拟 / 数字 /lcd/csd
F4
P1.0
GPIO
端口 1 引脚 0,模拟 / 数字 /lcd/csd
F5
P1.1
GPIO
端口 1 引脚 1,模拟 / 数字 /lcd/csd
F6
VSSR
接地
无线通信接地
F7
VSSR
接地
无线通信接地
F8
VDDR
电源
1.9 V 至 5.5 V 无线模块电源
G1
P0.6
GPIO
端口 0 引脚 6,模拟 / 数字 /lcd/csd
G2
VDDD
电源
1.71 V 至 5.5 V 数字电源
G3
P0.2
GPIO
端口 0 引脚 2,模拟 / 数字 /lcd/csd
G4
VSSD
接地
数字接地
G5
VSSR
接地
无线通信接地
G6
VSSR
接地
无线通信接地
G7
GANT
接地
天线屏蔽接地
G8
VSSR
接地
无线通信接地
H1
P0.5
GPIO
端口 0 引脚 5,模拟 / 数字 /lcd/csd
H2
P0.1
GPIO
端口 0 引脚 1,模拟 / 数字 /lcd/csd
H3
XTAL24O
时钟
24 MHz 晶体
H4
XTAL24I
时钟
24 MHz 晶体或外部时钟输入
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表 2. CYBL10X6X 引脚列 (WLCSP 封装)(续)
引脚
H5
名称
VSSR
类型
接地
无线通信接地
说明
H6
VSSR
接地
无线通信接地
H7
ANT
天线
天线引脚
J1
P0.4
GPIO
端口 0 引脚 4,模拟 / 数字 /lcd/csd
J2
P0.0
GPIO
端口 0 引脚 0,模拟 / 数字 /lcd/csd
J3
VDDR
电源
1.9 V 至 5.5 V 无线模块电源
J6
VDDR
电源
1.9 V 至 5.5 V 无线模块电源
J7
无连接
–
I/O 子系统包含一个高速 I/O 矩阵 (HSIOM),该矩阵是一组将 GPIO 布线到器件中的资源的高速开关。这些资源包括 CapSense、
TCPWM、I2C、SPI、UART 和 LCD。HSIOM_PORT_SELx 是宽度为 32 位的寄存器,控制 GPIO 的路由。每个寄存器控制一个端口
;端口中每个 GPIO 占用四个专用位。它提供最多 16 个不同的 GPIO 布线选项,如表 3 中所示。
表 3. HSIOM 端口设置
数值
说明
0
固件控制的 GPIO
1
保留
2
保留
3
保留
4
它是一个是 CSD 检测引脚
5
它是一个 CSD 屏蔽引脚
6
将引脚连接至 AMUXA
7
将引脚连接至 AMUXB
8
专用引脚的活动功能 #0
9
专用引脚的活动功能 #1
10
专用引脚的活动功能 #2
11
预留
12
它是一个 LCD 通用引脚
13
它是一个 LCD 段的引脚。
14
专用引脚的深度睡眠功能 #0
15
专用引脚的深度睡眠功能 #1
不同 GPIO 引脚的外设功能选项被显示在表 4 中。
表 4. 端口引脚连接
数字 (HSIOM_PORT_SELx.SELy)(‘x’ 表示端口编号,‘y’ 表示引脚编号)
名称
模拟
0
8
9
10
14
15
GPIO
活动 #2
深度睡眠 #0
SCB1_I2C_SDA[1]
深度睡眠 #1
SCB1_SPI_MOSI[1]
SCB1_I2C_SCL[1]
SCB1_SPI_MISO[1]
P0.0
GPIO
活动 #0
TCPWM0_P[3]
活动 #1
SCB1_UART_RX[1]
P0.1
GPIO
TCPWM0_N[3]
SCB1_UART_TX[1]
P0.3
GPIO
TCPWM1_N[3]
SCB1_UART_CTS[1]
P0.4
GPIO
TCPWM1_P[0]
SCB0_UART_RX[1]
P0.5
GPIO
TCPWM1_N[0]
P0.6
GPIO
TCPWM2_P[0]
文档编号:001-93623 版本 *A
SCB1_SPI_SCLK[1]
EXT_CLK[0]/
ECO_OUT[0]
SCB0_I2C_SDA[1]
SCB0_SPI_MOSI[1]
SCB0_UART_TX[1]
SCB0_I2C_SCL[1]
SCB0_SPI_MISO[1]
SCB0_UART_RTS[1]
SWDIO[0]
SCB0_SPI_SS0[1]
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表 4. 端口引脚连接 (续)
数字 (HSIOM_PORT_SELx.SELy)(‘x’ 表示端口编号,‘y’ 表示引脚编号)
名称
模拟
0
8
9
10
14
15
GPIO
活动 #1
SCB0_UART_CTS[1]
活动 #2
深度睡眠 #0
SWDCLK[0]
深度睡眠 #1
SCB0_SPI_SCLK[1]
P0.7
GPIO
活动 #0
TCPWM2_N[0]
P1.0
GPIO
TCPWM0_P[1]
WCO_OUT[2]
P1.1
GPIO
TCPWM0_N[1]
SCB1_SPI_SS1
P1.2
GPIO
TCPWM1_P[1]
SCB1_SPI_SS2
P1.3
GPIO
TCPWM1_N[1]
SCB1_SPI_SS3
P1.4
GPIO
TCPWM2_P[1]
SCB0_UART_RX[0]
SCB0_I2C_SDA[0]
SCB0_SPI_MOSI[1]
P1.5
GPIO
TCPWM2_N[1]
SCB0_UART_TX[0]
SCB0_I2C_SCL[0]
SCB0_SPI_MISO[1]
P1.6
GPIO
TCPWM3_P[1]
SCB0_UART_RTS[0]
SCB0_SPI_SS0[1]
P1.7
GPIO
TCPWM3_N[1]
SCB0_UART_CTS[0]
SCB0_SPI_SCLK[1]
P2.0
GPIO
SCB0_SPI_SS1
P2.1
GPIO
SCB0_SPI_SS2
P2.2
GPIO
P2.3
GPIO
P2.4
GPIO
P2.5
GPIO
P2.6
GPIO
P2.7
GPIO
P3.0
SARMUX_0 GPIO
TCPWM0_P[2]
SCB0_UART_RX[2]
SCB0_I2C_SDA[2]
P3.1
SARMUX_1 GPIO
TCPWM0_N[2]
SCB0_UART_TX[2]
SCB0_I2C_SCL[2]
P3.2
SARMUX_2 GPIO
TCPWM1_P[2]
SCB0_UART_RTS[2]
P3.3
SARMUX_3 GPIO
TCPWM1_N[2]
SCB0_UART_CTS[2]
P3.4
SARMUX_4 GPIO
TCPWM2_P[2]
SCB1_UART_RX[2]
SCB1_I2C_SDA[2]
P3.5
SARMUX_5 GPIO
TCPWM2_N[2]
SCB1_UART_TX[2]
SCB1_I2C_SCL[2]
P3.6
SARMUX_6 GPIO
TCPWM3_P[2]
SCB1_UART_RTS[2]
P3.7
SARMUX_7 GPIO
TCPWM3_N[2]
SCB1_UART_CTS[2]
WCO_OUT[0]
WAKEUP (唤醒)
SCB0_SPI_SS3
WCO_OUT[1]
EXT_CLK[1]/
ECO_OUT[1]
P4.0
CMOD
GPIO
TCPWM0_P[0]
SCB1_UART_RTS[0]
SCB1_SPI_MOSI[0]
P4.1
CTANK
GPIO
TCPWM0_N[0]
SCB1_UART_CTS[0]
SCB1_SPI_MISO[0]
P5.0
GPIO
TCPWM3_P[0]
SCB1_UART_RX[0]
EXTPA_EN
SCB1_I2C_SDA[0]
SCB1_SPI_SS0[0]
P5.1
GPIO
TCPWM3_N[0]
SCB1_UART_TX[0]
EXT_CLK[2]/
ECO_OUT[2]
SCB1_I2C_SCL[0]
SCB1_SPI_SCLK[0]
P6.0_XTAL32O
GPIO
P6.1_XTAL32I
GPIO
文档编号:001-93623 版本 *A
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电源
通过直接连接至数字供电 (VDDD)、模拟供电 (VDDA)和无线
模块供电 (VDDR)引脚,可以使用电压范围为 1.9 V ~ 5.5 V 的
电池为 PRoC BLE 器件供电。器件中的内部 LDO 将供电电压调
节为不同模块需要的电平。器件给数字电路提供了一个电压调节
器,并给无线电路提供了单独的电压调节器,以便隔离噪声。模
拟电路直接使用模拟电压 (VDDA)输入来运行。该器件使用深
度睡眠模式和休眠模式的独立电压调节器以使功耗最小。电压下
降到小于 1.9 V 时无线模块会停止工作,但直至 1.71 V 以上前,
系统的其余部分 (除射频部分)仍会继续工作。
电源
VDDx (x = A、D 或 R)必须通过旁路电容连接到地。通常选用
一个 1 µF 和一个 0.1 µF 的电容。请注意,这只是简单的经验法
则。对于重要的应用,PCB 布局、走线间的电感和旁路电容寄生
需要通过仿真以获得最佳的旁路。
旁路电容
VDDD
每个引脚上安装 0.1 µF 的陶瓷电容,加
上一个 1 µF 到 10 µF 的大容量电容
VDDA
每个引脚上安装 0.1 µF 的陶瓷电容,加
上一个 1 µF 到 10 µF 的大容量电容
VDDR
每个引脚上安装 0.1 µF 的陶瓷电容,加
上一个 1 µF 到 10 µF 的大容量电容
VCCD
在 VCCD 引脚上安装 1 µF 的陶瓷电容。
VREF (可选)
可以旁路内部带隙,其电容范围为 1 µF
到 10 µF。
低功耗模式
PRoC BLE 支持五种功耗模式。更多有关系统状态的详细内容,
请参考表 5。在停止模式下,PRoC BLE 器件消耗的电流最低;
