PSoC® 4: PSoC 4100M 系列 数据手册 ® 初版 可编程片上系统 （PSoC ） 概述 PSoC® 4 是一个可扩展和可重配置的平台架构，是一个包含 ARM® Cortex™-M0 CPU 的可编程嵌入式系统控制器。它把可编程、可 重新配置的模拟和数字模块与灵活的自动布线资源相结合。基于该平台架构的 PSoC 4100M 产品系列是下面的组合：具有数字可编程 逻辑、可编程模拟、可编程互连、高性能的模数转换、处于比较器模式的运算放大器以及标准通信等的微控制器和时序外设。为了满 足新应用和设计要求，PSoC 4100M 产品完全可与 PSoC 4 平台系列产品兼容。可编程模拟和数字子系统支持在运行环境下调整的灵 活设计。 特性 32 位 MCU 子系统 段码 LCD 驱动 ■ 带有单周期乘法的 24 MHz ARM Cortex-M0 CPU ■ 高达 128 kB 的支持读取加速器的闪存 ■ 最高可达 16 kB 的 SRAM ■ DMA 引擎 ■ 所有引脚上都支持 LCD 驱动 （Com 或 Seg 驱动） ■ 在深度睡眠模式下可运行，每个引脚拥有 4 位显示数据 RAM 串行通信 ■ 可编程模拟模块 ■ 在深度睡眠模式下运行的四个运算放大器较低的电流 ■ 所有运算放大器都具有可重配置高电流引脚驱动、高带宽内部 驱动、ADC 输入缓冲以及带有灵活连接性（允许输入连接到任 何引脚）的比较器模式。 ■ 每个引脚上的四个电流 DAC（IDAC），用于通用目的或电容式 感应应用场合 ■ 在深度睡眠模式下操作的两个低功耗比较器 ■ 转换速率为 806 Ksps 的 12 位 SAR ADC 运行时可重新配置的四个独立串行通信模块 （SCB）包含可重 新配置 I2C、 SPI 或 UART 功能 时序和脉冲宽度调制 ■ 八个 16 位定时器 / 计数器脉冲宽度调制器 （TCPWM）模块 ■ 支持中心对齐模式、边缘模式和伪随机模式 ■ 基于比较器触发的停止（Kill）信号可用于电机驱动以及其它可 靠性较高的数字逻辑应用 封装选择 低功耗模式下的工作电压为 1.71 到 5.5 V ■ 支持 GPIO 引脚唤醒的 20 nA 停止模式 ■ 休眠和深度睡眠模式允许实现唤醒时间与功耗之间的权衡。 电容式感应 ■ 68 引脚 QFN，64 引脚 TQFP 宽与窄间距和 48 引脚 TQFP 封装 ■ 多达 55 个可编程的 GPIO ■ 任何 GPIO 引脚可用作 CapSense、LCD、模拟或数字引脚功能 ■ 可编程驱动模式、强度和输出摆率 ■ 赛普拉斯的电容式 Sigma-Delta （CSD）技术提供了一流的信 噪比 （SNR > 5:1）和耐水性 ■ 通过赛普拉斯提供的软件组件可以更容易地实现电容式感应设 计 ■ 集成开发环境 （IDE）提供了原理图输入和编译 （包括模拟和 数字自动布线） ■ 硬件自动调试 （SmartSense™） ■ 应用编程接口（API组件）可用于所有固定功能和可编程的外设 PSoC Creator 设计环境 行业标准软件的兼容性 ■ 赛普拉斯半导体公司 文档编号：001-96604 版本 ** • 198 Champion Court 输入原理图后，可以使用基于ARM的标准软件开发工具进行开 发 • San Jose, CA 95134-1709 • 408-943-2600 修订日期 February 28, 2015 PSoC® 4: PSoC 4100M 系列 数据手册 初版 更多有关的信息 赛普拉斯的网站 www.cypress.com 上提供了大量数据，有助于正确选择您设计的 PSoC 器件，并使您能够快速和有效地将器件集成 到设计中。有关使用资源的完整列表，请参考知识库文章 KBA86521 — 如何使用 PSoC 3、 PSoC 4 和 PSoC 5LP 进行设计。下面是 PSoC 4 的简要列表： ■ ■ ■ 概况：PSoC 产品系列、 PSoC 路线图 产品选型器：PSoC 1、PSoC 3、PSoC 4、PSoC 5LP。此外， PSoC Creator 还包含一个器件选择工具。 应用笔记：赛普拉斯提供了大量 PSoC 应用笔记，包括从基本到 高级的广泛主题。下面列出了 PSoC 4 入门的应用笔记： ❐ AN79953：PSoC 4 入门 ❐ AN88619：PSoC 4 硬件设计的注意事项 ❐ AN86439：使用 PSoC 4 GPIO 引脚 ❐ AN57821：混合信号电路板布局 ❐ AN81623：数字设计的最佳实践 ❐ AN73854：Bootloader 的简介 ❐ AN89610：ARM Cortex 代码优化 ■ 技术参考手册 （TRM）包含在两个文件： ❐ 架构技术参考手册详细介绍每个 PSoC 4 功能模块。 ❐ 寄存器技术参考手册描述每个 PSoC 4 寄存器。 开发套件： ❐ CY8CKIT-042（PSoC 4 Pioneer 套件）是一种易于使用且廉 价的开发平台。该套件包括 Arduino™ 兼容屏蔽的连接器和 Digilent® Pmod™ 子卡。 ❐ CY8CKIT-049 是一种非常低成本的原型平台。它是一种低成 本的备用方案，用于取样 PSoC 4 器件。 ❐ CY8CKIT-001是任何PSoC 1、PSoC 3、PSoC 4或PSoC 5LP 器件系列的通用开发平台。 MiniProg3 器件提供一个用以进行闪存编程和调试的接口。 ■ PSoC Creator PSoC Creator 是免费的基于 Windows 的集成设计环境（IDE）。通过它能同时在基于 PSoC 3、PSoC 4 和 PSoC 5LP 的系统中设计 硬件和固件。上述系统通过传统熟悉的电路图捕获来进行设计，由超过 100 个预验证并且可用于生产的 PSoC Component™ 支持；请 参考组件数据手册名单。使用 PSoC Creator，可以执行以下操作： 3. 使用配置工具配置各组件 1. 将组件图标施放到主要设计工作区中，以进行您的硬件系统 设计。 4. 研究包含 100 多个组件的库 2. 使用 PSoC Creator 集成开发环境编译器对您的应用固件和 5. 查看组件数据手册 PSoC 硬件进行协同设计 图 1. PSoC Creator 中多传感器的示例项目 文档编号：001-96604 版本 ** 页 2/39 初版 PSoC® 4: PSoC 4100M 系列 数据手册 目录 PSoC 4100M 框图 ............................................................... 4 功能定义 ............................................................................. 5 CPU 和存储器子系统................................................... 5 系统资源 ...................................................................... 5 模拟模块 ....................................................................... 6 固定功能数字 ............................................................... 7 GPIO ........................................................................... 8 特殊功能外设............................................................... 8 引脚分布 .............................................................................. 9 功耗 .................................................................................. 13 非调节外部供电 .......................................................... 13 调节外部供电.............................................................. 13 开发支持 ............................................................................ 14 证件 ............................................................................ 14 在线 ............................................................................ 14 工具 ............................................................................ 14 电气规范 ............................................................................ 15 最大绝对额定值 .......................................................... 15 器件级规范 ................................................................. 15 文档编号：001-96604 版本 ** 模拟外设 ..................................................................... 19 数字外设 ..................................................................... 24 存储器......................................................................... 26 系统资源 ..................................................................... 27 订购信息 ........................................................................... 30 器件型号约定............................................................. 31 封装 .................................................................................. 32 缩略语................................................................................ 35 文档规范 ............................................................................ 37 测量单位 ..................................................................... 37 修订记录 ............................................................................ 38 销售、解决方案和法律信息 ............................................... 39 全球销售和设计支持 ................................................... 39 产品 ........................................................................... 39 PSoC® 解决方案 ........................................................ 39 赛普拉斯开发者社区 .................................................. 39 技术支持 .................................................................... 