该器件从停止模式中唤醒以及系统复位通过 XRES 或 WAKEUP
引脚实现。在休眠模式下,它可以保留 SRAM 数据,在深度睡眠
模式下,它可以保持整个系统的状态。表 5 显示了不同的功耗模
式以及可用的外设。
表 5. 功耗模式的系统状态
电流消耗
代码执行
可用数字外设
可用模拟外设
可用时钟源
活动模式
功耗模式
每 MHZ 所消耗的电流
为 850 µA + 260 µA[1]
有
全部
全部
全部
唤醒源
_
唤醒时间
_
睡眠模式
频率为 3 MHz 时,电流
消耗为 1.1 mA
1.3 μA
无
全部
全部
全部
任何中断源
0
无
WDT、 LCD、
I2C/SPI、
链路层
POR、 BOD
WCO、
ILO
25 μs
休眠模式
150 nA
无
无
POR、 BOD
无
GPIO、
WDT、
I2C/SPI
链路层
GPIO
停止模式
60 nA
无
无
无
无
唤醒引脚、
XRES
2 ms
深度睡眠模式
2 ms
注释:
1. 针对 CPU 子系统。
文档编号:001-93623 版本 *A
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56 QFN 封装的典型系统应用连接框图显示在图 4 中。
图 4. PRoC BLE 应用框图
文档编号:001-93623 版本 *A
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开发支持
CYBL10X6X 系列具有一系列丰富的文档、开发工具和在线资
源,能够在开发过程中为您提供帮助。更多有关信息,请访问
www.cypress.com/procble。
技术参考手册 (TRM):技术参考手册以寄存器级别详细说明了
所有外设的功能。本文档被分为两部分:架构技术参考手册和寄
存器技术参考手册。
在线资源
文档
除了印刷文档之外,您还可以随时通过赛普拉斯论坛与世界各地
的用户和专家进行交流。
一套文档,为 CYBL10X6X 系列提供支持,以确保您可以快速找
到问题的答案。本节列出了部分关键文档。
工具
组件数据手册:PSoC Creator 组件提供了硬件摘要,表示可以使
用 API 进行配置和控制外设操作。本组件数据手册包括组件功
能、使用和操作的详细说明、 API 说明以及电气规范。这是开发
期间常使用的主要文档。可将这些组件配置为器件上的外设(如
定时器、 I2C 或 UART)或高级系统功能 (如 BLE 组件)。
应用笔记:应用笔记可帮助您了解如何使用各种器件功能。另外,
还向您提供了有关如何解决各种系统设计问题的指导。
文档编号:001-93623 版本 *A
CYBL10X6X 系列具备业界标准的内核、编程和调试接口,是开
发工具体系的一个组成部分。
有关易于使用的创新型 PSoC Creator IDE、所支持的第三方编译
器、编 程 器 和 调 试 器 的 最 新 信 息,请 访 问 我 们 的 网 站:
www.cypress.com/go/psoccreator 。
套件
赛普拉斯提供了一系列套件可加快产品的上市时间。请访问
www.cypress.com/procble。
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电气规范
长期使用最大绝对值可能会影响器件的可靠性。
本节提供了有关电气特性的详细内容。下表列出了 CYBL10X6X
器件的最大绝对额定值。使用高于最大绝对值可能会给器件造成
永久性损害。
最大存放温度是 150 °C,符合 JEDEC 标准 JESD22-A103 — 高
温度存放使用寿命。如果采用的值低于最大绝对值但高于正常
值,则器件不能正常工作。
最大绝对额定值
表 6. 最大绝对额定值
规范 ID#
参数
说明
最小值
典型值
最大值
单位
详情 / 条件
SID1
VDDD_ABS
相对于 VSS 的模拟、数字或无线供
电电压 (VSSD = VSSA)
–0.5
–
6
V
最大绝对值
SID2
VCCD_ABS
相对于 VSSD 的直接数字内核电压
输入
–0.5
–
1.95
V
最大绝对值
SID3
VGPIO_ABS
GPIO 电压
–0.5
_
VDD +0.5
V
最大绝对值
SID4
IGPIO_ABS
每个 GPIO 上的最大电流
–25
–
25
mA
最大绝对值
SID5
IGPIO_injection
GPIO 注入电流, VIH > VDDD 时,
该值最大; VIL < VSS 时,该值最小
–0.5
–
0.5
mA
最大绝对值,
每个引脚的注入电流
BID57
ESD_HBM
静电放电 — 人体模型
2200[2]
–
–
V
BID58
ESD_CDM
静电放电 — 充电器件模型
500
–
–
V
BID61
LU
用于锁存的引脚电流
–200
–
200
mA
BLE 子系统
表 7. BLE 子系统
规范 ID#
参数
射频接收器规范
SID340
RXS、 IDLE
说明
最小值 典型值
最大值
单位
发送器闲置时的 RX 灵敏度
–
–89
–
dBm
详情 / 条件
SID340A
RXS、 IDLE
发送器闲置时的 RX 灵敏度
(不包含 Balun 损耗)
–
–91
–
dBm
由设计仿真决定
SID341
RXS、 DIRTY
发送器繁忙时的 RX 灵敏度
–
-87
–70
dBm
RF-PHY 规范
(RCV-LE/CA/01/C)
SID342
RXS、
HIGHGAIN
在高增益模式下,发送器闲置时的
RX 灵敏度
–
–91
–
dBm
SID343
PRXMAX
最大输入功耗
–10
–1
_
dBm
RF-PHY 规范
(RCV-LE/CA/06/C)
SID344
CI1
同通道的干扰,
所需的信号强度为 –67 dBm,
FRX 频率的干扰
_
9
21
dB
RF-PHY 规范
(RCV-LE/CA/03/C)
SID345
CI2
相邻通道的干扰
所需的信号强度为 –67 dBm,
FRX ±1 MHz 频率的干扰
_
3
15
dB
RF-PHY 规范
(RCV-LE/CA/03/C)
SID346
CI3
相邻通道的干扰
所需的信号强度为 –67 dBm,
FRX ±2 MHz 频率的干扰
_
–29
_
dB
RF-PHY 规范
(RCV-LE/CA/03/C)
注释:
2. 该值不适用于 RF 引脚 (ANT、 XTALI 和 XTALO)。针对 500 V 人体放电模型 (HBM),测试了 RF 引脚 (ANT、 XTALI 和 XTALO)。
文档编号:001-93623 版本 *A
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表 7. BLE 子系统 (续)
规范 ID#
参数
说明
最小值 典型值
最大值
单位
详情 / 条件
SID347
CI4
相邻通道的干扰
所需的信号强度为 –67 dBm,
≥ FRX ±3 MHz 频率的干扰
–
–39
_
dB
RF-PHY 规范
(RCV-LE/CA/03/C)
SID348
CI5
相邻通道的干扰
所需的信号强度为 –67 dBm,镜像
频率 (FIMAGE)的干扰
–
–20
_
dB
RF-PHY 规范
(RCV-LE/CA/03/C)
SID349
CI3
相邻通道的干扰
所需的信号强度为 –67 dBm,镜像
频率 (FIMAGE ± 1 MHz)的干扰
–
–30
–
dB
RF-PHY 规范
(RCV-LE/CA/03/C)
SID350
OBB1
频带外封锁,
所需的信号强度为 –67 dBm,频率
范围为 30 到 2000 MHz 的干扰
–30
–27
–
dBm
RF-PHY 规范
(RCV-LE/CA/04/C)
SID351
OBB2
频带外封锁,
所需的信号强度为 –67 dBm,干扰
的频率范围为 2003 到 2399 MHz
–35
–27
_
dBm
RF-PHY 规范
(RCV-LE/CA/04/C)
SID352
OBB3
频带外封锁,
所需的信号强度为 –67 dBm,干扰
的频率范围为 2484 到 2997
–35
–27
_
dBm
RF-PHY 规范
(RCV-LE/CA/04/C)
SID353
OBB4
频带外封锁,
所需的信号强度为 –67 dBm,干扰
的频率范围为 3000 到 12750
–30
–27
_
dBm
RF-PHY 规范
(RCV-LE/CA/04/C)
SID354
IMD
互调性能
所需的信号强度为 –64 dBm,
1 Mbps BLE,第三、第四和第五个
偏移通道
–50
_
_
dBm
RF-PHY 规范
(RCV-LE/CA/05/C)
SID355
RXSE1
接收器杂散发射的频率范围为
30 MHz 到 1.0 GHz
_
_
–57
dBm
100 kHz 测量带宽
ETSI EN300 328
V1.8.1
SID356
RXSE2
接收器杂散发射的频率范围为
1.0 GHz 到 12.75 GHz
–
–
–47
dBm
1 MHz 测量带宽
ETSI EN300 328
V1.8.1
射频发送器规范
SID357
TXP、 ACC
射频功率准确度
_
–
±4
dB
SID358
TXP、 RANGE
射频功率控制范围
–
20
–
dB
SID359
TXP、 0 dBm
输出功率, 0-dB 增益设置 (PA7)
–4
0
3
dBm
SID360
TXP、 MAX
输出功率,最大功率设置 (PA10)
–1
3
6
dBm
SID361
TXP, MIN
输出功率,最小功率设置 (PA1)
–
–18
_
dBm
SID362
F2AVG
10101010 格式的平均频率偏差
185
_
–
kHz
RF-PHY 规范
(TRM-LE/CA/05/C)
SID363
F1AVG
11110000 格式的平均频率偏差
225
250
275
kHz
RF-PHY 规范
(TRM-LE/CA/05/C)
SID364
EO
眼开程度 = ∆F2AVG/∆F1AVG
0.8
–
_
SID365
FTX, ACC
频率准确度
–150
_
150
文档编号:001-93623 版本 *A
RF-PHY 规范
(TRM-LE/CA/05/C)
kHz
RF-PHY 规范
(TRM-LE/CA/06/C)
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表 7. BLE 子系统 (续)
规范 ID#
参数
说明
最小值 典型值
最大值
单位
详情 / 条件
SID366
FTX、 MAXDR
最大频率漂移
–50
–
50
kHz
RF-PHY 规范
(TRM-LE/CA/06/C)
SID367
FTX、 INITDR
初始频率漂移
–20
–
20
kHz
RF-PHY 规范
(TRM-LE/CA/06/C)
SID368
FTX、 DR
最大漂移率
–20
–
20
kHz/
50 µs
RF-PHY 规范
(TRM-LE/CA/06/C)
SID369
IBSE1
带内发散发射 (偏移为 2 MHz)
–
_
–20
dBm
RF-PHY 规范
(TRM-LE/CA/03/C)
SID370
IBSE2
带内发散发射 (偏移 ≥ 3 MHz)
_
_
–30
dBm
SID371
TXSE1
发送器发散发射 (平均), < 1.0
GHz
_
_
–55.5
dBm
RF-PHY 规范
(TRM-LE/CA/03/C)
FCC-15.247
SID372
TXSE2
发送器发散发射 (平均), > 1.0
GHz
_
_
–41.5
dBm
FCC-15.247
SID373
IRX
正常模式下的接收电流
_
18.7
_
mA
SID373A
IRX_RF
正常模式下的接收电流
_
16.4
_
mA
SID374
IRX、 HIGHGAIN 高增益模式下的接收电流
–
21.5
–
mA
SID375
ITX、 3 dBm
功率被设置为 3 dBm (PA10)时
的 TX 电流
–
20
–
mA
SID376
ITX、 0 dBm
功率被设置为 0 dBm (PA7)时的
TX 电流
–
16.5
–
mA
SID376A
ITX_RF、 0 dBm 功率被设置为 0 dBm (PA7)时的
TX 电流
–
15.6
–
mA
在 VDDR 时测量
SID376B
ITX_RF、 0 dBm 功率为 0 dBm 且不包含 Balun 消耗
时的 TX 电流
–
14.2
–
mA
由设计仿真决定
SID377
ITX、 -3 dBm
功率被设置为 –3 dBm (PA4)时
的 TX 电流
–
15.5
–
mA
SID378
ITX、 -6 dBm
功率被设置为 –6 dBm (PA3)时
的 TX 电流
–
14.5
–
mA
SID379
ITX、 -12 dBm
功率被设置为 –12 dBm (PA2)时
的 TX 电流
–
13.2
–
mA
SID380
ITX、 -18 dBm
功率被设置为 –18 dBm (PA1)时
的 TX 电流
–
12.5
–
mA
SID380A
Iavg_1sec、
0dBm
BLE 连接间隔为 1 秒钟的平均电流
–
18.9
–
µA
TXP 为 0 dBm ;主设
备和从设备时钟的精
度为 ±20 ppm。
针对空 PDU 的交换
SID380B
Iavg_4sec、
0dBm
BLE 连接间隔为 1 秒钟的平均电流
–
6.25
–
µA
TXP:0 dBm ;主设
备和从设备时钟的精
度为 ±20 ppm。
针对空 PDU 的交换
SID381
FREQ
射频工作频率
2400
–
2482
MHz
SID382
CHBW
通道间距
–
2
–
MHz
SID383
DR
无线传输数据速率
–
1000
–
kbps
射频电流规范
在 VDDR 时测量
通用射频规范
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表 7. BLE 子系统 (续)
规范 ID#
参数
说明
最小值 典型值
最大值
单位
SID384
IDLE2TX
从 BLE 无线闲置到 BLE 无线 TX
转换的时间
–
120
140
µs
SID385
IDLE2RX
从 BLE 无线闲置到 BLE 无线 RX
转换的时间
–
75
120
µs
SID386
RSSI、 ACC
RSSI 准确度
–
±5
–
dB
SID387
RSSI、 RES
RSSI 分辨率
–
1
–
dB
SID388
RSSI、 PER
RSSI 采样周期
–
6
–
µs
详情 / 条件
RSSI 规范
器件级规范
除非另有说明,否则规范的适用温度是 –40 °C  TA  85 °C 且 TJ  100 °C。另外规范的适用电压是 1.71 V 至 5.5 V。
表 8. 直流规范
规范 ID#
参数
说明
最小值
典型值
最大值
单位
详情 / 条件
SID6
VDD
电源输入电压 (VDDA = VDDD = VDD)
1.8
–
5.5
V
使能内部电压调节器
SID7
VDD
电源输入电压未经调节
(VDDA = VDDD = VDD)
1.71
1.8
1.89
V
内部非稳压电源
SID8
VDDR
无线模块供电电压
(无线模块打开)
1.9
–
5.5
V
SID8A
VDDR
无线模块供电电压
(无线模块关闭)
1.71
–
5.5
V
SID9
VCCD
数字电压调节器的输出电压
(供给内核逻辑)
–
1.8
–
V
SID10
CVCCD
数字电压调节器的输出旁路电容
1
1.3
1.6
µF
绝缘介质为 X5R 的陶瓷
或性能更好的电容
活动模式, VDD = 1.71 V 至 5.5 V
SID13
IDD3
从闪存执行, CPU 的运行速度为
3 MHz
–
1.7
–
mA
T = 25 °C,
VDD = 3.3 V
SID14
IDD4
从闪存执行, CPU 的运行速度为
3 MHz
–
–
–
mA
T = –40 °C 至 85 °C
SID15
IDD5
从闪存执行, CPU 的运行速率为
6 MHz
–
2.5
–
mA
T = 25 °C,
VDD = 3.3 V
SID16
IDD6
从闪存内执行, CPU 的运行速率为
6 MHz
–
–
–
mA
T = –40 °C 至 85 °C
SID17
IDD7
从闪存执行; CPU 的运行速度为
12 MHz
_
4
–
mA
T = 25 °C,
VDD = 3.3 V
SID18
IDD8
从闪存执行; CPU 的运行速率为
12 MHz
_
–
–
mA
T = –40 °C 至 85 °C
SID19
IDD9
从闪存执行; CPU 的运行速度为
24 MHz
_
7.1
–
mA
T = 25 °C,
VDD = 3.3 V
SID20
IDD10
从闪存执行; CPU 的运行速度为
24 MHz
_
–
–
mA
T = –40 °C 至 85 °C
SID21
IDD11
从闪存执行, CPU 的运行速度为
48 MHz
_
13.4
–
mA
T = 25 °C,
VDD = 3.3 V
SID22
IDD12
从闪存执行, CPU 的运行速度为
48 MHz
_
–
–
mA
T = –40 °C 至 85 °C
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表 8. 直流规范 (续)
规范 ID#
参数
最小值
典型值
最大值
单位
详情 / 条件
睡眠模式, VDD = 1.8 至 5.5 V
SID23
IDD13
IMO 打开
_
–
–
mA
T = 25 °C,
VDD = 3.3 V,
SYSCLK = 3 MHz
睡眠模式, VDD 和 VDDR = 1.9 至 5.5 V
SID24
IDD14
ECO 打开
_
–
–
mA
T = 25 °C,
VDD = 3.3 V,
SYSCLK = 3 MHz
深度睡眠模式, VDD = 1.8 至 3.6 V
SID25
IDD15
WDT 和 WCO 都打开
_
1.3
–
µA
T = 25 °C,
VDD = 3.3 V
SID26
WDT 和 WCO 都打开
–
–
–
µA
T = –40 °C 至 85 °C
深度睡眠模式, VDD = 3.6 至 5.5 V
SID27
IDD17
WDT 和 WCO 都打开
–
–
–
µA
T = 25 °C,
VDD = 5 V
SID28
–
–
–
µA
T = –40 °C 至 85 °C
深度睡眠模式, VDD = 1.71 至 1.89 V (旁路电压调节器)
SID29
IDD19
WDT 和 WCO 都打开
–
–
–
µA
T = 25 °C
SID30
–
–
–
µA
T = –40 °C 至 85 °C
休眠模式, VDD = 1.8 至 3.6 V
SID37
IDD27
GPIO 和复位有效
–
150
–
nA
T = 25 °C,
VDD = 3.3 V
SID38
GPIO 和复位有效
–
–
_
nA
T = –40 °C 至 85 °C
休眠模式, VDD = 3.6 至 5.5 V
SID39
IDD29
GPIO 和复位有效
–
–
_
nA
T = 25 °C,
VDD = 5 V
SID40
–
–
_
nA
T = –40 °C 至 85 °C
休眠模式, VDD = 1.71 至 1.89 V (旁路电压调节器)
SID41
IDD31
GPIO 和复位有效
–
–
_
nA
T = 25 °C