39 页 3/39 PSoC® 4: PSoC 4100M 系列 数据手册 初版 PSoC 4100M 框图 CPU Subsystem PSoC4100M 32-bit AHB-Lite SWD/TC SPCIF Cortex M0 48 MHz FLASH 128 KB SRAM 16 KB ROM 8 KB DataWire/ DMA FAST MUL NVIC, IRQMX Read Accelerator SRAM Controller ROM Controller Initiator/MMIO System Resources Test DFT Logic DFT Analog SMX CTBm x2 2x OpAmp WCO 2x LP Comparator x1 LCD SAR ADC (12-bit) 4x SCB-I2C/SPI/UART Programmable Analog 2x Capsense Reset Reset Control XRES Peripheral Interconnect (MMIO) PCLK 8x TCPWM Clock Clock Control WDT IMO ILO System Interconnect (Multi Layer AHB) Peripherals IOSS GPIO (8x ports) Power Sleep Control WIC POR LVD REF BOD PWRSYS NVLatches Port Interface & Digital System Interconnect (DSI) High Speed I/O Matrix Power Modes Active/Sleep Deep Sleep Hibernate 49x GPIO, 6x GPIO_OVT IO Subsystem PSoC 4100-M 器件能够为硬件和固件的编程、测试、调试和跟 踪提供广泛的支持。 ARM 串行线调试接口支持器件的所有编程和调试功能。 借助完善的片上调试功能，可以使用标准的生产用器件在最终系 统中进行全面的器件调试。它不需要特殊的接口、调试转接板、 模拟器或仿真器。只需要标准的编程连接，即可全面支持调试。 PSoC Creator 集成开发环境 （IDE）能够为 PSoC 4100-M 器件 提供全面集成的开发和调试支持。 SWD 接口与行业标准的第三 方工具完全兼容。 PSoC 4100-M 系列提供了一个不适用于多芯 片应用解决方案和微控制器的安全级别。这是因为具有能禁用调 试的特性以及强大的闪存保护功能，并允许在片上可编程块实现 用户专有的功能。 文档编号：001-96604 版本 ** 默认情况下，调试电路处于使能状态，并且只能在固件中被禁 用。如果未使能，重新使能它们的唯一方法是擦除整个器件，清 除闪存保护，然后用新固件对器件进行重新编程，这样便能启用 这些调试功能。 此外，对于担心因器件恶意重新编程造成的欺诈性攻击或通过启 动和中断闪存编程序列来击败安全性的试图的应用，可以永久禁 用所有器件接口。由于使能最高安全级别时将禁用所有编程、调 试和测试接口，因此已启用器件安全性的 PSoC 4100-M 器件将 不能退回进行故障分析。这是 PSoC 4100-M 允许客户进行的权 衡。 页 4/39 PSoC® 4: PSoC 4100M 系列 数据手册 初版 功能定义 图 2. PSoC 4100M MCU 时钟架构 CPU 和存储器子系统 IMO clk_hf CPU PSoC 4100-M 中的 Cortex-M0 CPU 是 32 位 MCU 子系统的部 分，该内核通过扩展的时钟门控来优化低功率操作。此外，几乎 所有指令的长度都为 16 位，并且执行 Thumb-2 指令集。赛普拉 斯实现还包含了一个能在单一周期内计算出 32 位结果的硬件乘 法器。 Cortex-M0 包括一个具有 32 路中断输入的嵌套矢量中断 控制器 （NVIC）模块和一个唤醒中断控制器 （WIC）， WIC 控 制器可将处理器从深度睡眠模其模式唤醒，允许芯片处于深度睡 眠模式时关闭供给主处理器的电源。Cortex-M0 CPU 提供一个不 可屏蔽中断输入 （NMI），该输入未被系统函数使用时可以提供 给用户使用。 clk_ext dsi_in[0] dsi_in[1] dsi_in[2] dsi_in[3] dsi_out[3:0] ILO CPU 还包括一个调试接口，即串行线调试（SWD）接口，PSoC 4100-M 的调试配置有四个断点 （地址）比较器和两个观察点 （数据）比较器。 闪存 PSoC 4100-M 包含一个闪存模块，该模块的闪存加速器与 CPU 紧密耦合在一起，以改善闪存模块的平均访问时间。闪存加速器 的单周期访问平均占 SRAM 的 85%。如果需要，闪存模块的部 分空间可以用于模拟 EEPROM 操作。 SRAM 在休眠时保持 SRAM 存储器的内容。 SROM 此外，还提供了包含引导和配置子程序的特权 ROM。 DMA 通过一个 DMA 引擎可以执行 32 位传输，并有链式乒乓描述 符。 系统资源 电源系统 有关电源系统的详细信息，请参考 第 13 页上的电源章节中所介 绍的内容。它确保电压电平满足每个相应模式的要求，延迟模式 输入 （例如，上电复位 （POR）模式）直到电压电平满足正常 功能，或生成各种复位 （欠压检测 （BOD）），或中断 （低电压 检测 （LVD））。 PSoC 4100M 可通过单外部供电运行，其电压 范围为 1.71 至 5.5 V。它拥有 5 种不同的电源模式，这些模式之 间的转换由电源系统管理。PSoC 4100M 提供睡眠模式、深度睡 眠模式、休眠模式和停止低功耗模式。 时钟系统 PSoC 4100-M 的时钟系统为需要时钟的所有子系统提供时钟且 通过该时钟系统可以在各种时钟源之间进行切换而不会产生瞬时 脉冲。此外，时钟系统可确保没有亚稳态情况的出现。 PSoC 4100-M 的时钟系统包括一个工作频率为 32 kHz 的监视晶 体振荡器（WCO）、IMO（频率范围为 3 ~ 48 MHz）、ILO（额 定值为 32 kHz）内部振荡器以及一个备用的外部时钟。 clk_lf WCO 通过分频，clk_hf 信号可以生成用于 UDB、模拟和数字外设的同 步时钟。PSoC 4100-M 的时钟分频器共用 16 个，每个分频器可 进行 16 位分频；这样允许功能固定模块使用 12 个， UDB 则使 用 4 个。模拟时钟的相位可以提前数字时钟，以允许在生成数字 时钟相关的噪声之前发生模拟事件。16 位的分频能够为生成精细 的频率值提供极大的灵活性。PSoC Creator 能够完全支持时钟的 分频方案。 IMO 时钟源 在 PSoC 4100M 中，IMO 是主要的内部时钟源。在测试过程中， 该时钟源被校准，以达到指定的准确度。调整值被存储在非易失 性存储器中。此外，还可以在运行时执行调整操作，从而允许进 行现场校准。IMO 的默认频率为 24 MHz ；其频率范围为 3 MHz 到 48 MHz，增 / 减步长为 1 MHz。对于赛普拉斯提供的校准设 置， IMO 容差为 ±2%。 ILO 时钟源 ILO 是超低功耗的振荡器（32 kHz 额定值），主要用于生成深度 睡眠模式下工作的外设时钟。利用 IMO 校准 ILO 驱动计数器可以 提高准确度。赛普拉斯提供了一个用于校准目的的软件组件。 晶振振荡器 PSoC 4100M 时钟子系统也包含一个低频率晶体振荡器（32 kHz WCO）；可以在深度睡眠模式下使用该振荡器，此外，还可以将 它用于实时时钟 （RTC）和看门狗定时器应用。 看门狗定时器 看门狗定时器由低频率时钟提供时钟，因此，可以在深度睡眠模 式中实现看门狗操作。此外，如果在发生超时前尚未处理操作， 那么将生成看门狗复位或某个中断。看门狗复位在复位原因寄存 器内被记录。 复位 可以从各种源（包括软件复位）复位 PSoC 4100M。复位事件是 异步的，用于确保将器件及时恢复到一个已知的状态。复位原因 被记录在寄存器内，该寄存器在复位过程中保持不变并允许软件 确定复位原因。芯片为外部复位提供一个 XRES 引脚，以避免在 加电或重新配置期间，同配置和多个引脚存在问题。 电压参考 PSoC 4100M 参考系统生成内部需要的所有参考资源。参考系统 为 12 位 ADC 提供 1% 准确度的电压参考。为了获得更好的信噪 文档编号：001-96604 版本 ** 页 5/39 PSoC® 4: PSoC 4100M 系列 数据手册 初版 SAR 通过一个 8 输入定序器 （可扩展到 16 个输入）连接到一组 固定引脚。定序器自动通过已选通道循环 （定序器扫描），而不 需要任何软件开销 （即无论是在单通道的还是在分布在多通道 上，总抽样带宽一直等于 1 Msps）。定序器的切换通过一个状态 机或固件驱动实现。定序器的每一路转换结果被缓存到每个不同 的结果寄存器，减轻 CPU 中断处理的要求。为了适应各种源阻 抗和频率的信号，每个通道可有不同的可编程采样时间。另外， SAR ADC 支持硬件的转换结果溢出检测机制。转换结果的上下 范围可以指定并保存在寄存器里，当 ADC 转换结果上 / 下溢出 时，可以触发中断。这样节省了 CPU 软件检测转换结果溢出与 否的时间。 比（SNR）和更好的绝对准确度，可以使用 GPIO 引脚将外部旁 路电容添加到内部参考电压或将外部参考电压用于 SAR。 模拟模块 12 位 SAR ADC 12 位 SAR ADC 的最高采样率可达 806 千采样 / 秒。 该模块通过下面三种方式来增强模块的功能：添加参考电压缓冲 （可微调以达到 ±1% 误差）；提供三个内部电压参考选择：VDD、 VDD/2、和 VREF （额定电压为 1.024 V）；和提供外部参考电压 输入引脚。采样和保持 （S/H）时间是可编程，允许放大器的增 益带宽需求驱动 SAR 输入，确定其建立时间。在使用合适的参 考和允许的噪声环境下，对于真正的 12 位精度，系统性能是 65 dB。为提高在嘈杂条件下的性能，可以为内部参考电压提供 一个外部旁路电容 （耦合滤波）。 SAR 可以量化电路板上的温度传感器的输出，来对其它功能做温 度补偿。因为 SAR 需要一个高速时钟，所以它在深度睡眠模式 和休眠模式下不可用。 SAR 的工作范围在 1.71 至 5.5 V。 图 3. SAR ADC 系统框图 AHB System Bus and Programmable Logic Interconnect SARSEQ vminus vplus P7 Port 2 (8 inputs) SARMUX P0 Sequencing and Control Data and Status Flags POS SARADC NEG External Reference and Bypass (optional) Reference Selection VDD/2 VDDD VREF Inputs from other Ports 文档编号：001-96604 版本 ** 页 6/39 PSoC® 4: PSoC 4100M 系列 数据手册 初版 模拟复用总线 温度传感器 PSoC 4100M 有两个环航芯片外设的同心模拟总线（模拟复用器 总线 A 和模拟复用器总线 B）。这些总线可以将模拟信号从任何 引脚传输到各种模拟模块 （包括运算放大器）和 CapSense 模 块，从而允许 ADC 监控芯片上的任何引脚。这些总线相互独立 并且可以分为三个独立部分。第一个部分用于 CapSense，第二 个用于通用模拟信号处理，第三个用于通用数字外设和 GPIO。 PSoC 4100M 有一个片上温度传感器。该传感器包括一个二极 管，此二极管的偏置电流由一个开关状态的电流源提供。该温度 传感器的输出可以连接至 ADC 做量化采样，量化结果通过赛普 拉斯提供的固定算法来转换成温度值。 四个运算放大器 PSoC 4100M 具有带比较器模式的四个运算放大器，这样能够在 片上执行最常见的模拟功能，而无需外部组件。PGA、电压缓冲 区、滤波器、跨阻放大器和其他功能通过使用外部无源组件实 现，从而节省电源、成本和空间。片上运算放大器有足够的带宽 来驱动 ADC 的采样和保持电路而不必使用外部缓冲。在深度睡 眠模式下，只要使用极低的功耗运行这些运算放大器。下图显示 的是运算放大器子系统中两对相同运算放大器的其中一对。 OA0 + P0 - 10x 1x Internal Out0 P1 P2 P3 P4 OA1 P5 - P6 + 1x 10x Internal Out1 P7 图 4 中的椭圆形表示模拟开关，通过用户固件、SAR 定序器或用 户定义的可编程逻辑可以控制这些开关。通过这些开关可以配置 各运算放大器（OA0 和 OA1），用以对相应反馈组件进行所有标 准运算放大器功能。 可以对各运算放大器 （OA0 和 OA1）进行编程和重新配置以便 向可交换的反馈组件提供标准的运算放大器功能。此外，还提供 了用于直接驱动引脚的单位增益功能，或者，供内部使用 （如该 图所示的缓冲 SAR ADC 输入）。另外，这些运算放大器还能作 为真值比较器使用。 运算放大器输入提供高度灵活连接并且可以直接连接至专用引 脚，或通过模拟复用总线连接至芯片上的引脚。模拟开关连接由 用户固件和用户定义的可编程数字状态机 （通过 UDB 实现）控 制。 这些运算放大器使用极低电流在深度睡眠模式下运行，旨在允许 模拟电路在深度睡眠模式下持续运行。 文档编号：001-96604 版本 ** PSoC 4100M 具有一对低功耗比较器，它们可以在深度睡眠模式 和休眠模式下工作。这样，当模拟系统模块被禁用时，仍可以在 低功耗模式下监控外部电压电平。除非在异步功耗模式 （休眠） 下工作，否则，将对比较器输出进行同步化，以避免进入亚稳态。 在该异步功耗模式中，系统唤醒电路是由一个比较器开关事件激 活的。 固定功能数字模块 定时 / 计数 / 脉宽调制器 （TCPWM）模块 TCPWM 模块使用一个用户可编程周期长度的 16 位计数器。另 外，还有一个捕获寄存器，用于记录事件发生（可能是 I/O 事件） 时的计数值；一个周期寄存器，用于停止或自动重新加载计数器 （在计数值与周期寄存器的值相等时）和一个比较寄存器，用于 生成作为 PWM 占空比输出使用的比较值信号。在正向输出和反 向输出之间，该模块还提供了可编程的偏移，以便这些输出可以 作为可编程死区的互补 PWM 输出使用。它还提供用于强制停止 PWM 输出的停止 （Kill）输入；例如，当出现过流状态时，可以 强制停止PWM输出来保护电路。PSoC 4100M具有八个TCPWM 模块。 