SID42
–
–
_
nA
T = –40 °C 至 85 °C
停止模式, VDD = 1.8 至 3.6 V
SID43
IDD33
停止模式电流 (VDD)
_
20
_
nA
T = 25 °C,
VDD = 3.3 V
SID44
IDD34
停止模式电流 (VDDR)
_
40
–
nA
T = 25 °C,
VDDR = 3.3 V
SID45
IDD35
停止模式电流 (VDD)
–
–
_
nA
T = –40 °C 至 85 °C
SID46
IDD36
停止模式电流 (VDDR)
–
–
_
nA
T = –40 °C 至 85 °C,
VDDR = 1.9 V 至 3.6 V
停止模式, VDD = 3.6 至 5.5 V
SID47
IDD37
停止模式电流 (VDD)
–
–
_
nA
T = 25 °C,
VDD = 5 V
SID48
–
–
_
nA
T = 25 °C,
VDDR = 5 V
IDD16
IDD18
IDD20
IDD28
IDD30
IDD32
说明
WDT 和 WCO 都打开
WDT 和 WCO 都打开
GPIO 和复位有效
GPIO 和复位有效
IDD38
停止模式电流 (VDDR)
SID49
IDD39
停止模式电流 (VDD)
–
–
_
nA
T = –40 °C 至 85 °C
SID50
IDD40
停止模式电流 (VDDR)
–
–
_
nA
T = –40 °C 至 85 °C
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表 8. 直流规范 (续)
规范 ID#
参数
最小值
典型值
最大值
单位
停止模式, VDD = 1.71 至 1.89 V (电压调节器)
SID51
IDD41
停止模式电流 (VDD)
–
–
_
nA
T = 25 °C
SID52
–
–
_
nA
T = –40 °C 至 85 °C
最小值
DC
典型值
–
最大值
48
IDD42
说明
停止模式电流 (VDD)
详情 / 条件
表 9. 交流规范
规范 ID 编号
参数
SID53
FCPU
说明
单位
MHz
详情 / 条件
1.71 V  VDD  5.5 V
CPU 频率
SID54
TSLEEP
从睡眠模式唤醒的时间
–
0
–
µs
由特性决定
SID55
TDEEPSLEEP
从深睡眠模式唤醒
–
–
25
µs
24 MHz IMO。由特性
决定
SID56
THIBERNATE
从休眠模式唤醒
–
–
2
ms
由特性决定
SID57
TSTOP
从停止模式唤醒
–
–
2
ms
由特性决定
最小值
典型值
最大值
单位
0.7 × VDD
–
–
V
CMOS 输入
–
–
0.3 × VDD
V
CMOS 输入
0.7 × VDD
–
–
V
GPIO
表 10. GPIO 直流规范
规范 ID#
参数
说明
详情 / 条件
SID58
VIH
SID59
VIL
输入电压的下限阈值
SID60
VIH
LVTTL 输入, VDD < 2.7 V
SID61
VIL
LVTTL 输入, VDD < 2.7 V
–
–
0.3× VDD
V
SID62
VIH
LVTTL 输入, VDD >= 2.7 V
2.0
–
–
V
SID63
VIL
LVTTL 输入, VDD >= 2.7 V
–
–
0.8
V
SID64
VOH
输出高电平电压
VDD –0.6
–
–
V
VDD 为 3.3 V 时,
IOH = 4 mA
SID65
VOH
输出高电平电压
VDD –0.5
–
–
V
VDD 为 1.8 V 时,
IOH = 1 mA
SID66
VOL
输出低电平电压
–
–
0.6
V
VDD 为 3.3 V 时,
IOL = 8 mA
SID67
VOL
输出低电平电压
–
–
0.6
V
VDD 为 1.8 V 时,
IOL = 4 mA
SID68
VOL
输出低电平电压
–
–
0.4
V
IOL = 3 mA ;
VDD = 3.3 V
SID69
RPULLUP
上拉电阻
3.5
5.6
8.5
kΩ
SID70
RPULLDOWN
下拉电阻
3.5
5.6
8.5
kΩ
SID71
IIL
输入漏电流 (绝对值)
–
–
2
nA
SID72
IIL_CTBM
CTBm 输入引脚上的输入漏电流
–
–
4
nA
SID73
CIN
输入电容
–
–
7
SID74
VHYSTTL
输入迟滞 LVTTL
25
40
SID75
VHYSCMOS
输入迟滞 CMOS
0.05 ×
VDD
–
输入电压的上限阈值
pF
mV
–
25 °C,
VDD = 3.3 V
VDD > 2.7 V
mV
注释:
3. VIH 不能超过 VDD + 0.2 V。
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表 10. GPIO 直流规范 (续)
规范 ID#
参数
说明
最小值
典型值
最大值
单位
SID76
IDIODE
通过保护二极管到达 VDD/VSS 的导通
电流
–
–
100
µA
SID77
ITOT_GPIO
芯片的最大总数拉电流或灌电流
–
–
200
mA
最大值
12
单位
ns
详情 / 条件
表 11. GPIO 交流规范
规范 ID#
SID78
参数
TRISEF
说明
最小值 典型值
2
–
详情 / 条件
快速强驱动模式下的上升时间
SID79
TFALLF
快速强驱动模式下的下降时间
2
–
12
ns
3.3 V VDDD,
CLOAD = 25 pF
SID80
TRISES
慢速强驱动模式下的上升时间
10
–
60
ns
3.3 V VDDD,
CLOAD = 25 pF
SID81
TFALLS
慢速强驱动模式下的下降时间
10
–
60
ns
3.3 V VDDD,
CLOAD = 25 pF
SID82
FGPIOUT1
GPIO 输出工作频率;
3.3 V  VDD  5.5 V。
快速强驱动模式
–
–
33
MHz
90/10%, Cload =
25 pF,占空比 =
60/40
SID83
FGPIOUT2
GPIO 输出工作频率;
1.7 V  VDD  3.3 V。
快速强驱动模式
–
–
16.7
MHz
90/10%, Cload =
25 pF,占空比 =
60/40
SID84
FGPIOUT3
GPIO 输出工作频率;
3.3 V  VDD  5.5 V。
慢速强驱动模式
_
–
7
MHz
90/10%, Cload =
25 pF,占空比 =
60/40
SID85
FGPIOUT4
GPIO 输出工作频率;
1.7 V  VDD  3.3 V。
慢速强驱动模式
_
–
3.5
MHz
90/10%, 25 pF 负
载,占空比 = 60/40
SID86
FGPIOIN
GPIO 输入工作频率;
1.71 V  VDD  5.5 V
–
–
48
MHz
90/10% VIO
最大值
10
单位
µA
0.4
V
3.3 V VDDD,
CLOAD = 25 pF
表 12. OVT GPIO 直流规范 (仅 P5_0 和 P5_1)
规范 ID 编号
SID71A
IIL
SID66A
参数
VOL
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说明
最小值 典型值
输入漏电流 (绝对值)。
VIH > VDD
输出低电平电压
–
–
详情 / 条件
25°C, VDD = 0 V,
VIH = 3.0 V
IOL = 20 mA,
VDD > 2.9 V
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表 13. OVT GPIO 交流规范 (仅 P5_0 和 P5_1)
规范 ID 编号
参数
SID78A
TRISE_OVFS
SID79A
说明
快速强驱动模式下的输出上升时间
最小值
1.5
典型值
–
最大值
12
单位
ns
详情 / 条件
TFALL_OVFS
快速强驱动模式下的输出下降时间
1.5
–
12
ns
电容负载 = 25 pF,
10%–90%,
VDD=3.3 V
SID80A
TRISESS
慢速强驱动模式的输出上升时间
10
–
60
ns
电容负载 = 25 pF,
10%-90%,
VDD = 3.3 V
SID81A
TFALLSS
慢速强驱动模式的输出下降时间
10
–
60
ns
电容负载 = 25 pF,
10%-90%,
VDD = 3.3 V
SID82A
FGPIOUT1
GPIO FOUT ; 3.3 V ≤ VDD ≤ 5.5 V
快速强驱动模式
–
–
24
MHz
90/10%、25 pF 负
载、 60/40 占空比
SID83A
FGPIOUT2
GPIO FOUT ; 1.71 V ≤ VDD ≤ 3.3 V
快速强驱动模式
–
–
16
MHz
90/10%、25 pF 负
载、 60/40 占空比
电容负载 = 25 pF,
10%–90%,VDD=
3.3 V
XRES
表 14. XRES 直流规范
规范 ID 编号
SID87
VIH
SID88
参数
输入电压的上限阈值
说明
最小值
0.7 ×
VDDD
典型值
–
最大值
–
单位
V
CMOS 输入
VIL
输入电压的下限阈值
–
–
0.3 × VDDD
V
CMOS 输入
SID89
RPULLUP
上拉电阻
3.5
5.6
8.5
kΩ
SID90
CIN
输入电容
–
3
–
pF
SID91
VHYSXRES
输入电压迟滞
–
100
–
mV
SID92
IDIODE
通过保护二极管到达
VDD/VSS 的导通电流
–
–
100
µA
详情 / 条件
表 15. XRES 交流规范
规范 ID 编号
参数
SID93
TRESETWIDTH
文档编号:001-93623 版本 *A
说明
复位脉冲宽度
最小值
1
典型值
–
最大值
–
单位
µs
详情 / 条件
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模拟外设
温度传感器
表 16. 温度传感器规范
规范 ID#
SID155
参数
TSENSACC
说明
最小值
–5
温度传感器精度
典型值
±1
最大值
5
单位
°C
详情 / 条件
–40 至 +85 °C
SAR ADC
表 17. SAR ADC 直流规范
规范 ID#
参数
说明
最小值
典型值
最大值
单位
位
详情 / 条件
SID156
A_RES
分辨率
–
–
12
SID157
A_CHNIS_S
通道数量 — 单端
–
–
8
8 全速
SID158
A-CHNKS_D
通道数量 — 差分
–
–
4
差分输入使用相邻
I/O
SID159
A-MONO
单调性
–
–
–
SID160
A_GAINERR
增益误差
–
–
±0.1
%
SID161
A_OFFSET
输入偏移电压
–
–
2
mV
SID162
A_ISAR
电流消耗
SID163
A_VINS
SID164
有
使用外部参考
使用 1 V VREF 测量
–
–
1
mA
输入电压范围 — 单端
VSS
–
VDDA
V
A_VIND
输入电压范围 — 差分
VSS
–
VDDA
V
SID165
A_INRES
输入电阻
–
–
2.2
kΩ
SID166
A_INCAP
输入电容
–
–
10
pF
SID312
VREFSAR
校准的 SAR 的内部参考
–1
–
1
%
最大值
单位
详情 / 条件
dB
在 1 V 电压下进行测量
Vbg 的百分比
(1.024 V)。
表 18. SAR ADC 交流规范
规范 ID#
参数
说明
最小值 典型值
SID167
A_PSRR
电源抑制比
70
–
–
SID168
A_CMRR
共模抑制比
66
–
–
dB
SID169
A_SAMP
采样率
–
–
1
Msps
SID313
Fsarintref
SAR 运行速度
(没有旁路外部参考电压)
_
–
100
Ksps
12 位分辨率
FIN = 10 kHz
SID170
A_snr
信噪比 (SNR)
65
–
–
dB
SID171
A_bw
无别名的输入带宽
_
_
A_SAMP/2
kHz
SID172
A_INL
积分非线性 (INL)。
VDD = 1.71 至 5.5 V, 1 Msps
–1.7
_
2
LSB
VREF = 1 V 至 VDD
SID173
A_INL
积分非线性。 VDDD = 1.71 至 3.6 V,
1 Msps
–1.5
_
1.7
LSB
VREF = 1.71 V 至 VDD
SID174
A_INL
积分非线性。 VDD = 1.71 至 5.5 V,
500 Ksps
–1.5
_
1.7
LSB
VREF = 1 V 至 VDD
SID175
A_DNL
微分非线性 (DNL)。
VDD = 1.71 至 5.5 V, 1 Msps
–1
_
2.2
LSB
VREF = 1 V 至 VDD
SID176
A_DNL
微分非线性。 VDD = 1.71 至 3.6 V,
1 Msps
–1
_
2
LSB
VREF = 1.71 至 VDD
文档编号:001-93623 版本 *A
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表 18. SAR ADC 交流规范 (续)
规范 ID#
参数
说明
最小值 典型值
最大值
单位
SID177
A_DNL
微分非线性。 VDD = 1.71 至 5.5 V,
500 Ksps
–1
_
2.2
LSB
SID178
A_THD
总谐波失真
–
–
–65
dB
最小值
典型值
最大值
单位
1.71
–
5.5
V
详情 / 条件
VREF = 1 V 至 VDD
FIN = 10 kHz
CSD
表 19. CSD 模块规范
规范 ID#
SID179
参数
说明
VCSD
工作电压范围
SID180
IDAC1
8 位分辨率的差分非线性 (DNL)
–1
–
1
LSB
SID181
IDAC1
8 位分辨率的积分非线性 (INL)
–3
–
3
LSB
SID182
IDAC2
7 位分辨率的差分非线性 (DNL)
–1
–
1
LSB
SID183
IDAC2
7 位分辨率的积分非线性 (INL)
–3
–
3
LSB
SID184
SNR
手指计数与噪声比率
5
–
–
比率
SID185
IDAC1_CRT1 在 “ 高 ” (HIGH)范围时的 IDAC1
(8 位)输出电流
–
612
–
µA
SID186
IDAC1_CRT2 在 “ 低 ” (LOW)范围时的 IDAC1
(8 位)输出电流
–
306
–
µA
SID187
IDAC2_CRT1 在 “ 高 ” (HIGH)范围时的 IDAC2
(7 位)输出电流
–
305
–
µA
SID188
IDAC2_CRT2 在 “ 低 ” (LOW)范围时的 IDAC2
(7 位)输出电流
–
153
–
µA
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详情 / 条件
电容值范围 = 9 pF 至
35 pF ;灵敏度 = 0.1
pF。在扫描期间,无
线通信不运行
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数字外设
4x TCPWM
表 20. 定时器直流规范
规范 ID
SID189
ITIM1
参数
说明
频率为 3 MHz 时的模块电流消耗
最小值
–
典型值
–
最大值
42
单位
µA
详情 / 条件
16 位定时器
SID190
ITIM2
频率为 12 MHz 时的模块电流消耗
–
–
130
µA
16 位定时器
SID191
ITIM3
频率为 48 MHz 时的模块电流消耗
–
–
535
µA
16 位定时器
表 21. 定时器交流规范
规范 ID
SID192
参数
TTIMFREQ
工作频率
说明
最小值
FCLK
典型值
_
最大值
48
单位
MHz
SID193
TCAPWINT
捕获脉冲宽度 (内部)
2 × TCLK
_
–
ns
SID194
SID195
TCAPWEXT
捕获脉冲宽度 (外部)
2 × TCLK
_
–
ns
TTIMRES
定时器分辨率
TCLK
_
–
ns
SID196
TTENWIDINT
使能脉冲宽度 (内部)
2 × TCLK
_
–
ns
SID197
TTENWIDEXT
使能脉冲宽度 (外部)
2 × TCLK
_
–
ns
SID198
TTIMRESWINT
复位脉冲宽度 (内部)
2 × TCLK
_
–
ns
SID199
TTIMRESEXT
复位脉冲宽度 (外部)
2 × TCLK
_
–
ns
详情 / 条件
计数器
表 22. 计数器直流规范
规范 ID
SID200
参数
ICTR1
说明
频率为 3 MHz 时的模块电流消耗
最小值
–
典型值 最大值
–
42
单位
µA
详情 / 条件
16 位计数器
SID201
ICTR2
频率为 12 MHz 时的模块电流消耗
–
–
130
µA
16 位计数器
SID202
ICTR3
频率为 48 MHz 时的模块电流消耗
–
–
535
µA
16 位计数器
最小值
FCLK
典型值
_
最大值
48
单位
MHz
表 23. 计数器交流规范
规范 ID
SID203
参数
TCTRFREQ
工作频率
SID204
TCTRPWINT
捕获脉冲宽度 (内部)
2 × TCLK
_
–
ns
SID205
TCTRPWEXT
捕获脉冲宽度 (外部)
2 × TCLK
_
–
ns
SID206
TCTRES
计数器分辨率
TCLK
_
–
ns
SID207
TCENWIDINT
使能脉冲宽度 (内部)
2 × TCLK
_
–
ns
SID208
TCENWIDEXT
使能脉冲宽度 (外部)
2 × TCLK
_
–
ns
SID209
TCTRRESWINT 复位脉冲宽度 (内部)
TCTRRESWEXT 复位脉冲宽度 (外部)
2 × TCLK
_
–
ns
2 × TCLK
_
–
ns
SID210
说明
详情 / 条件
脉冲宽度调制 (PWM)
表 24. PWM 直流规范
规范 ID
SID211
参数
IPWM1
频率为 3 MHz 时的模块电流消耗
最小值
–
SID212
IPWM2
频率为 12 MHz 时的模块电流消耗
–
–
SID213
IPWM3
频率为 48 MHz 时的模块电流消耗
–
–
文档编号:001-93623 版本 *A
说明
典型值 最大值
–
42
单位
µA
16 位 PWM
详情 / 条件
130
µA
16 位 PWM
535
µA
16 位 PWM
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表 25. PWM 交流规范
规范 ID
SID214
参数
TPWMFREQ
工作频率
说明
最小值
FCLK
典型值 最大值
_
48
单位
MHz
SID215
TPWMPWINT
脉冲宽度 (内部)
2 × TCLK
_
–
ns
SID216
TPWMEXT
脉冲宽度 (外部)
2 × TCLK
_
–
ns
SID217
TPWMKILLINT
停止 (Kill)信号脉冲宽度 (内部)
2 × TCLK
_
–
ns
SID218
TPWMKILLEXT
停止 (kill)信号脉冲宽度 (外部)
2 × TCLK
_
–
ns