To SAR ADC To SAR ADC Analog Mux Bus B Analog Mux Bus A 图 4. 运算放大器子系统中的相同运算放大器对 低功耗比较器 串行通信模块 （SCB） PSoC 4100M 有四个 SCB，每一个 SCB 都可以实现 I2C、 UART、或 SPI 接口。 I2C 模式：硬件 I2C 模块实现了一个完整的多主设备和从设备接 口 （它具有多主设备的校准功能） 。该模块的工作速度可达 1 Mbps （增强型快速模块） ，另外它还提供各种灵活的缓冲选 项，以降低 CPU 的中断开销和延迟。该模块还具有一个 EzI2C， 通过它可以在 PSoC 4100M 存储器中创建缓冲存储器的地址范 围，并且对存储器中的阵列进行读写操作时可以大量降低 I2C 通 信。此外，该模块提供一个深度为 8 字节的 FIFO，用于数据的 接收和传送。该模块延长了 CPU 读取数据的时间，从而减少了 时钟延展的发生 （由于 CPU 没有及时读取数据，因此才导致时 钟延展）。FIFO 可用在所有通道，并在没有 DMA 的情况下非常 有用。 I2C 外设与 I2C 标准模式、快速模式和增强快速模式器件相兼容， 如 NXP I2C 总线规范和用户手册 （UM10204）中所定义。在开 漏模式下，可以使用 GPIO 引脚实现 I2C 总线 I/O。 UART 模式：这是一个可在速度高达 1 Mbps 的条件下运行的全 功能 UART。它支持汽车单线接口 （LIN）、红外接口 （IrDA）、 和智能卡（ISO7816）的协议，它们全部都是基本 UART 协议的 其他形式。此外，它还支持 9 位多处理器模式，此模式允许寻址 连接到通用的 RX 和 TX 线的外设。支持通用 UART 功能，如奇 偶校验错误、中断检测以及帧错误。一个 8 字节 FIFO 让更多的 CPU 服务延迟得到容许。请注意，不支持硬件握手特性。这个特 性很少被使用，如果需要也可通过系统中的一个基于 UDB 的 UART 来实现 。 SPI 模式：SPI 模式支持全部 Motorola SPI、 TI SSP （基本添加 用于同步 SPI 编码的启动脉冲）和 National Microwire （SPI 的 半双工形式）。SPI 模块可以使用 FIFO，而且还能支持 EzSPI 模 式；此模式会减少读取和写入储存器中的阵列时的数据交换量。 页 7/39 PSoC® 4: PSoC 4100M 系列 数据手册 初版 GPIO 特殊功能外设 PSoC 4100M 具有 55 个采用 68 引脚 QFN 封装的 GPIO。GPIO 模块实现下列功能： 段式 LCD 驱动 ■ 驱动强度模式包括下面八种：强推拉、电阻上拉及下拉、弱 （电阻）上拉及下拉、开漏及开源、输入和禁用 ■ 选择输入阈值 （CMOS 或 LVTTL） ■ 单独控制禁用输入和输出 ■ 用于闩锁前一状态的保持模式（用于保留I/O在深度睡眠模式和 休眠模式的状态） ■ dV/dt 相关噪声控制的可选斜率，用以降低 EMI 引脚被分组为逻辑单元，称为端口，其宽度为 8 位。上电和复位 期间，各模块被强制为禁用状态，以禁止通电任何输入和 / 或造 成启用的过电流现象。高速 I/O 矩阵的复用网络用于复用连接一 个 I/O 引脚至多个信号。固定功能外设的引脚位置也被固定以减 少内部使用的复杂性（这些信号不通过 DSI 网络布线）。DSI 信 号不受此影响，且所有引脚均可通过 DSI 网络连接到任何 UDB。 数据输出寄存器和引脚状态寄存器分别用于驱动和保存管脚当前 的状态。 如果 I/O 引脚被使能，它将生成一个中断，并且每个 I/O 端口都 有一个中断请求 （IRQ）和相关的中断服务子程序 （ISR）向量 （对于 PSoC 4100M，向量数量为 8）。 端口 6 的引脚 （高达 6 个引脚，由封装不同而异）是过压容限 （VIN 可以超过 VDD）。根据 I2C 规范，在过压单元的输入超过 VDDIO 时，这些单元不会输出高于 10 µA 的电流。 PSoC 4100M 有一个 LCD 控制器，它可驱动多达 4 个 common 和 51 个 segment。任何引脚都可以作为一个 common 引脚或一 个 segment 引脚。该控制器使用完整的数字方法 （数字关联和 PWM）驱动 LCD 段，而不需要内部生成 LCD 电压。这两种方法 被称为数字相关和 PWM。 数字相关涉及到调制频率、通用电压和段信号，用于生成一个段 的最高 RMS 电压，以照亮或保持 RMS 信号为零。这种方法用于 STN 效果会比较好，但用于 TN （相对比较廉价）则会对比度比 较低。 PWM 方式是使用 PWM 信号驱动显示面板，有效地利用面板的 电容来提供经过调制脉冲宽度的集成，从而生成所需的 LCD 电 压。这种方法导致会更高的功耗，但驾驶 TN 显示时可以导致更 好的结果。支持 LCD 在深度睡眠时刷新显示缓冲区 （4 位；每 端口 1 32 位寄存器） CapSense 通过一个 CapSense Sigma-Delta （CSD）模块，所有 PSoC 4100M 的引脚都支持 CapSense ；通过一个模拟复用器总 线，此模块可连接到任意引脚，而通过一个模拟开关，所有 GPIO 引脚都可以连接到总线。因此，在软件控制的系统中，任何引脚 或引脚组都可以提供 CapSense 功能。为 CapSense 模块提供一 个组件，该组件提供自动硬件调试（赛普拉斯 SmartSense™）， 从而为用户提供方便。 通过将屏蔽电压驱动到另一个模拟总线可以提供防水性能。通过 对屏蔽电极驱动为与感应电极相同的信号可提供防水功能。这样 可以避免屏蔽电容衰减感应输入。 每个 CSD模块具有两个 IDAC。如果不使用 CapSense （两个 IDAC 在此情况下均可用）或者 CapSense 没有使能防水功能（只 有一个 IDAC 有效），那么可以将这两个 IDAC 用作通用目的。 PSoC 4100M 具有两个独立使用的 CSD 模块；一个用于 CapSense，另一个则提供两个 IDAC。 文档编号：001-96604 版本 ** 页 8/39 PSoC® 4: PSoC 4100M 系列 数据手册 初版 引脚分布 下面显示的是 PSoC 4100M 的引脚列表。它显示供电电源和端口引脚 （例如， P0.0 表示端口 0 的引脚 0）。 68 QFN 64 TQFP 48 TQFP 引脚 42 名称 P0.0 引脚 39 名称 P0.0 引脚 28 名称 P0.0 43 P0.1 40 P0.1 29 P0.1 44 P0.2 41 P0.2 30 P0.2 45 P0.3 42 P0.3 31 P0.3 46 P0.4 43 P0.4 32 P0.4 47 P0.5 44 P0.5 33 P0.5 48 P0.6 45 P0.6 34 P0.6 49 P0.7 46 P0.7 35 P0.7 50 XRES 47 XRES 36 XRES 51 VCCD 48 VCCD 37 VCCD 52 VSSD 49 VSSD 38 VSSD 53 VDDD 50 VDDD 39 VDDD 54 P5.0 51 P5.0 55 P5.1 52 P5.1 56 P5.2 53 P5.2 57 P5.3 54 P5.3 58 P5.4 59 P5.5 55 P5.5 60 VDDA 56 VDDA 40 VDDA 61 VSSA 57 VSSA 41 VSSA 62 P1.0 58 P1.0 42 P1.0 63 P1.1 59 P1.1 43 P1.1 64 P1.2 60 P1.2 44 P1.2 65 P1.3 61 P1.3 45 P1.3 66 P1.4 62 P1.4 46 P1.4 67 P1.5 63 P1.5 47 P1.5 68 P1.6 64 P1.6 48 P1.6 1 P1.7/VREF 1 P1.7/VREF 1 P1.7/VREF 2 P2.0 2 P2.0 2 P2.0 3 P2.1 3 P2.1 3 P2.1 4 P2.2 4 P2.2 4 P2.2 5 P2.3 5 P2.3 5 P2.3 6 P2.4 6 P2.4 6 P2.4 7 P2.5 7 P2.5 7 P2.5 8 P2.6 8 P2.6 8 P2.6 9 P2.7 9 P2.7 9 P2.7 10 VSSA 10 VSSA 10 VSSIO 11 VDDA 11 VDDA 12 P6.0 12 P6.0 13 P6.1 13 P6.1 文档编号：001-96604 版本 ** 页 9/39 PSoC® 4: PSoC 4100M 系列 数据手册 初版 68 QFN 64 TQFP 引脚 14 名称 P6.2 引脚 14 名称 P6.2 15 P6.3 16 P6.4 15 P6.4 17 P6.5 16 P6.5 18 VSSIO 17 19 P3.0 20 P3.1 21 22 48 TQFP 引脚 名称 VSSIO 10 VSSIO 18 P3.0 12 P3.0 19 P3.1 13 P3.1 P3.2 20 P3.2 14 P3.2 P3.3 21 P3.3 16 P3.3 23 P3.4 22 P3.4 17 P3.4 24 P3.5 23 P3.5 18 P3.5 25 P3.6 24 P3.6 19 P3.6 26 P3.7 25 P3.7 20 P3.7 27 VDDIO 26 VDDIO 21 VDDIO 28 P4.0 27 P4.0 22 P4.0 29 P4.1 28 P4.1 23 P4.1 30 P4.2 29 P4.2 24 P4.2 31 P4.3 30 P4.3 25 P4.3 32 P4.4 31 P4.4 33 P4.5 32 P4.5 34 P4.6 33 P4.6 35 P4.7 39 P7.0 37 P7.0 26 P7.0 40 P7.1 38 P7.1 27 P7.1 41 P7.2 端口 6 的引脚都是过压容限的。在 48 引脚 TQFP 封装中，引脚 11 和 15 处于未连接状态。 文档编号：001-96604 版本 ** 页 10/39 PSoC® 4: PSoC 4100M 系列 数据手册 初版 上表显示的每个引脚均有多个可编程功能，如下表所示。列标题表示模拟和备用引脚功能： 端口 / 引脚 P0.0 模拟 lpcomp.in_p[0] P0.1 lpcomp.in_n[0] scb[0].spi_select2:0 P0.2 lpcomp.in_p[1] scb[0].spi_select3:0 P0.3 lpcomp.in_n[1] PRGIO 备用功能 1 备用功能 2 备用功能 3 备用功能 4 备用功能 5 scb[0].spi_select1:0 P0.4 wco_in scb[1].uart_rx:0 scb[1].i2c_scl:0 scb[1].spi_mosi:1 P0.5 wco_out scb[1].uart_tx:0 scb[1].i2c_sda:0 scb[1].spi_miso:1 P0.6 ext_clk:0 P0.7 scb[1].uart_cts:0 scb[1].spi_clk:1 scb[1].uart_rts:0 wakeup P5.0 ctb1.oa0.inp tcpwm.line[4]:2 scb[2].uart_rx:0 scb[2].i2c_scl:0 scb[1].spi_select0:1 scb[2].spi_mosi:0 P5.1 ctb1.oa0.inm tcpwm.line_compl[4]:2 scb[2].uart_tx:0 scb[2].i2c_sda:0 scb[2].spi_miso:0 P5.2 ctb1.oa0.out tcpwm.line[5]:2 scb[2].uart_cts:0 lpcomp.comp[0]:1 scb[2].spi_clk:0 P5.3 ctb1.oa1.out tcpwm.line_compl[5]:2 scb[2].uart_rts:0 lpcomp.comp[1]:1 scb[2].spi_select0:0 P5.4 ctb1.oa1.inm tcpwm.line[6]:2 scb[2].spi_select1:0 P5.5 ctb1.oa1.inp tcpwm.line_compl[6]:2 scb[2].spi_select2:0 P5.6 ctb1.oa0.inp_alt tcpwm.line[7]:0 scb[2].spi_select3:0 P5.7 ctb1.oa1.inp_alt tcpwm.line_compl[7]:0 P1.0 ctb0.oa0.inp tcpwm.line[2]:1 scb[0].uart_rx:1 scb[0].i2c_scl:0 scb[0].spi_mosi:1 P1.1 ctb0.oa0.inm tcpwm.line_compl[2]:1 scb[0].uart_tx:1 scb[0].i2c_sda:0 scb[0].spi_miso:1 P1.2 ctb0.oa0.out tcpwm.line[3]:1 scb[0].uart_cts:1 scb[0].spi_clk:1 P1.3 ctb0.oa1.out tcpwm.line_compl[3]:1 scb[0].uart_rts:1 scb[0].spi_select0:1 P1.4 ctb0.oa1.inm tcpwm.line[6]:1 scb[0].spi_select1:1 P1.5 ctb0.oa1.inp tcpwm.line_compl[6]:1 scb[0].spi_select2:1 P1.6 ctb0.oa0.inp_alt tcpwm.line[7]:1 scb[0].spi_select3:1 P1.7 ctb0.oa1.inp_alt tcpwm.line_compl[7]:1 