SID219
TPWMEINT
使能脉冲宽度 (内部)
2 × TCLK
_
–
ns
SID220
TPWMENEXT
使能脉冲宽度 (外部)
2 × TCLK
_
–
ns
SID221
TPWMRESWINT
复位脉冲宽度 (内部)
2 × TCLK
_
–
ns
SID222
TPWMRESWEXT 复位脉冲宽度 (外部)
2 × TCLK
_
–
ns
详情 / 条件
I2C
表 26. I2C 直流规范
规范 ID
SID223
II2C1
频率为 100 KHz 时的模块电流消耗
最小值
–
SID224
II2C2
频率为 400 KHz 时的模块电流消耗
–
–
155
µA
SID225
II2C3
比特率为 1 Mbps 时的模块电流消耗
–
–
390
µA
II2C4
I2C
–
–
1.4
µA
SID226
参数
说明
在深度睡眠模式下被使能
典型值 最大值
–
50
单位
µA
详情 / 条件
表 27. 固定功能 I2C 交流规范
规范 ID
SID227
参数
FI2C1
说明
比特率
最小值
–
典型值 最大值
–
1
单位
Mbps
最小值 典型值 最大值
–
17.5
–
单位
µA
详情 / 条件
LCD 直接驱动器
表 28. LCD 直接驱动直流规范
规范 ID
SID228
参数
ILCDLOW
说明
低功耗模式下的工作电流
SID229
CLCDCAP
每个段 / 共模驱动器上的 LCD 电容
–
500
5000
pF
SID230
LCDOFFSET
长期段偏移
–
20
–
mV
SID231
ILCDOP1
LCD 系统工作电流。
Vbias = 5 V
–
2
–
mA
SID232
ILCDOP2
LCD 系统工作电流。
Vbias = 3.3 V
–
2
–
mA
详情 / 条件
16 × 4 小型段式显示
屏,频率为 50 Hz
32 × 4 段;
频率为 50 Hz,
温度为 25 °C
32 × 4 段;
频率为 50 Hz,
温度为 25 °C
表 29. LCD 直接驱动交流规范
规范 ID
SID233
参数
FLCD
说明
LCD 帧率
最小值
10
典型值 最大值
50
150
单位
Hz
最小值
–
典型值
–
最大值
55
单位
µA
–
–
312
µA
详情 / 条件
表 30. 固定 UART 直流规范
规范 ID
SID234
参数
IUART1
比特率为 100 Kbps 时的模块电流消耗
SID235
IUART2
速度为 1000 kbps 时的模块电流消耗
文档编号:001-93623 版本 *A
说明
详情 / 条件
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表 31. 固定 UART 交流规范
规范 ID
SID236
参数
FUART
说明
最小值 典型值 最大值
–
–
1
单位
Mbps
详情 / 条件
说明
最小值 典型值 最大值
–
–
360
单位
µA
详情 / 条件
比特率
SPI 规范
表 32. 固定 SPI 直流规范
规范 ID
SID237
ISPI1
参数
比特率为 1 Mbp 时的模块电流消耗
SID238
ISPI2
比特率为 4 Mbps 时的模块电流消耗
–
–
560
µA
SID239
ISPI3
比特率为 8 Mbps 时的模块电流消耗
–
–
600
µA
表 33. 固定的 SPI 交流规范
规范 ID
SID240
参数
说明
FSPI
最小值 典型值 最大值
–
–
8
SPI 工作频率 (主设备; 6x 过采样)
单位
MHz
详情 / 条件
表 34. SPI 主设备模式的固定交流规范
规范 ID
SID241
参数
TDMO
SID242
TDSI
SID243
THMO
说明
最小值
–
典型值
–
最大值
18
单位
ns
详情 / 条件
SCLK 捕获沿前的 MISO 有效时间。
全时钟、 MISO 推迟采样
20
–
–
ns
全时钟、MISO 推迟
采样
先前的 MOSI 数据保持时间
0
–
–
ns
表示从设备捕获边
沿
SCLK 驱动沿后的 MOSI 有效时间
表 35. SPI 从设备模式的固定交流规范
规范 ID
SID244
TDMI
参数
SCLK 捕获沿前的 MOSI 有效时间
最小值
40
典型值
–
最大值
–
单位
ns
SID245
TDSO
SCLK 驱动沿后的 MISO 有效时间
–
–
42 + 3 × TSCB
ns
SID246
TDSO_ext
在外部时钟模式下 SCLK 驱动沿后的
MISO 有效时间。 VDD < 3.0 V
–
–
50
ns
SID247
THSO
先前的 MISO 数据保持时间
SID248
TSSELSCK
文档编号:001-93623 版本 *A
说明
从 SSEL 有效到第一个 SCK 沿有效的
时间
0
–
–
ns
100
–
–
ns
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存储器
表 36. 闪存直流规范
规范 ID
SID249
VPE
参数
擦除和编程电压
说明
最小值
1.71
典型值
–
最大值
5.5
SID309
TWS48
SID310
SID311
单位
V
详情 / 条件
频率为 32–48 MHz 的等待
状态数
2
–
–
CPU 从闪存执行
TWS32
频率为 16–32 MHz 的等待
状态数
1
–
–
CPU 从闪存执行
TWS16
频率为 0–16 MHz 的等待状
态数
0
–
–
CPU 从闪存执行
表 37. 闪存交流规范
规范 ID
SID250
参数
TROWWRITE[4]
SID251
TROWERASE[4]
说明
最小值
–
行 (模块)编写的时间 (擦除和
编程)
–
行擦除的时间
[4]
典型值
–
最大值
20
单位
ms
–
13
ms
SID252
TROWPROGRAM
擦除后的行编程时间
–
–
7
ms
SID253
TBULKERASE[4]
批量擦除时间 (128 KB)
–
–
35
ms
SID254
TDEVPROG[4]
器件总编程时间
SID255
FEND
闪存耐久性
SID256
FRET
SID257
FRET2
–
–
25
秒
100 K
–
–
周期
闪存数据保留时间。 TA  55 °C、
100 K 个编程 / 擦除周期
20
–
–
年
闪存数据保存。TA  85 °C、10 K
个编程 / 擦除周期
10
–
–
年
说明
详情 / 条件
行 (块)= 128 字节
系统资源
上电复位 (POR)
表 38. POR 直流规范
规范 ID
SID258
参数
VRISEIPOR
上升触发电压
最小值
0.80
典型值
–
最大值
1.45
单位
V
SID259
VFALLIPOR
下降触发电压
0.75
_
1.40
V
SID260
VIPORHYST
迟滞
15
–
2000
mV
最小值
–
典型值
–
最大值
1
单位
µs
详情 / 条件
表 39. POR 交流规范
规范 ID
SID264
参数
TPPOR_TR
说明
活动模式和睡眠模式下的精密上
电复位 (PPOR)响应时间
详情 / 条件
注释:
4. 它可能需要最多 20 毫秒来写入闪存。在这段时间内请勿复位器件,否则会中断闪存操作并且不能保证该操作的完成。复位源包括 XRES 引脚、软件复位、 CPU 锁
存状态和特权冲突、不合适的电源电平以及看门狗。需要确保这些复位源不被无意激活。
文档编号:001-93623 版本 *A
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表 40. 欠压检测
规范 ID#
参数
说明
最小值
典型值
最大值
单位
SID261
VFALLPPOR
活动和睡眠模式下的 BOD 触发电压
1.64
–
–
V
SID262
VFALLDPSLP
睡眠模式下的 BOD 触发电压
1.4
–
–
V
详情 / 条件
表 41. 休眠复位
规范 ID 编号
SID263
参数
VHBRTRIP
说明
休眠模式下的 BOD 触发电压
最小值
典型值
最大值
单位
1.1
–
–
V
详情 / 条件
电压监控器 (LVD)
表 42. 电压监控器直流规范
规范 ID
SID265
VLVI1
参数
说明
LVI_A/D_SEL[3:0] = 0000b
最小值
1.71
典型值
1.75
最大值
1.79
单位
V
SID266
VLVI2
LVI_A/D_SEL[3:0] = 0001b
1.76
1.80
1.85
V
SID267
VLVI3
LVI_A/D_SEL[3:0] = 0010b
1.85
1.90
1.95
V
SID268
VLVI4
LVI_A/D_SEL[3:0] = 0011b
1.95
2.00
2.05
V
SID269
VLVI5
LVI_A/D_SEL[3:0] = 0100b
2.05
2.10
2.15
V
SID270
VLVI6
LVI_A/D_SEL[3:0] = 0101b
2.15
2.20
2:26
V
SID271
VLVI7
LVI_A/D_SEL[3:0] = 0110b
2.24
2.30
2.36
V
SID272
VLVI8
LVI_A/D_SEL[3:0] = 0111b
2.34
2.40
2.46
V
SID273
VLVI9
LVI_A/D_SEL[3:0] = 1000b
2.44
2.50
2.56
V
SID274
VLVI10
LVI_A/D_SEL[3:0] = 1001b
2.54
2.60
2.67
V
SID275
VLVI11
LVI_A/D_SEL[3:0] = 1010b
2.63
2.70
2.77
V
SID276
VLVI12
LVI_A/D_SEL[3:0] = 1011b
2.73
2.80
2.87
V
SID277
VLVI13
LVI_A/D_SEL[3:0] = 1100b
2.83
2.90
2.97
V
SID278
VLVI14
LVI_A/D_SEL[3:0] = 1101b
2.93
3.00
3.08
V
SID279
VLVI15
LVI_A/D_SEL[3:0] = 1110b
3.12
3.20
3.28
V
SID280
VLVI16
LVI_A/D_SEL[3:0] = 1111b
4.39
4.50
4.61
V
SID281
LVI_IDD
模块电流
–
–
100
µA
最小值
–
典型值
–
最大值
1
单位
µs
详情 / 条件
表 43. 电压监控器交流规范
规范 ID
SID282
参数
TMONTRIP
文档编号:001-93623 版本 *A
说明
电压监控器触发时间
详情 / 条件
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SWD 接口
表 44. SWD 接口规范
规范 ID
SID283
参数
F_SWDCLK1
说明
3.3 V  VDD  5.5 V
最小值
–
典型值
–
最大值
14
单位
MHz
SID284
F_SWDCLK2
1.71 V  VDD  3.3 V
–
–
7
MHz
SID285
T_SWDI_SETUP T = 1/f SWDCLK
0.25 × T
_
–
ns
SID286
T_SWDI_HOLD
0.25 × T
_
–
ns
SID287
T_SWDO_VALID T = 1/f SWDCLK
–
_
0.5 × T
ns
SID288
T_SWDO_HOLD T = 1/f SWDCLK
1
–
–
ns
T = 1/f SWDCLK
详情 / 条件
SWDCLK ≤ CPU 时钟
频率的 1/3
SWDCLK ≤ CPU 时钟
频率的 1/3
内部主振荡器
表 45. IMO 直流规范
规范 ID
SID289
IIMO1
参数
频率为 48 MHz 时的 IMO 工作电流
说明
最小值
–
典型值
–
最大值
1000
单位
µA
SID290
IIMO2
频率为 24 MHz 时的 IMO 工作电流
–
–
325
µA
SID291
IIMO3
频率为 12 MHz 时的 IMO 工作电流
–
–
225
µA
SID292
IIMO4
频率为 6 MHz 时的 IMO 工作电流
–
–
180
µA
SID293
IIMO5
频率为 3 MHz 时的 IMO 工作电流
–
–
150
µA
详情 / 条件
表 46. IMO 交流规范
规范 ID
SID296
参数
FIMOTOL3
频率在 3 到 48 MHz 范围内变化
说明
SID297
FIMOTOL3
IMO 启动时间
最小值
–
典型值
–
最大值
±2
单位
%
_
12
_
µs
最小值
–
典型值
0.3
详情 / 条件
调用 API 进行校准
内部低速振荡器
表 47. ILO 直流规范
规范 ID
SID298
参数
IILO2
说明
频率为 32 kHz 时的 ILO 工作电流
最大值
1.05
单位
µA
详情 / 条件
表 48. ILO 交流规范
规范 ID
SID299
参数
TSTARTILO1
ILO 启动时间
说明
SID300
FILOTRIM1
调整后的频率为 32 kHz
最小值 典型值
–
–
最大值
2
单位
ms
32
50
kHz
最小值
0
典型值
–
最大值
48
单位
MHz
45
–
55
%
15
详情 / 条件
表 49. 外部时钟规范
规范 ID
SID301
参数
ExtClkFreq
外部时钟输入频率
SID302
ExtClkDuty
占空比;在 VDD/2 电压下测量
文档编号:001-93623 版本 *A
说明
详情 / 条件
仅适用于 CMOS 输入电
平。 TTL 输入不受支持
仅适用于 CMOS 输入电
平。 TTL 输入不受支持
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表 50. ECO 规范
规范 ID#
参数
说明
最小值
典型值
最大值
单位
SID389
FECO
晶体频率
–
24
–
MHz
SID390
FTOL
频率容限
–50
_
50
ppm
SID391
ESR
等效串联电阻
–
–
60
Ω
SID392
PD
驱动电平
_
–
100
µW
SID393
TSTART1
启动时间 (快速充电器打开)
–
–
850
µs
SID394
TSTART2
启动时间 (快速充电器关闭)
–
–
3
ms
SID395
CL
负载电容
_
8
–
pF
SID396
C0
并联电容
_
1.1
–
pF
SID397
IECO
工作电流
–
1400
–
µA
最小值
典型值
最大值
单位
详情 / 条件
包括 LDO+BG 电流
表 51. WCO 规范
规范 ID#
参数
说明
SID398
FWCO
晶体频率
–
32.768
–
kHz
SID399
FTOL
频率容限
–
50
–
ppm
SID400
ESR
等效串联电阻
–
50
–
kΩ
SID401
PD
驱动电平
_
–
1
µW
SID402
TSTART
启动时间
–
–
500
ms
SID403
CL
晶体负载电容
6
–
12.5
pF
SID404
C0
晶体并联电容
–
1.35
–
pF
SID405
IWCO1
工作电流 (高功耗模式)
–
–
8
µA
SID406
IWCO2
工作电流 (低功耗模式)
–
–
1
µA
文档编号:001-93623 版本 *A
详情 / 条件
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订购信息
下表显示的是 CYBL10X6X 器件的编号和各种特性。
器件型号
CPU
闪存
速度
大小
(MHz) (KB)
CapSense
SCB
TCPWM
12 位
SAR
ADC
I2S
PWM
LCD
封装
CYBL10161-56LQXI
48
128
无
1
2
1 Msps
无
无
无
56-QFN
CYBL10162-56LQXI
48
128
无
2
4
1 Msps
无
4
无
56-QFN
CYBL10163-56LQXI
48
128
无
2
4
1 Msps
有
不支持
无
56-QFN
CYBL10461-56LQXI
48
128
有
2
4
1 Msps
无
无
无
56-QFN
CYBL10462-56LQXI
48
128
有
2
4
1 Msps
有
不支持
无
56-QFN
CYBL10463-56LQXI
48
128
有
2
4
1 Msps
无
不支持
有
56-QFN
CYBL10561-56LQXI
48
128
有
(支持姿态)
2
4
1 Msps
无
无
无
56-QFN
CYBL10562-56LQXI
48
128
有
(支持姿态)
2
4
1 Msps
有
1
无
56-QFN
CYBL10563-56LQXI
48
128
有
2
4
1 Msps
有
1
支持
56-QFN
CYBL10563-68FNXI
48
128
有
2
4
1 Msps
有
1
支持
68-WLCSP
器件编号约定
器件编号的格式为 CYBL10ABC-DEFGHI,其中各域的定义如下所示。
Example
CYBL: PRoC-BLE Family
10: CYBL10XXX
1: Embedded only
4: CapSense
5: Touch
6: 128 KB
3: Part Identifier
56/68: Number of Pins
LQ: QFN
FN: WLCSP
X: With Pb
: Pb-free
I: Industrial
文档编号:001-93623 版本 *A
CYBL 10 A B C - DE FG
H
I
Cypress Prefix
Sub-family
Product Type
Flash Capacity
Feature Set
Package Pins
Package Code
Pb
Temperature Range
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下表列出了各域值:
字段
CYBL
10
A
说明
含义
赛普拉斯 PRoC BLE 产品系列
值
CYBL
子系列
10
CYBL10X6X
产品类型
1
仅嵌入式
CapSense
4
5
B
闪存容量
C
功能集
DE
封装引脚
6
有触摸
128 KB
56
70
FG
H
封装代码
Pb
LQ
QFN
FN
WLCSP
LT
盘带封装
X
无铅
X 不存在 (含铅)
I
文档编号:001-93623 版本 *A
温度范围
C
商业温度范围:0 °C 至 70 °C
I
工业温度范围:–40 °C 至 85 °C
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封装
表 52. 封装特性
参数
说明
条件
最小值
–40
典型值
25
最大值
85
单位
°C
–40
–
100
°C
–
16.9
–
°C/watt
TA
工作环境温度
TJ
工作结温
TJA
封装 JA (56 引脚 QFN)
TJC
封装 JC (56 引脚 QFN)
–
9.7
–
°C/watt
TJA
封装 JA (68 球形焊盘 WLCSP)
–
16.6
–
°C/watt
TJC
封装 JC (68 球形焊盘 WLCSP)
–
0.19
–
°C/watt
表 53. 回流焊峰值温度
封装
56 引脚 QFN
最高峰值温度
260 °C
峰值温度下的最长时间