P2.0 sarmux.0 tcpwm.line[4]:1 scb[1].i2c_scl:1 scb[1].spi_mosi:2 P2.1 sarmux.1 tcpwm.line_compl[4]:1 scb[1].i2c_sda:1 scb[1].spi_miso:2 P2.2 sarmux.2 tcpwm.line[5]:1 scb[1].spi_clk:2 P2.3 sarmux.3 tcpwm.line_compl[5]:1 scb[1].spi_select0:2 P2.4 sarmux.4 tcpwm.line[0]:1 scb[1].spi_select1:1 P2.5 sarmux.5 tcpwm.line_compl[0]:1 scb[1].spi_select2:1 P2.6 sarmux.6 tcpwm.line[1]:1 scb[1].spi_select3:1 文档编号：001-96604 版本 ** 页 11/39 PSoC® 4: PSoC 4100M 系列 数据手册 初版 端口 / 引脚 P2.7 模拟 sarmux.7 备用功能 1 tcpwm.line_compl[1]:1 备用功能 2 P6.0 tcpwm.line[4]:0 P6.1 P6.2 P6.3 PRGIO 备用功能 3 备用功能 4 备用功能 5 scb[3].spi_select0:1 scb[3].uart_rx:0 scb[3].i2c_scl:0 scb[3].spi_mosi:0 tcpwm.line_compl[4]:0 scb[3].uart_tx:0 scb[3].i2c_sda:0 scb[3].spi_miso:0 tcpwm.line[5]:0 scb[3].uart_cts:0 scb[3].spi_clk:0 tcpwm.line_compl[5]:0 scb[3].uart_rts:0 scb[3].spi_select0:0 P6.4 tcpwm.line[6]:0 P6.5 tcpwm.line_compl[6]:0 scb[3].spi_select1:0 P3.0 tcpwm.line[0]:0 scb[1].uart_rx:1 scb[1].i2c_scl:2 scb[1].spi_mosi:0 P3.1 tcpwm.line_compl[0]:0 scb[1].uart_tx:1 scb[1].i2c_sda:2 scb[1].spi_miso:0 P3.2 tcpwm.line[1]:0 scb[1].uart_cts:1 swd_data scb[1].spi_clk:0 P3.3 tcpwm.line_compl[1]:0 scb[1].uart_rts:1 swd_clk scb[1].spi_select0:0 P3.4 tcpwm.line[2]:0 scb[1].spi_select1:0 P3.5 tcpwm.line_compl[2]:0 scb[1].spi_select2:0 P3.6 tcpwm.line[3]:0 scb[1].spi_select3:0 P3.7 tcpwm.line_compl[3]:0 scb[3].spi_select2:0 P4.0 scb[0].uart_rx:0 scb[0].i2c_scl:1 scb[0].spi_mosi:0 P4.1 scb[0].uart_tx:0 scb[0].i2c_sda:1 scb[0].spi_miso:0 P4.2 csd[0].c_mod scb[0].uart_cts:0 lpcomp.comp[0]:0 scb[0].spi_clk:0 P4.3 csd[0].c_sh_tank scb[0].uart_rts:0 lpcomp.comp[1]:0 scb[0].spi_select0:0 P4.4 scb[0].spi_select1:2 P4.5 scb[0].spi_select2:2 P4.6 scb[0].spi_select3:2 P4.7 P7.0 tcpwm.line[0]:2 scb[3].uart_rx:1 scb[3].i2c_scl:1 scb[3].spi_mosi:1 P7.1 tcpwm.line_compl[0]:2 scb[3].uart_tx:1 scb[3].i2c_sda:1 scb[3].spi_miso:1 P7.2 tcpwm.line[1]:2 scb[3].uart_cts:1 scb[3].spi_clk:1 各种电源引脚功能的说明如下： VSS：接地引脚。 VDD：模拟和数据部分的电源 （其中没有 VDDA 引脚）。 VCCD：稳压数字电源 （1.8 V ±5%）。 VDDA：允许封装引脚的模拟 VDD 引脚；否则短路连接 VDDD。 引脚端口都可以作为 LCD 共模信号、 LCD 段驱动、或 CSD 感应使用，并且屏蔽引 脚可以与 AMUXBUS A 或 B 相连，或都作为固件或 DSI 信号可驱动的 GPIO 引脚使 用。 VDDIO：I/O 引脚电压范围。 VSSA：允许封装引脚的模拟接地引脚；否则短路连接 VSS。 文档编号：001-96604 版本 ** 页 12/39 PSoC® 4: PSoC 4100M 系列 数据手册 初版 电源 所有功能和电路都在 1.71 至 5.5 V 的供电电压范围内运行。 PSoC 4100M 系列提供两种不同的电源操作模式：未调节外部供 电和调节外部供电。 未调节外部供电 在该模式下， PSoC 4100M 由一个外部电源供电，它的范围为 1.8 至 5.5 V。此范围还用于电池供电操作，例如，芯片可以由一 个电池系统供电，其电压可从启动时的 3.5 V 降至 1.8 V。在此模 式下，PSoC 4100M 的内部调压器为内部逻辑供电，并且它的输 出必须通过一个外部电容 （在 1 至 1.6µF 范围内； X5R 陶瓷或 性能更好的电容）旁路接地。 在 PC 板上必须同时短路 VDDA 和 VDDD ； 因此，也要同时短 路地、 VSSA 和 VSS。 VDDD 和 VDDA 必须通过旁路电容连接 到地，通常选用一个 1µF 和一个 0.1µF 的电容。请注意，这只是 简单的经验法则。对于重要的应用，PCB 布局、走线间的电感和 旁路电容寄生需要通过仿真以获得最佳的旁路。 文档编号：001-96604 版本 ** 电源 VDDD–VSS 和 VDDIO-VSS VDDA–VSSA VCCD–VSS VREF–VSSA （可选） 旁路电容 每个引脚上的 0.1 µF 陶瓷电容加上 1 到 10 µF 的大容量电容。 引脚上安装 0.1 µF 的陶瓷电容。另外安装 1 µF 到 10 µF 的额外大容量电容。 在 VCCD 引脚上安装的 1 µF 陶瓷电容。 可以旁路内部带隙 （其电容范围为 1 µF 到 10 µF）来提高 ADC 的性能。 调节外部供电 在该模式下， PSoC 4100M 由一个外部电源供电，它的范围为 1.71 至 1.89 V （1.8 ±5%）；请注意，此范围必须包括电源纹 波。此外，同时短路并旁路 VCCD、VDDA、VDDIO 和 VDDD 引 脚。在固件中，内部调压器被禁用。 页 13/39 PSoC® 4: PSoC 4100M 系列 数据手册 初版 开发支持 PSoC 4100M 系列具有一系列丰富的文档、开发工具和在线资 源，能够在开发过程中为您提供帮助。更多有关信息，请访问 www.cypress.com/go/psoc4 网站。 应用笔记：PSoC 应用笔记深入讨论了 PSoC 的特定应用，例如 无刷直流电机控制和片上滤波。除了应用笔记文档之外，应用笔 记通常还包括示例项目。 技术参考手册：技术参考手册 （TRM）包含使用 PSoC 器件所 需的全部技术细节，其中包括所有 PSoC 寄存器的完整说明。 Documentation （文档） 在线资源 为 PSoC 4100M 系列提供支持的一套文档，以确保您可以快速找 到问题的答案。本节列出了部分关键文档。 除了印刷文档之外，您还可以随时通过赛普拉斯 PSoC 论坛，与 世界各地的 PSoC 用户和专家进行交流。 软件用户指南：介绍了有关使用 PSoC Creator 的流程。该指南 详细介绍了 PSoC Creator 项目的构建流程以及如何将源控件与 PSoC Creator 结合使用等信息。 工具 组件数据手册：PSoC 非常灵活，在投入生产很长时间后依然可 以创建新的外设 （组件）。组件数据表提供了选择和使用特定组 件所需的全部信息，其中包括功能说明、 API 文档、示例代码以 及交流 / 直流规范。 文档编号：001-96604 版本 ** PSoC 4100M 系列具备工业标准的内核、编程和调试接口，是开 发工具体系的一个组成部分。有关易于使用的创新型 PSoC Creator IDE、所支持的第三方编译器、编程器、调试器和开发工 具 包 的 最 新 信 息，请 访 问 我 们 的 网 站： www.cypress.com/go/psoccreator 。 页 14/39 PSoC® 4: PSoC 4100M 系列 数据手册 初版 电气规范 最大绝对额定值 表 1. 最大绝对额定值 [1] 规范 ID 编号 参数 说明 最小值 典型值 最大值 单位 详情 / 条件 –0.5 – 6 V 最大绝对额定值 SID1 VDD_ABS 相对于 VSS 的模拟或数字供电电压 （VSSD = VSSA） SID2 VCCD_ABS 相对于 VSSD 的直接数字内核电压输入 –0.5 – 1.95 V 最大绝对额定值 SID3 VGPIO_ABS GPIO 电压； VDDD 或 VDDA –0.5 – VDD+0.5 V 最大绝对额定值 SID4 IGPIO_ABS 每个 GPIO 上的电流 –25 – 25 mA 最大绝对额定值 SID5 IG-PIO_injection 每个引脚的 GPIO 注入电流 –0.5 – 0.5 mA 最大绝对额定值 BID44 ESD_HBM 静电放电 — 人体模型 2200 – – V BID45 ESD_CDM 静电放电 — 充电器件模型 500 – – V BID46 LU 栓锁的引脚电流 –140 – 140 mA 器件级规范 除非另有说明，否则所有规范的适用条件都是 -40 °C TA 85 °C，且 TJ 100 °C。除非另有说明，否则这些规范的适用电压范围 是 1.71 V 至 5.5 V。 表 2. 直流规范 最小值 典型值 最大值 单位 详情 / 条件 SID53 规范 ID 编号 VDDD 参数 电源输入电压 说明 1.8 – 5.5 V 使能了电压调节器 SID255 VDDD 未调节电源输入电压 1.71 1.8 1.89 V 旁路内部电压调节 器 SID54 VCCD 输出电压 （供给内核逻辑） – 1.8 – V SID55 CEFC 外部电压调节器旁路电容 1 1.3 1.6 µF X5R 陶瓷电容或性 能更好的电容 SID56 CEXC 电源去耦电容 – 1 – µF X5R 陶瓷电容或更 好的电容 活动模式， VDDD = 1.71 V ~ 5.5 V SID10 IDD5 从闪存执行； CPU 的运行速度为 6 MHz – 2.2 – mA T = 25 °C SID11 IDD6 从闪存执行； CPU 的运行速度为 6 MHz – – 2.8 mA 最大值 SID13 IDD8 从闪存执行； CPU 的运行速度为 12 MHz – 3.7 – mA T = 25 °C SID14 IDD9 从闪存执行； CPU 的运行速度为 12 MHz – – 4.2 mA 最大值 SID16 IDD11 从闪存执行； CPU 的运行速度为 24 MHz – 6.7 – mA T = 25 °C SID17 IDD12 从闪存执行； CPU 的运行速度为 24 MHz – – 7.2 mA T = 85 °C – 1.3 1.8 mA 6 MHz – 1.7 2.2 mA 12 MHz 睡眠模式， VDDD = 1.71 V ~ 5.5 V SID25 IDD20 SID25A IDD20A I2C 唤醒和 WDT 打开。 T = 25 °C 2 I C 唤醒和 WDT 打开。 T = 25 °C 深度睡眠模式， VDDD = 1.8 至 3.6 V （使能电压调节器） SID31 IDD26 I2C 唤醒和 WDT 打开。 T = 25 °C – 1.3 – µA T = 25 °C SID32 IDD27 I2C – – 10 µA T = 85 °C 唤醒和 WDT 打开。 T = 85 °C 注释： 1. 器件在高于表 1 中所列出的最大绝对值条件下可能会造成永久性的损害。长期使用最大绝对值可能会影响器件的可靠性。最大存放温度是 150 °C，符合 JEDEC 标准 JESD22-A103 — 高温度存放使用寿命。如果采用的值低于最大绝对值但高于正常值，则器件不能正常工作。 文档编号：001-96604 版本 ** 页 15/39 PSoC® 4: PSoC 4100M 系列 数据手册 初版 表 2. 直流规范 （续） 规范 ID 编号 参数 说明 最小值 典型值 最大值 单位 详情 / 条件 – 15 – µA T = 25 °C， 电压 = 5.5 V – 1.7 – µA T = 25 °C – – 10 µA T = 85 °C 深度睡眠模式，VDDD = 3.6 ~ 5.5 V SID34 IDD29 I2C 唤醒和 WDT 打开 深度睡眠模式， VDDD = 1.71 至 1.89 V （ 旁路电压调节器） SID37 SID38 IDD32 IDD33 I2C 唤醒和 WDT 打开。 T = 25 °C 2 I C 唤醒和 WDT 打开。 T = 85 °C 休眠模式， VDDD = 1.8 ~ 3.6 V （使能电压调节器；由特性保证） SID40 IDD35 GPIO 和复位有效 – 150 – nA T = 25 °C， 电压 = 3.6 V SID41 IDD36 GPIO 和复位有效 – – 1 µA T = 85 °C – 150 – nA T = 25 °C， 电压 = 5.5 V 休眠模式， VDDD = 3.6 ~ 5.5 V （由特性保证） SID43 IDD38 GPIO 和复位有效 休眠模式， VDDD = 1.71 至 1.89 V （旁路电压调节器；由特性保证） SID46 IDD41 GPIO 和复位有效 – 150 – nA T = 25 °C SID47 IDD42 GPIO 和复位有效 – – 1 µA T = 85 °C IDD43A 停止模式下的电流； VDD = 3.6 V – 20 80 nA IDD_XR 触发 XRES 时的供电电流 – 2 5 mA 最大值 24 单位 MHz 停止模式 （由特性保证） SID304 XRES 电流 SID307 表 3. 交流规范 规范 ID 编号 参数 SID48 FCPU CPU 频率 SID49 TSLEEP 从睡眠模式唤醒的时间 – 0 – µs 由特性保证 SID50 TDEEPSLEEP 从深度睡眠模式唤醒的时间 – – 25 µs 24 MHz IMO。由 特性保证 SID51 THIBERNATE 从休眠模式唤醒 – – 0.7 ms 由特性保证 SID51A TSTOP 从停止模式唤醒的时间 – – 1.9 ms 由特性保证 SID52 TRESETWIDTH 外部复位脉冲宽度 1 – – µs 由特性保证 文档编号：001-96604 版本 ** 说明 最小值 典型值 DC – 详情 / 条件 1.71 VDD 5.5 页 16/39 PSoC® 4: PSoC 4100M 系列 数据手册 初版 GPIO 表 4. GPIO 直流规范 规范 ID 编号 参数 [2] SID57 VIH 说明 输入电压的上限阈值 最小值 0.7 × VDDD 典型值 – 最大值 – 单位 V 详情 / 条件 CMOS 输入 SID57A IIHS 焊盘的电压 > OVT 输入的 VDDIO 时的输 入电流 – – 10 µA 每个 I2C 规范 SID58 VIL 输入电压的下限阈值 – – 0.3 × VDDD V CMOS 输入 SID241 VIH[2] LVTTL 输入， VDDD < 2.7 V 0.7× VDDD – – V SID242 VIL LVTTL 输入， VDDD < 2.7 V – – 0.3 × VDDD V SID243 VIH[2] LVTTL 输入， VDDD 2.7 V 2.0 – – V SID244 VIL LVTTL 输入， VDDD 2.7 V – – 0.8 V SID59 VOH 输出高电平电压 VDDD – 0.6 – – V VDDD = 3 V 时， IOH = 4 mA SID60 VOH 输出高电平电压 VDDD – 0.5 – – V SID61 VOL 输出低电平电压 – – 0.6 V VDDD = 1.8 V 时， IOH = 1 mA VDDD = 1.8 V 时， IOL = 4 mA SID62 VOL 输出低电平电压 – – 0.6 V VDDD = 3 V 时， IOL = 8 mA SID62A VOL 输出低电平电压 – – 0.4 V VDDD = 3 V 时， IOL = 3 mA SID63 RPULLUP 上拉电阻 3.5 5.6 8.5 kΩ SID64 RPULLDOWN 下拉电阻 3.5 5.6 8.5 kΩ SID65 IIL 输入漏电流 （绝对值） – – 2 nA 25 °C， VDDD = 3.0 V SID65A IIL_CTBM CTBM 引脚的输入漏电流 （绝对值） – – 4 nA SID66 CIN 输入电容 – – 7 pF SID67 VHYSTTL 输入迟滞 LVTTL 25 40 – mV SID68 VHYSCMOS 输入迟滞 CMOS 0.05 × VDDD – – mV SID69 IDIODE 通过保护二极管到达 VDD/Vss 的导通电 流 – – 100 µA 由特性保证 SID69A ITOT_GPIO 芯片的最大总拉电流或灌电流 – – 200 mA 由特性保证 VDDD 2.7 V 注释： 2. VIH 不能超过 VDDD + 0.2 V。 文档编号：001-96604 版本 ** 页 17/39 PSoC® 4: PSoC 4100M 系列 数据手册 初版 表 5. GPIO 交流规范 （由特性保证） 规范 ID 编号 参数 SID70 TRISEF 快速强驱动模式下的上升时间 说明 最小值 2 典型值 – 最大值 12 单位 ns 详情 / 条件 SID71 TFALLF 快速强驱动模式下的下降时间 2 – 12 ns VDDD = 3.3 V， Cload = 25 pF SID72 TRISES 慢速强驱动模式下的上升时间 10 – 60 ns VDDD = 3.3 V， Cload = 25 pF SID73 TFALLS 慢速强驱动模式下的下降时间 10 – 60 ns VDDD = 3.3 V， Cload = 25 pF SID74 FGPIOUT1 GPIO Fout ； 3.3 V VDDD 5.5 V。 快速强驱动模式。 – – 24 MHz 90/10%， Cload = 25 pF，占空比 = 60/40 SID75 FGPIOUT2 GPIO Fout ； 1.7 V VDDD 3.3 V。 快速强驱动模式。 – – 16.7 MHz 90/10%， Cload = 25 pF，占空比 = 60/40 SID76 FGPIOUT3 GPIO Fout ； 3.3 V VDDD 5.5 V。 慢速强驱动模式。 – – 7 MHz 90/10%， Cload = 25 pF，占空比 = 60/40 SID245 FGPIOUT4 GPIO Fout ； 1.7 V VDDD 3.3 V。 慢速强驱动模式。 – – 3.5 MHz 90/10%， Cload = 25 pF，占空比 = 60/40 SID246 FGPIOIN GPIO 输入工作频率； 1.71 V VDDD 5.5 V – – 48 MHz 90/10% VIO 典型值 – 最大值 – 单位 V CMOS 输入 CMOS 输入 VDDD = 3.3 V， Cload = 25 pF XRES 表 6. XRES 直流规范 规范 ID 编号 参数 SID77 VIH 说明 输入电压的上限阈值 最小值 0.7 × VDDD 详情 / 条件 SID78 VIL 输入电压的下限阈值 – – 0.3 × VDDD V SID79 RPULLUP 上拉电阻 3.5 5.6 8.5 kΩ SID80 CIN 输入电容 – 3 – pF SID81 VHYSXRES 输入电压迟滞 – 100 – mV 由特性保证 SID82 IDIODE 通过保护二极管到达 VDDD/VSS 的导通 电流 – – 100 µA 由特性保证 典型值 – 最大值 – 表 7. XRES 交流规范 规范 ID 编号 参数 SID83 TRESETWIDTH 文档编号：001-96604 版本 ** 说明 复位脉冲宽度 最小值 1 单位 µs 详情 / 条件 由特性保证 页 18/39 PSoC® 4: PSoC 4100M 系列 数据手册 初版 模拟外设 运算放大器 表 8. 运算放大器规范 （由特性保证） 规范 ID 编号 参数 说明 最小值 典型值 最大值 – – – 单位 – 详情 / 条件 IDD 运算放大器模块电流。无负载。 SID269 IDD_HI 功耗 = 高 – 1000 1300 µA SID270 IDD_MED 功耗 = 中 – 320 500 µA SID271 IDD_LOW 功耗 = 低 – 250 350 µA GBW 负载 = 20 pF，电流 = 0.1 mA。VDDA = 2.7 V – – – – GBW_HI 功耗 = 高 6 – – MHz SID273 GBW_MED 功耗 = 中 4 – – MHz SID274 GBW_LO 功耗 = 低 – 1 – MHz IOUT_MAX VDDA 2.7 V，电源电压 = 500 mV – – – – SID275 IOUT_MAX_HI 功耗 = 高 10 – – mA SID276 IOUT_MAX_MID 功耗 = 中 10 – – mA SID277 IOUT_MAX_LO 功耗 = 低 – 5 – mA IOUT VDDA = 1.71 V，电源电压 = 500 mV – – – – SID278 IOUT_MAX_HI 功耗 = 高 4 – – mA SID279 IOUT_MAX_MID 功耗 = 中 4 – – mA SID280 IOUT_MAX_LO 功耗 = 低 – 2 – mA SID281 VIN 输入电压范围 –0.05 – VDDA – 0.2 V 电荷泵打开，VDDA 2.7 V SID282 VCM 共模输入电压 –0.05 – VDDA – 0.2 V 电荷泵打开，VDDA 2.7 V VOUT VDDA 2.7 V SID283 VOUT_1 SID284 SID272 – – – 功耗 = 高，负载电流 =10 mA 0.5 – VDDA – 0.5 V VOUT_2 功耗 = 高，负载电流 =1 mA 0.2 – VDDA – 0.2 V SID285 VOUT_3 功耗 = 中，负载电流 = 1 mA 0.2 – VDDA – 0.2 V SID286 VOUT_4 功耗 = 低，负载电流 = 0.1mA 0.2 – VDDA – 0.2 V SID288 VOS_TR 偏移电压，校准后 1 ±0.5 1 mV 高功耗模式 SID288A VOS_TR 偏移电压，校准后 – ±1 – mV 中模式 SID288B VOS_TR 偏移电压，校准后 – ±2 – mV 低功耗模式 SID290 VOS_DR_TR 偏移电压漂移，校准后 –10 ±3 10 µV/C 高功耗模式 SID290A VOS_DR_TR 偏移电压漂移，校准后 – ±10 – µV/C 中等功耗模式 SID290B VOS_DR_TR – ±10 – µV/C SID291 CMRR 偏移电压漂移，校准后 DC 70 80 – dB 低功耗模式 VDDD = 3.6 V SID292 PSRR 工作频率为 1 kHz，纹波电压 = 100 mV 70 85 – dB VDDD = 3.6 V 噪声 VN1 – – – – SID293 参考输入，频率 = 1 Hz - 1GHz，功 耗=高 – 94 – µVrms 文档编号：001-96604 版本 ** 页 19/39 PSoC® 4: PSoC 4100M 系列 数据手册 初版 表 8. 运算放大器规范 （由特性保证）（续） 规范 ID 编号 参数 SID294 VN2 SID295 VN3 说明 最小值 典型值 最大值 单位 – 72 – nV/rtHz 参考输入，频率 = 1 kHz，功耗 = 高 – 28 – nV/rtHz 参考输入， 10 kHz，功耗 = 高 SID296 VN4 参考输入， 100 kHz，功耗 = 高 – 15 – nV/rtHz SID297 Cload 稳定输出模式下的最大负载。性能输 出模式为 50 pF。 – – 125 pF SID298 Slew_rate Cload = 50 pF，功耗 = 高， VDDA 2.7 V 6 – – V/µsec SID299 T_op_wake 从禁用到使能的时间，无外部 RC 电 路。 – 25 – µSec Comp_mode 比较器模式； 50 mV 驱动， Trise = Tfall （近似值） – – — SID300 TPD1 响应时间；功耗 = 高 – 150 – nsec SID301 TPD2 响应时间；功耗 = 中 – 400 – nsec SID302 TPD3 响应时间；功耗 = 低 – 2000 – nsec SID303 Vhyst_op 迟滞 – 10 – mV 深度睡眠模式 详情 / 条件 模式 2 具有最低电流范围。模式 1 具 有更高的 GBW。 SID_DS_1 IDD_HI_M1 模式 1，高电流 – 1400 – uA 25 °C SID_DS_2 IDD_MED_M1 模式 1，中等电流 – 700 – uA 25 °C SID_DS_3 IDD_LOW_M1 模式 1，低电流 – 200 – uA 25 °C SID_DS_4 IDD_HI_M2 模式 2，高电流 – 120 – uA 25 °C SID_DS_5 IDD_MED_M2 模式 2，中等电流 – 60 – uA 25 °C SID_DS_6 IDD_LOW_M2 模式 2，低电流 – 15 – uA 25 °C SID_DS_7 GBW_HI_M1 模式 1，高电流 – 4 – MHz 25 °C SID_DS_8 GBW_MED_M1 模式 1，中等电流 GBW_LOW_M1 模式 1，低电流 – 2 – MHz 25 °C – 0.5 – MHz 25 °C – 0.5 – MHz 20 pF 负载，无直流负载 0.2 V 至 VDDA-0.2 V SID_DS_11 GBW_MED_M2 模式 2，中等电流 – 0.2 – MHz 20 pF 负载，无直流负载 0.2 V 至 VDDA-0.2 V SID_DS_12 GBW_LOW_M2 模式 2，低电流 – 0.1 – MHz 20 pF 负载，无直流负载 0.2 V 至 VDDA-0.2 V 模式 1，高电流 – 5 – mV 已调整，温度为 25 °C， 0.2 V 至 VDDA-0.2 V SID_DS_14 VOS_MED_M1 模式 1，中等电流 – 5 – mV 已调整，温度为 25 °C， 0.2 V 至 VDDA-0.2 V SID_DS_15 VOS_LOW_M2 模式 1，低电流 – 5 – mV 已调整，温度为 25 °C， 0.2 V 至 VDDA-0.2 V 模式 2，高电流 – 5 – mV 已调整，温度为 25 °C， 0.2 V 至 VDDA-0.2 V SID_DS_17 VOS_MED_M2 模式 2，中等电流 – 5 – mV 已调整，温度为 25 °C， 0.2 V 至 VDDA-0.2 V SID_DS_18 VOS_LOW_M2 模式 2，低电流 – 5 – mV 已调整，温度为 25 °C， 0.2 V 至 VDDA-0.2 V 模式 1，高电流 – 10 – mA 输出电压为 0.5 V 至 VDDA-0.5 V SID_DS_9 SID_DS_10 GBW_HI_M2 SID_DS_13 VOS_HI_M1 SID_DS_16 VOS_HI_M2 SID_DS_19 IOUT_HI_M! 