260 °C
30 秒
68 球形焊盘
WLCSP
30 秒
表 54. 封装潮敏等级 (MSL), IPC/JEDEC J-STD-2
封装
MSL
56 引脚 QFN
MSL 3
68 球形焊盘 WLCSP
MSL 1
表 55. 封装的详细信息
规范 ID
封装
001-58740 版本 *A
56 引脚 QFN
说明
7 mm × 7 mm × 0.6 mm
001-92343 版本 **
68 球形焊盘 WLCSP
3.52 mm × 3.91 mm × 0.55 mm
文档编号:001-93623 版本 *A
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图 5. 56 引脚 QFN 7 mm × 7 mm × 0.6 mm
001-58740 版本 *A
QFN 封装上的中心焊盘必须接地 (VSS),以便器件能够正常运行。
图 6. 68 球形焊盘 WLCSP 封装外形
SIDE VIEW
TOP VIEW
1
2
3
4
5
6
7
8
A
BOTTOM VIEW
8
7
6
5
4
3
2
1
A
B
B
C
C
D
D
E
E
F
F
G
G
H
H
J
J
NOTES:
1. REFERENCE JEDEC PUBLICATION 95, DESIGN GUIDE 4.18
2. ALL DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS
文档编号:001-93623 版本 *A
001-92343 版本 **
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缩略语
表 56. 本文档中使用的缩略语 (续)
表 56. 本文档中使用的缩略语
缩略语
说明
缩略语
说明
FIR
有限脉冲响应,另请参见 IIR
FPB
闪存修补和断点
FS
全速
GPIO
通用输入 / 输出,适用于 PSoC 引脚
HCI
主机控制器接口
算术逻辑单元
HVI
高电压中断,另请参见 LVI、 LVD
AMUXBUS
模拟复用器总线
IC
集成电路
API
应用编程接口
IDAC
电流 DAC,另请参见 DAC、 VDAC
APSR
集成开发环境
abus
模拟局部总线
ADC
模数转换器
AG
模拟全局总线
AHB
AMBA (先进微控制器总线结构)高性能总线,
即为一种 ARM 数据传输总线
ALU
应用程序状态寄存器
IDE
ARM®
高级 RISC 机器,即为一种 CPU 架构
I2C
ATM
或 IIC
内部集成电路,即为一种通信协议
自动 Thump 模式
I2S
Inter-IC 串行数字音频
BW
带宽
IIR
无限脉冲响应,另请参见 FIR
CAN
控制器区域网络,即为一种通信协议
ILO
内部低速振荡器,另请参见 IMO
共模抑制比
IMO
内部主振荡器,另请参见 ILO
CPU
中央处理单元
INL
积分非线性,另请参见 DNL
CRC
循环冗余校验,即为一种错误校验协议
I/O
DAC
数模转换器,另请参见 IDAC、 VDAC
输入 / 输出,另请参见 GPIO、 DIO、 SIO、
USBIO
DFB
数字滤波器模块
IPOR
初始上电复位
DIO
数字输入 / 输出, GPIO 仅具有数字功能,无模
拟功能。请参见 GPIO。
IPSR
中断程序状态寄存器
IRQ
中断请求
Dhrystone 每秒百万条指令
ITM
仪器化跟踪宏单元
DMA
直接存储器访问,另请参见 TD
LCD
液晶显示器
DNL
微分非线性,另请参见 INL
LIN
本地互联网络,即一种通信协议
DNU
请勿使用
LR
链接寄存器
端口写入数据寄存器
LUT
查询表
DSI
数字系统互连
LVD
低电压检测,另请参见 LVI
DWT
数据观察点 (watchpoint)和跟踪 (trace)
LVI
低电压中断,另请参见 HVI
ECC
纠错码
LVTTL
低压晶体管 — 晶体管逻辑
外部晶体振荡器
MAC
乘法累加器
EEPROM
电可擦除可编程只读存储器
MCU
微控制器单元
EMI
电磁干扰
MISO
主入从出
EMIF
外部存储器接口
NC
无连接
转换结束
NMI
不可屏蔽的中断
EOF
帧结束
NRZ
非归零
EPSR
执行程序状态寄存器
NVIC
嵌套矢量中断控制器
ESD
静电放电
NVL
非易失性锁存器,另请参考 WOL
嵌入式跟踪宏单元
opamp
运算放大器
场效应晶体管
PAL
可编程阵列逻辑,另请参见 PLD
PC
程序计数器
CMRR
DMIPS
DR
ECO
EOC
ETM
FET
文档编号:001-93623 版本 *A
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表 56. 本文档中使用的缩略语 (续)
缩略语
表 56. 本文档中使用的缩略语 (续)
说明
缩略语
说明
印刷电路板
SWV
单线查看器
可编程增益放大器
TD
传输描述符,另请参见 DMA
PHUB
外设集线器
THD
总谐波失真
PHY
PCB
PGA
物理层
TIA
互阻放大器
PICU
端口中断控制单元
TN
扭曲向列
PLA
可编程逻辑阵列
TRM
技术参考手册
PLD
可编程逻辑器件,另请参见 PAL
TTL
晶体管 — 晶体管逻辑
PLL
锁相环
TX
发送
PMDD
封装材料声明数据手册
UART
通用异步发射器接收器,一种通信协议
POR
加电复位
USB
通用串行总线
PRES
精密上电复位
USBIO
PRS
伪随机序列
USB 输入 / 输出,用于连接至 USB 端口的
PSoC 引脚
PS
端口读取数据寄存器
VDAC
电压数模转换器,另请参见 DAC、 IDAC
PSoC®
可编程片上系统 (Programmable
System-on-Chip™)
WDT
看门狗定时器
WOL
一次性写锁存器,另请参见 NVL
电源抑制比
WRES
看门狗定时器复位
脉冲宽度调制器
XRES
外部复位 I/O 引脚
RAM
随机存取存储器
XTAL
晶体
RISC
精简指令集计算
RMS
均方根
RTC
实时时钟
RTL
寄存器转换语言
RTR
远程传输请求
RX
接收
SAR
逐次逼近寄存器
SC/CT
开关电容 / 连续时间
SCL
I2C 串行时钟
SDA
I2C 串行数据
S/H
采样和保持
SINAD
信噪比和失真比
SIO
特别输入 / 输出,具有高级功能的通用 I/O。
请参见 GPIO。
SOC
开始转换
SOF
帧起始
SPI
串行外设接口,即为一种通信协议
SR
转换速率
SRAM
静态随机存取存储器
SRES
软件复位
STN
超级扭曲向列
SWD
串行线调试,即为一种测试协议
PSRR
PWM
文档编号:001-93623 版本 *A
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文档规范
测量单位
表 57. 测量单位 (续)
表 57. 测量单位
符号
符号
测量单位
测量单位
µH
微亨
微秒
摄氏度
µs
dB
分贝
µV
微伏
dBm
分贝毫瓦
µW
微瓦
fF
飞法
mA
毫安
毫秒
°C
赫兹
ms
KB
1024 个字节
mV
毫伏
kbps
每秒千位数
nA
纳安
Khr
千小时
ns
纳秒
纳伏
Hz
千赫兹
nV
kW
千欧
Ω
欧姆
ksps
每秒千次采样
pF
皮法
LSB
最低有效位
ppm
百万分率
皮秒
kHz
兆位 / 秒
ps
MHz
兆赫
s
秒
MΩ
兆欧姆
sps
每秒样本数
Msps
每秒兆次采样
sqrtHz
赫兹平方根
微安
V
伏特
微法
W
瓦特
Mbps
µA
µF
文档编号:001-93623 版本 *A
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修订记录
说明标题:CYBL10X6X 低功耗蓝牙可编程片上射频芯片 (PRoC BLE)产品系列数据手册
文档编号:001-90478
ECN
版本
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变更说明
**
4471873
YLIU
08/20/2014 本文档版本号为 Rev**,译自英文版 001-90478 Rev*C。
*A
4641526
RWEI
01/28/2015 本文档版本号为 Rev*A,译自英文版 001-90478 Rev*G。
文档编号:001-93623 版本 *A
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产品
汽车用产品
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cypress.com/go/clocks
时钟与缓冲器
接口
照明与电源控制
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cypress.com/go/powerpsoc
存储器
PSoC
触摸感应产品
USB 控制器
无线 / 射频
cypress.com/go/memory
cypress.com/go/psoc
cypress.com/go/touch
psoc.cypress.com/solutions
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文档编号:001-93623 版本 *A
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修订日期 January 28, 2015
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