文档编号：001-96604 版本 ** 模式 2，高电流 页 20/39 PSoC® 4: PSoC 4100M 系列 数据手册 初版 表 8. 运算放大器规范 （由特性保证）（续） 规范 ID 编号 参数 说明 SID_DS_20 IOUT_MED_M1 模式 1，中等电流 最小值 典型值 最大值 – 10 – 单位 mA SID_DS_21 IOUT_LOW_M1 模式 1，低电流 – 4 – mA SID_DS_22 IOUT_HI_M2 模式 2，高电流 – 1 – mA SID_DS_23 IOU_MED_M2 模式 2，中等电流 – 1 – mA SID_DS_24 IOU_LOW_M2 模式 2，低电流 – 0.5 – mA 详情 / 条件 输出电压为 0.5 V 至 VDDA-0.5 V 输出电压为 0.5 V 至 VDDA-0.5 V 电压比较器 表 9. 比较器直流规范 规范 ID 编号 参数 SID85 VOFFSET2 说明 最小值 典型值 – – 输入偏移电压，已调整 SID85A VOFFSET3 输入偏移电压。超低功耗模式 – ±12 最大值 ±4 单位 mV – mV SID86 VHYST 迟滞 （使能时） – 10 35 mV SID87 VICM1 正常模式下的共模输入电压 0 – VDDD – 0.1 V 详情 / 条件 由特性保证 模式 1 和 2。 SID247 VICM2 低功耗电压模式下的共模输入电压 0 – VDDD V SID247A VICM2 超低功耗模式下的共模输入电压 0 – VDDD – 1.15 V SID88 CMRR 共模抑制比 50 – – dB VDDD 2.7 V。由特 性保证 SID88A CMRR 共模抑制比 42 – – dB VDDD < 2.7 V。由特 性保证 SID89 ICMP1 模块电流，正常模式 – – 280 µA 由特性保证 SID248 ICMP2 模块电流，低功耗模式 – – 50 µA 由特性保证 SID259 ICMP3 模块电流，超低功耗模式 – – 6 µA 由特性保证 SID90 ZCMP 比较器的直流输入阻抗 35 – – MΩ 由特性保证 文档编号：001-96604 版本 ** 页 21/39 PSoC® 4: PSoC 4100M 系列 数据手册 初版 表 10. 比较器交流规范 （由特性保证） 规范 ID 编号 参数 SID91 TRESP1 SID258 TRESP2 说明 响应时间，正常模式 SID92 TRESP3 最小值 – 典型值 – 最大值 38 单位 ns 详情 / 条件 过压值为 50 mV 响应时间，超低功耗模式 – – 70 ns 过压值为 50 mV 响应时间，超低功耗模式 – – 2.3 µs 过压值为 200 mV 最小值 –5 典型值 ±1 最大值 +5 单位 °C 温度传感器 表 11. 温度传感器规范 规范 ID 编号 参数 SID93 TSENSACC 说明 温度传感器准确度 详情 / 条件 –40 至 +85 °C SAR ADC 表 12. SAR ADC 直流规范 规范 ID 编号 参数 说明 最小值 典型值 最大值 单位 位 详情 / 条件 SID94 A_RES 分辨率 – – 12 SID95 A_CHNIS_S 通道数量 — 单端 – – 16 8 个全速通道 SID96 A-CHNKS_D 差分通道数量 – – 8 差分通道的输入端使 用相邻 I/O SID97 A-MONO 单调性 – – – 有。基于特性 SID98 A_GAINERR 增益误差 – – ±0.1 % SID99 A_OFFSET 输入偏移电压 – – 2 mV SID100 A_ISAR 电流消耗 SID101 A_VINS SID102 使用外部参考。 在 VREF 为 1 V 时测 量得到。 – – 1 mA 输入电压范围 （单端） VSS – VDDA V 基于器件特性 A_VIND 输入电压范围 — 差分 VSS – VDDA V 基于器件特性 SID103 A_INRES 输入电阻 – – 2.2 KΩ 基于器件特性 SID104 A_INCAP 输入电容 – – 10 pF 基于器件特性 表 13. SAR ADC 交流规范 （由特性保证） 规范 ID 编号 参数 SID106 A_PSRR 最小值 70 典型值 – 最大值 – 单位 dB 详情 / 条件 电源抑制比 说明 SID107 A_CMRR 共模抑制比 66 – – dB 在 1 V 电压下测量得 到 SID108 A_SAMP_1 使用外部参考旁路电容时的采样率 – – 806 Ksps SID108A A_SAMP_2 不使用旁路电容时的采样率。参考电压 = VDD – – 500 Ksps SID108B A_SAMP_3 不使用旁路电容时的采样率。内部参考 – – 100 Ksps SID109 A_SNDR 信噪比和失真比 （SINAD） 65 – – dB SID111 A_INL 积分非线性 –1.7 – +2 LSB 文档编号：001-96604 版本 ** FIN = 10 kHz VDD = 1.71 至 5.5、 806 Ksps、 Vref = 1 至 5.5. 页 22/39 PSoC® 4: PSoC 4100M 系列 数据手册 初版 表 13. SAR ADC 交流规范 （由特性保证）（续） 规范 ID 编号 参数 SID111A A_INL 积分非线性 说明 最小值 –1.5 典型值 – 最大值 +1.7 单位 LSB 详情 / 条件 VDD = 1.71 至 3.6、 806 Ksps、 Vref = 1.71 至 VDDD。 VDDD = 1.71 ~ 5.5 V， 500 Ksps，Vref = 1 ~ 5.5 V。 VDD = 1.71 ~ 5.5， 806 Ksps，Vref = 1 ~ 5.5. SID111B A_INL 积分非线性 –1.5 – +1.7 LSB SID112 A_DNL 微分非线性 –1 – +2.2 LSB SID112A A_DNL 微分非线性 –1 – +2 LSB SID112B A_DNL 微分非线性 –1 – +2.2 LSB SID113 A_THD 总谐波失真 – – –65 dB VDD = 1.71 至 3.6、 806 Ksps、 Vref = 1.71 至 VDDD。 VDDD = 1.71 ~ 5.5 V， 500 Ksps，Vref = 1 ~ 5.5 V。 FIN = 10 kHz。 最小值 典型值 最大值 单位 详情 / 条件 1.71 – 5.5 V CSD 表 14. CSD 模块规范 规范 ID# 参数 说明 CSD 规范 SID308 VCSD 工作电压范围 SID309 IDAC1 8 位分辨率的差分非线性 （DNL） –1 – 1 LSB SID310 IDAC1 8 位分辨率的积分非线性 （INL） –3 – 3 LSB SID311 IDAC2 7 位分辨率的差分非线性 （DNL） –1 – 1 LSB SID312 IDAC2 7 位分辨率的积分非线性 （INL） –3 – 3 LSB SID313 SNR 手指计数与噪声的比率。由特性保证 5 – – 比率 SID314 IDAC1_CRT1 高范围的 Idac1 （8 位）输出电流 – 612 – µA SID314A IDAC1_CRT2 低范围的 Idac1 （8 位）输出电流 – 306 – µA SID315 IDAC2_CRT1 高范围的 Idac2 （7 位）输出电流 – 304.8 – µA SID315A IDAC2_CRT2 低范围的 Idac2 （7 位）输出电流 – 152.4 – µA 文档编号：001-96604 版本 ** 电容值范围 = 9 pF ~ 35 pF，灵敏度 = 0.1 pF 页 23/39 PSoC® 4: PSoC 4100M 系列 数据手册 初版 数字外设 下列规范适用于采用定时器模式的定时器 / 计数器 /PWM 外设。 定时器 / 计数器 /PWM 表 15. TCPWM 规范 （由特性保证） 规范 ID 编号 参数 说明 最小值 典型值 最大值 详情 / 条件 单位 SID.TCPWM.1 ITCPWM1 频率为 3 MHz 时的模块电流消耗 45 µA SID.TCPWM.2 ITCPWM2 频率为 12 MHz 时的模块电流消耗 155 µA SID.TCPWM.2A ITCPWM3 频率为 48 MHz 时的模块电流消耗 450 µA SID.TCPWM.3 TCPWMFREQ 工作频率 Fc MHz SID.TCPWM.4 TPWMENEXT 所有触发事件的输入触发脉冲宽度 2/Fc ns SID.TCPWM.5 TPWMEXT 输出触发脉冲宽度 2/Fc ns SID.TCPWM.5A TCRES 计数器的分辨率 1/Fc ns SID.TCPWM.5B PWMRES 脉冲宽度调制器分辨率 1/Fc ns SID.TCPWM.5C QRES 正交输入分辨率 1/Fc ns 所有模式 （定时器 / 计数 器 /PWM） 所有模式 （定时器 / 计数 器 /PWM） 所有模式 （定时器 / 计数 器 /PWM） Fc max = Fcpu。最大值 = 48 MHz 根据选择的工作模式，触 发事件可以为：Stop、 Start、 Reload、 Count、 Capture 或 Kill。 上溢、下溢和 CC （计数 器值等于比较值）的最小 可能宽度 连续计数间的最小时间 PWM 输出的最小脉冲宽 度 正交相位输入的最小脉冲 宽度 I2C 表 16. 固定 I2C 直流规范 （由特性保证） 规范 ID 编号 参数 SID149 II2C1 说明 频率为 100 KHz 时的模块电流消耗 最小值 – 典型值 – 最大值 10.5 单位 µA SID150 II2C2 频率为 400 KHz 时的模块电流消耗 – – 135 µA SID151 II2C3 比特率为 1 Mbps 时的模块电流消耗 SID152 II2C4 2 在深度睡眠模式下使能 I C – – 310 µA – – 1.4 µA 最小值 – 典型值 – 最大值 1 单位 Mbps 详情 / 条件 表 17. 固定 I2C 交流规范 （由特性保证） 规范 ID 编号 参数 SID153 FI2C1 文档编号：001-96604 版本 ** 说明 比特率 详情 / 条件 页 24/39 PSoC® 4: PSoC 4100M 系列 数据手册 初版 LCD 直接驱动器 表 18. LCD 直接驱动直流规范 （由特性保证） 规范 ID 编号 参数 SID154 ILCDLOW 说明 低功耗模式下的工作电流 最小值 典型值 最大值 – 5 – SID155 CLCDCAP 每个段 / 共模驱动器上的 LCD 电容 – SID156 LCDOFFSET 长期段偏移 SID157 ILCDOP1 在 PWM 模式下的电流。 偏压为 5 V。 24 MHz IMO SID158 ILCDOP2 PWM 模式电流。偏压为 3.3 V。 24 MHz IMO。 单位 µA 500 5000 pF – 20 – mV – 0.6 – mA – 0.5 – mA 详情 / 条件 16 × 4 小型段式显示 屏，频率为 50 Hz 由设计保证 32 × 4 段。频率为 50Hz，温度为 25 °C 32 × 4 段。频率为 50 Hz，温度为 25 °C 表 19. LCD 直接驱动交流规范 （由特性保证） 规范 ID 编号 参数 SID159 FLCD 说明 最小值 10 LCD 帧率 典型值 最大值 50 150 单位 Hz 详情 / 条件 最小值 典型值 最大值 – – 9 单位 µA 详情 / 条件 表 20. 固定 UART 直流规范 （由特性保证） 规范 ID 编号 参数 SID160 IUART1 SID161 IUART2 说明 速度为 100 Kbits/ 秒时的模块电流消耗 速度为 1000 Kbits/ 秒时的模块电流消耗 _ – 312 µA 说明 最小值 – 典型值 – 最大值 1 单位 Mbps 说明 典型值 – 最大值 360 单位 µA 表 21. 固定 UART 直流规范 （由特性保证） 规范 ID 编号 SID162 参数 比特率 FUART SPI 规范 表 22. 固定 SPI 直流规范 （由特性保证） 规范 ID 编号 SID163 参数 ISPI1 速度为 1 Mbits/ 秒时的模块电流消耗 最小值 – SID164 ISPI2 速度为 4 Mbits/ 秒时的模块电流消耗 – – 560 µA SID165 ISPI3 速度为 8 Mbits/ 秒时的模块电流消耗 – – 600 µA 最小值 – 典型值 – 最大值 8 单位 MHz 表 23. 固定 SPI 交流规范 （由特性保证） 规范 ID SID166 参数 FSPI 文档编号：001-96604 版本 ** 说明 SPI 工作频率 （主设备； 6X 过采样） 页 25/39 PSoC® 4: PSoC 4100M 系列 数据手册 初版 表 24. SPI 主设备的固定交流规范 （由特性保证） 规范 ID 编号 SID167 TDMO 参数 说明 最小值 – 典型值 – 最大值 15 单位 ns Sclock 驱动沿后的 MOSI 有效时间 SID168 TDSI Sclock 捕获沿前的 MISO 有效时间。使用 了全时钟、 MISO 推迟采样 20 – – ns SID169 THMO 关于从设备捕获沿的先前 MOSI 数据保持 时间 0 – – ns 表 25. SPI 从设备模式的固定交流规范 （由特性保证） 规范 ID 编号 SID170 TDMI 参数 Sclock 捕获沿前的 MOSI 有效时间 说明 最小值 40 典型值 – 最大值 – 单位 ns SID171 TDSO Sclock 驱动沿后的 MISO 有效时间 – – 42 + 3 × FCPU ns SID171A TDSO_ext 在外部时钟中的 Sclock 驱动沿后的 MISO 有效时间。时钟模式 – – 48 ns SID172 THSO 先前的 MISO 数据保持时间 SID172A TSSELSCK 从 SSEL 有效到第一个 SCK 沿有效的时间 0 – – ns 100 – – ns 存储器 表 26. 闪存直流规范 规范 ID 编号 SID173 参数 VPE 说明 擦除和编程电压 最小值 1.71 典型值 – 最大值 5.5 单位 V 详情 / 条件 表 27. 闪存交流规范 规范 ID 编号 参数 SID174 TROWWRITE 说明 最小值 – 行 （模块）编写的时间 （擦除和 编程） – 行擦除的时间 SID175 TROWERASE SID176 TROWPROGRAM 擦除后的行编程时间 TBULKERASE 批量擦除时间 （128 KB） SID178 – 13 ms 详情 / 条件 行 （模块）= 256 字节 – 7 ms – 35 ms – – 15 ms – – 15 秒 由特性保证 100 K – – 周期 由特性保证 – – 年 由特性保证 – – 年 由特性保证 SID181 FEND 闪存擦写次数 SID182 FRET 闪存数据保留时间。 TA 55 °C、 100 K 个编程 / 擦除周期 20 闪存数据保留时间。 TA 85 °C、 10 K 个编程 / 擦除周期 10 文档编号：001-96604 版本 ** 单位 ms – TSECTORERASE 扇区擦除时间 （8 KB） TDEVPROG 器件总编程时间 SID182A 最大值 20 – SID180 SID179 典型值 – 页 26/39 PSoC® 4: PSoC 4100M 系列 数据手册 初版 系统资源 带掉电检测特性的上电复位 （POR）电路交流 表 28. 非精密上电复位 （PRES） 规范 ID 编号 参数 SID185 VRISEIPOR SID186 VFALLIPOR SID187 迟滞 VIPORHYST 说明 上升触发电压 最小值 0.80 典型值 – 最大值 1.45 单位 V 详情 / 条件 由特性保证 下降触发电压 0.75 – 1.4 V 由特性保证 15 – 2000 mV 由特性保证 表 29. 精密上电复位 （POR） 规范 ID SID190 参数 VFALLPPOR 活动和睡眠模式下的 BOD 触发电压 说明 SID192 VFALLDPSLP 深度睡眠模式下的 BOD 触发电压 最小值 1.64 典型值 – 最大值 – 单位 V 由特性保证 详情 / 条件 1.4 – – V 由特性保证 电压监控器 表 30. 电压监控器直流规范 规范 ID 编号 参数 SID195 VLVI1 说明 LVI_A/D_SEL[3:0] = 0000b 最小值 1.71 典型值 1.75 最大值 1.79 单位 V SID196 VLVI2 LVI_A/D_SEL[3:0] = 0001b 1.76 1.80 1.85 V SID197 VLVI3 LVI_A/D_SEL[3:0] = 0010b 1.85 1.90 1.95 V SID198 VLVI4 LVI_A/D_SEL[3:0] = 0011b 1.95 2.00 2.05 V SID199 VLVI5 LVI_A/D_SEL[3:0] = 0100b 2.05 2.10 2.15 V SID200 VLVI6 LVI_A/D_SEL[3:0] = 0101b 2.15 2.20 2.26 V SID201 VLVI7 LVI_A/D_SEL[3:0] = 0110b 2.24 2.30 2.36 V SID202 VLVI8 LVI_A/D_SEL[3:0] = 0111b 2.34 2.40 2.46 V SID203 VLVI9 LVI_A/D_SEL[3:0] = 1000b 2.44 2.50 2.56 V SID204 VLVI10 LVI_A/D_SEL[3:0] = 1001b 2.54 2.60 2.67 V SID205 VLVI11 LVI_A/D_SEL[3:0] = 1010b 2.63 2.70 2.77 V SID206 VLVI12 LVI_A/D_SEL[3:0] = 1011b 2.73 2.80 2.87 V SID207 VLVI13 LVI_A/D_SEL[3:0] = 1100b 2.83 2.90 2.97 V SID208 VLVI14 LVI_A/D_SEL[3:0] = 1101b 2.93 3.00 3.08 V SID209 VLVI15 LVI_A/D_SEL[3:0] = 1110b 3.12 3.20 3.28 V SID210 VLVI16 LVI_A/D_SEL[3:0] = 1111b 4.39 4.50 4.61 V SID211 LVI_IDD 模块电流 – – 100 µA 最小值 – 典型值 – 详情 / 条件 由特性保证 表 31. 电压监控器交流规范 规范 ID 编号 参数 SID212 TMONTRIP 文档编号：001-96604 版本 ** 说明 电压监控器触发时间 最大值 1 单位 µs 详情 / 条件 由特性保证 页 27/39 PSoC® 4: PSoC 4100M 系列 数据手册 初版 SWD 接口 表 32. SWD 接口规范 规范 ID 编号 参数 SID213 F_SWDCLK1 说明 3.3 V VDD 5.5 V 最小值 – 典型值 – 最大值 14 单位 MHz SID214 F_SWDCLK2 1.71 V VDD 3.3 V – – 7 MHz SID215 T_SWDI_SETUP T = 1/f SWDCLK 0.25*T – – ns 由特性保证 SID216 T_SWDI_HOLD 0.25*T – – ns 由特性保证 SID217 T_SWDO_VALID T = 1/f SWDCLK – – 0.5*T ns 由特性保证 SID217A T_SWDO_HOLD T = 1/f SWDCLK 1 – – ns 由特性保证 典型值 – 最大值 1000 单位 µA – 325 µA T = 1/f SWDCLK 详情 / 条件 SWDCLK CPU 时 钟频率的 1/3 SWDCLK CPU 时 钟频率的 1/3 内部主振荡器 表 33. IMO 直流规范 （由设计保证） 规范 ID 编号 参数 SID218 IIMO1 说明 SID219 IIMO2 最小值 – 频率为 48 MHz 时的 IMO 工作电流 – 频率为 24 MHz 时的 IMO 工作电流 SID220 IIMO3 频率为 12 MHz 时的 IMO 工作电流 – – 225 µA SID221 IIMO4 频率为 6 MHz 时的 IMO 工作电流 – – 180 µA SID222 IIMO5 频率为 3 MHz 时的 IMO 工作电流 – – 150 µA 详情 / 条件 表 34. IMO 交流规范 规范 ID 编号 参数 SID223 FIMOTOL1 说明 最小值 – 典型值 – 最大值 ±2 单位 % 频率在 3 到 48 MHz 范围内变化 SID226 TSTARTIMO IMO 启动时间 – – 12 µs SID227 TJITRMSIMO1 频率为 3 MHz 时的 RMS 抖动时间 – 156 – ps SID228 TJITRMSIMO2 频率为 24 MHz 时的 RMS 抖动时 间 – 145 – ps SID229 TJITRMSIMO3 频率为 48 MHz 时的 RMS 抖动时 间 – 139 – ps 详情 / 条件 内部低速振荡器 表 35. ILO 直流规范 （由设计保证） 规范 ID SID231 IILO1 参数 频率为 32 kHz 时的 ILO 工作电流 说明 SID233 IILOLEAK ILO 漏电流 最小值 – 典型值 0.3 最大值 1.05 单位 µA 由特性保证 详情 / 条件 – 2 15 nA 由设计保证 表 36. ILO 交流规范 规范 ID 编号 参数 SID234 TSTARTILO1 SID236 TILODUTY ILO 启动时间 ILO 占空比 40 SID237 调整后的频率为 32 kHz 15 FILOTRIM1 文档编号：001-96604 版本 ** 说明 最小值 典型值 – – 最大值 2 单位 ms 详情 / 条件 由特性保证 50 60 % 由特性保证 32 50 kHz 调整范围为 ±60%。 页 28/39 PSoC® 4: PSoC 4100M 系列 数据手册 初版 表 37. 外部时钟规范 规范 ID 编号 参数 SID305 ExtClkFreq 外部时钟输入频率 SID306 占空比；在 VDD/2 测量得到 ExtClkDuty 说明 最小值 0 典型值 – 最大值 48 单位 MHz 详情 / 条件 由特性保证 45 – 55 % 由特性保证 表 38. 晶振振荡器规范 规范 ID 编号 参数 kHz ECO 直流规范 SID318 Idd_kHz 说明 最小值 典型值 最大值 单位 晶振频率为 32 kHz 时的模块操作电 流 – 0.25 1 µA kHz ECO 交流规范 SID319 F_kHz 调整后的频率为 32 kHz – 32.768 – KHz SID320 启动时间 – – 1 秒 单位 Ton_kHz 详情 / 条件 表 39. 模块规范 规范 ID 编号 参数 SID257 TWS24* 说明 在 24 MHz 的等待状态数 最小值 1 典型值 – 最大值 – SID260 VREFSAR 校准的 SAR 的内部参考 –1 – +1 SID261 FSARINTREF _ – 100 SID262 TCLKSWITCH SAR 运行速度 （没有旁路外部参考 电压） 时钟从 clk1 切换到 clk2 需要的 clk1 周期时间 3 – 4 详情 / 条件 CPU 从闪存执行。由 特性保证 % Vbg 的百分比 （1.024 V）。由特性 保证 ksps 12 位分辨率。由特性 保证 周期 由设计保证 * Tws48 和 Tws24 都由设计保证 文档编号：001-96604 版本 ** 页 29/39 PSoC® 4: PSoC 4100M 系列 数据手册 初版 订购信息 下表显示的是 PSoC 4100M 下列的器件编号和各种特性。 4126 4127 68 QFN 64 TQFP （间距为 0.8 mm） 64TQFP （间距为 0.5 mm） 48 TQFP GPIO SCB 模块 TCPWM 模块 LP 比较器 LCD 直接驱动 12 位分辨率的 SAR ADC 封装 IDAC （1X7-BIT, 1-8-BIT） CSD 运算放大器 （CTBm） SRAM （KB） 闪存 （KB） MPN 类别 4125 CPU 的最高速度 （MHz） 特性 CY8C4125AZI-M433 24 32 4 2 – – – 806 Ksps 2 8 4 38 ✔ – – – CY8C4125AZI-M443 24 32 4 2 ✔ – ✔ 806 Ksps 2 8 4 38 ✔ – – – CY8C4125AZI-M445 24 32 4 2 ✔ – ✔ 806 Ksps 2 8 4 51 – ✔ – – CY8C4125LTI-M445 24 32 4 2 ✔ – ✔ 806 Ksps 2 8 4 55 – – – ✔ CY8C4125AXI-M445 24 32 4 2 ✔ – ✔ 806 Ksps 2 8 4 51 – – ✔ CY8C4126AZI-M443 24 64 8 2 ✔ – ✔ 806 Ksps 2 8 4 38 ✔ – – – CY8C4126AZI-M445 24 64 8 2 ✔ – ✔ 806 Ksps 2 8 4 51 – ✔ – – CY8C4126AZI-M475 24 64 8 4 – ✔ – 806 Ksps 2 8 4 51 – ✔ – – CY8C4126LTI-M445 24 64 8 2 ✔ – ✔ 806 Ksps 2 8 4 55 – – – ✔ CY8C4126LTI-M475 24 64 8 4 – ✔ – 806 Ksps 2 8 4 55 – – – ✔ CY8C4126AXI-M445 24 64 8 2 ✔ – ✔ 806 Ksps 2 8 4 51 – – – – CY8C4127LTI-M475 24 128 16 4 – ✔ – 806 Ksps 2 8 4 55 – – – ✔ CY8C4127AZI-M475 24 128 16 4 – ✔ – 806 Ksps 2 8 4 51 – – – – CY8C4127AZI-M485 24 128 16 4 ✔ ✔ ✔ 806 Ksps 2 8 4 51 – ✔ – – CY8C4127AXI-M485 24 128 16 4 ✔ ✔ ✔ 806 Ksps 2 8 4 51 – – ✔ – 上表中所用的名称是基于以下器件编号约定： 字段 CY8C 4 A B C 赛普拉斯前缀 架构 系列 CPU 速度 闪存容量 DE 封装代码 F 说明 温度范围 文档编号：001-96604 版本 ** 值 4 2 4 4 5 6 7 AX、 AZ LQ BU FD I 含义 PSoC 4 4100 系列 48 MHz 16 KB 32 KB 64 KB 128 KB TQFP QFN BGA CSP 工业级 页 30/39 初版 字段 S 芯片系列 说明 XYZ 属性代码 值 N/A L BL 000-999 PSoC® 4: PSoC 4100M 系列 数据手册 含义 PSoC 4A PSoC 4A-L PSoC 4A-BLE 设置在特殊系列中的特性代码 器件型号定义 器件型号定义如下。 CY8C 4 A B C D E F - S XYZ Cypress Prefix Architecture Family Group within Architecture Speed Grade Flash Capacity Package Code Temperature Range Silicon Family Attributes Code 文档编号：001-96604 版本 ** 页 31/39 PSoC® 4: PSoC 4100M 系列 数据手册 初版 封装 PSoC 4100M 封装尺寸如下。 规范 ID 编号 PKG_1 68 引脚 QFN 封装 68 QFN，高度为 8 mm x 8 mm x 1.0 mm，间距为 0.4 mm 说明 封装 Dwg 编号 001-09618 PKG_2 64 引脚 TQFP 64 TQFP，高度为 10 mm x10 mm x 1.4 mm，间距为 0.5 mm 51-85051 PKG_4 64 引脚 TQFP 64 TQFP，高度为 14 mm x14 mm x 1.4 mm，间距为 0.8 mm 51-85046 PKG_5 48 引脚 TQFP 48 TQFP，高度为 7 mm x 7 mm x 1.4 mm，间距为 0.5 mm 51-85135 表 40. 封装特性 参数 说明 条件 最小值 典型值 最大值 单位 TA 工作环境温度 –40 25.00 85 °C TJ 工作结温 –40 – 100 °C TJA 封装 JA （68 引脚 QFN） – – 16.5 °C/Watt TJA 封装 JA （64 引脚 TQFP，间距为 0.5 mm） – – 54 °C/Watt TJA 封装 JA （64 引脚 TQFP，间距为 0.8 mm） – – 64 °C/Watt TJA 封装 JA （48 引脚 TQFP） – – 67 °C/Watt 表 41. 回流焊峰值温度 封装 最高峰值温度 峰值温度下的最长时间 所有封装 260 °C 30 秒 表 42. 封装潮敏等级 （MSL）， IPC/JEDEC J-STD-2 封装 MSL 所有封装 MSL 3 文档编号：001-96604 版本 ** 页 32/39 初版 PSoC® 4: PSoC 4100M 系列 数据手册 图 5. 68 引脚 QFN 封装外形 001-09618 *E 图 6. 64 引脚 TQFP 封装外形 51-85051 *D 文档编号：001-96604 版本 ** 页 33/39 初版 PSoC® 4: PSoC 4100M 系列 数据手册 图 7. 64 引脚 14 × 14mm TQFP 封装外形 51-85046 *F 图 8. 48 引脚 TQFP 封装外形 51-85135 *C 文档编号：001-96604 版本 ** 页 34/39 PSoC® 4: PSoC 4100M 系列 数据手册 初版 缩略语 表 43. 本文档中使用的缩略语 （续） 表 43. 本文档中使用的缩略语 FPB 闪存修补和断点 FS 全速 缩略语 缩略语 说明 说明 abus 模拟局部总线 GPIO 通用输入 / 输出，适用于 PSoC 引脚 ADC 模数转换器 HVI 高电压中断，另请参见 LVI、 LVD AG 模拟全局总线 IC 集成电路 AHB AMBA （先进微控制器总线结构）高性能总线， 即为一种 ARM 数据传输总线 IDAC 电流 DAC，另请参见 DAC、 VDAC IDE 集成开发环境 ALU 算术逻辑单元 内部集成电路，即为一种通信协议 AMUXBUS 模拟复用器总线 I2 API 应用编程接口 APSR 应用编程状态寄存器 ARM® 高级 RISC 机器，即为一种 CPU 架构 ATM 自动 Thump 模式 BW 带宽 CAN CMRR C 或 IIC IIR 无限脉冲响应，另请参见 FIR ILO 内部低速振荡器，另请参见 IMO IMO 内部主振荡器，另请参见 ILO INL 积分非线性，另请参见 DNL I/O 输入 / 输出，另请参见 GPIO、 DIO、 SIO、 USBIO 控制器区域网络，即为一种通信协议 IPOR 初始上电复位 共模抑制比 IPSR 中断程序状态寄存器 CPU 中央处理单元 IRQ 中断请求 CRC 循环冗余校验，即为一种错误校验协议 ITM 仪器化跟踪宏单元 DAC 数模转换器，另请参见 IDAC、 VDAC LCD 液晶显示器 DFB 数字滤波器模块 LIN 本地互联网络，即一种通信协议 DIO 数字输入 / 输出， GPIO 仅具有数字功能，无模 拟功能。请参见 GPIO。 LR 链接寄存器 LUT Dhrystone 每秒百万条指令 查询表 DMIPS LVD DMA 直接存储器访问，另请参见 TD 低电压检测，另请参见 LVI DNL 微分非线性，另请参见 INL DNU 请勿使用 DR 端口写入数据寄存器 DSI 数字系统互连 DWT 数据观察点 （watchpoint）和跟踪 （trace） ECC 纠错码 ECO 外部晶体振荡器 EEPROM 电可擦除可编程只读存储器 EMI 电磁干扰 EMIF 外部存储器接口 EOC 转换结束 EOF 帧结束 EPSR 执行程序状态寄存器 ESD 静电放电 ETM 嵌入式跟踪宏单元 FIR 有限脉冲响应，另请参见 IIR 文档编号：001-96604 版本 ** LVI 低电压中断，另请参见 HVI LVTTL 低压晶体管 — 晶体管逻辑 MAC 乘法累加器 MCU 微控制器单元 MISO 主入从出 NC 无连接 NMI 不可屏蔽的中断 NRZ 非归零 NVIC 嵌套矢量中断控制器 NVL 非易失性锁存器，另请参考 WOL opamp 运算放大器 PAL 可编程阵列逻辑，另请参见 PLD PC 程序计数器 PCB 印刷电路板 PGA 可编程增益放大器 PHUB 外设集线器 PHY 物理层 页 35/39 PSoC® 4: PSoC 4100M 系列 数据手册 初版 表 43. 本文档中使用的缩略语 （续） 缩略语 表 43. 本文档中使用的缩略语 （续） 说明 缩略语 说明 端口中断控制单元 TX 发送 可编程逻辑阵列 UART 通用异步发射器接收器，即为一种通信协议 PLD 可编程逻辑器件，另请参见 PAL UDB 通用数字模块 PLL 锁相环 USB 通用串行总线 PMDD 封装材料声明数据手册 USBIO POR 加电复位 USB 输入 / 输出，用于连接至 USB 端口的 PSoC 引脚 PRES 精密上电复位 PICU PLA PRS 伪随机序列 PS 端口读取数据寄存器 PSoC® 可编程片上系统 PSRR 电源抑制比 PWM 脉冲宽度调制器 RAM 随机存取存储器 RISC 精简指令集计算 RMS 均方根 RTC 实时时钟 RTL 寄存器转换语言 RTR 远程传输请求 RX 接收 SAR 逐次逼近寄存器 SC/CT 开关电容 / 连续时间 SCL I2C 串行时钟 SDA I2C 串行数据 S/H 采样和保持 SINAD 信噪比和失真比 SIO 特别输入 / 输出，具有高级功能的通用 I/O。请 参见 GPIO。 SOC 开始转换 SOF 帧起始 SPI 串行外设接口，即为一种通信协议 SR 转换速率 SRAM 静态随机存取存储器 SRES 软件复位 SWD 串行线调试，即为一种测试协议 SWV 单线查看器 TD 传输描述符，另请参见 DMA THD 总谐波失真 TIA 互阻放大器 TRM 技术参考手册 TTL 晶体管 — 晶体管逻辑 文档编号：001-96604 版本 ** VDAC 电压数模转换器，另请参见 DAC、 IDAC WDT 看门狗定时器 WOL 一次性写锁存器，另请参见 NVL WRES 看门狗定时器复位 XRES 外部复位 I/O 引脚 XTAL 晶体 页 36/39 初版 PSoC® 4: PSoC 4100M 系列 数据手册 文档规范 测量单位 表 44. 测量单位 符号 测量单位 °C 摄氏度 dB 分贝 fF 飞法 Hz 赫兹 KB 1024 个字节 kbps 每秒千位数 Khr 千小时 kHz 千赫兹 k 千欧 ksps 每秒千次采样 LSB 最低有效位 Mbps 兆位 / 秒 MHz 兆赫 M 兆欧姆 Msps 每秒兆次采样 µA 微安 µF 微法 µH 微亨 µs 微秒 µV 微伏 µW 微瓦 mA 毫安 ms 毫秒 mV 毫伏 nA 纳安 ns 纳秒 nV 纳伏 欧姆 pF 皮法 ppm 百万分率 ps 皮秒 s 秒 sps 每秒样本数 sqrtHz 赫兹平方根 V 伏特 文档编号：001-96604 版本 ** 页 37/39 初版 PSoC® 4: PSoC 4100M 系列 数据手册 修订记录 说明标题：PSoC® 4: PSoC 4100M 系列 数据手册可编程片上系统 （PSoC®） 文档编号：001-96604 ECN 版本 变更者 提交日期 变更说明 ** 4673769 ROWA 02/28/2015 本文档版本号为 Rev**，译自英文版 001-96519 Rev**。 文档编号：001-96604 版本 ** 页 38/39 PSoC® 4: PSoC 4100M 系列 数据手册 初版 销售、解决方案和法律信息 全球销售和设计支持 赛普拉斯公司拥有一个由办事处、解决方案中心、厂商代表和经销商组成的全球性网络。要找到离您最近的办事处，请访问赛普拉斯 所在地。 PSoC® 解决方案 产品 汽车级产品 cypress.com/go/automotive 时钟与缓冲器 cypress.com/go/clocks 接口 照明与电源控制 cypress.com/go/interface cypress.com/go/powerpsoc 存储器 PSoC 触摸感应产品 USB 控制器 无线 / 射频 cypress.com/go/memory cypress.com/go/psoc cypress.com/go/touch psoc.cypress.com/solutions PSoC 1 | PSoC 3 | PSoC 4 | PSoC 5LP 赛普拉斯开发者社区 社区 | 论坛 | 博客 | 视频 | 训练 技术支持 cypress.com/go/support cypress.com/go/USB cypress.com/go/wireless © 赛普拉斯半导体公司， 2015。此处所包含的信息可能会随时更改，恕不另行通知。除赛普拉斯产品内嵌的电路外，赛普拉斯半导体公司不对任何其他电路的使用承担任何责任。也不根据专利或其他 权利以明示或暗示的方式授予任何许可。除非与赛普拉斯签订明确的书面协议，否则赛普拉斯不保证产品能够用于或适用于医疗、生命支持、救生、关键控制或安全应用领域。此外，对于可能发生运 转异常和故障并对用户造成严重伤害的生命支持系统，赛普拉斯不授权将其产品用作此类系统的关键组件。若将赛普拉斯产品用于生命支持系统中，则表示制造商将承担因此类使用而招致的所有风险， 并确保赛普拉斯免于因此而受到任何指控。 所有源代码 （软件和 / 或固件）均归赛普拉斯半导体公司 （赛普拉斯）所有，并受全球专利法规 （美国和美国以外的专利法规）、美国版权法以及国际条约规定的保护和约束。赛普拉斯据此向获许可 者授予适用于个人的、非独占性、不可转让的许可，用以复制、使用、修改、创建赛普拉斯源代码的派生作品、编译赛普拉斯源代码和派生作品，并且其目的只能是创建自定义软件和 / 或固件，以支 持获许可者仅将其获得的产品依照适用协议规定的方式与赛普拉斯 集成电路配合使用。除上述指定的用途外，未经赛普拉斯明确的书面许可，不得对此类源代码进行任何复制、修改、转换、编译或演 示。 免责声明：赛普拉斯不针对此材料提供任何类型的明示或暗示保证，包括 （但不限于）针对特定用途的适销性和适用性的暗示保证。赛普拉斯保留在不做出通知的情况下对此处所述材料进行更改的权 利。赛普拉斯不对此处所述之任何产品或电路的应用或使用承担任何责任。对于合理预计可能发生运转异常和故障，并对用户造成严重伤害的生命支持系统，赛普拉斯不授权将其产品用作此类系统的 关键组件。若将赛普拉斯产品用于生命支持系统中，则表示制造商将承担因此类使用而招致的所有风险，并确保赛普拉斯免于因此而受到任何指控。 产品使用可能适用于赛普拉斯软件许可协议的限制。 文档编号：001-96604 版本 ** 本文件中介绍的所有产品和公司名称均为其各自所有者的商标。 修订日期 February 28, 2015 页 39/39