CY14V256LA 256-Kbit (32 K x 8) nvSRAM Datasheet (Japanese).pdf

CY14V256LA
256K ビ ッ ト (32K × 8) nvSRAM
256K ビ ッ ト (32K × 8) nvSRAM
特長
機能の詳細
■
ア ク セス時間 : 35ns
■
32K × 8 の内部構成
■
小容量 コ ンデンサのみを使用 し た電源切断時のハン ド オ フ 自
動 STORE
■
QuantumTrap 不揮発性要素への STORE 処理は ソ フ ト ウ ェ
ア、デバイ ス ピ ン、または電源切断時の AutoStore によ り 開始
■
SRAMへのRECALL 処理は ソ フ ト ウ ェ ア または電源投入によ
り 開始
■
回数に制限のない読み出 し 、 書き込み、 RECALL サイ ク ル
■
QuantumTrap に対する 100 万回の STORE サイ クル
■
20 年のデー タ 保持期間
サイ プ レ スの CY14V256LA は、 メ モ リ セルご と に不揮発性要
素を組み込んだ高速ス タ テ ィ ッ ク RAM です。こ の メ モ リ は 32K
バイ ト x8 ビ ッ ト で構成 さ れています。 組み込み型不揮発性素
子には、 世界最高級の信頼性を備えた不揮発性 メ モ リ を実現す
る QuantumTrap 技術を採用 し ています。 回数に制限のない読
み出 し と 書き込みを SRAM で可能にする一方、不揮発性デー タ
を 不 揮 発 性 素 子 に 独 立 し て 保 持 で き る よ う に し て い ま す。
SRAM から 不揮発性要素へのデー タ 転送 (STORE 処理 ) は、電
源切断時に自動的に実行 さ れます。 電源投入時には、 不揮発性
メ モ リ から SRAM にデー タ が復元 さ れます (RECALL 処理 )。
STORE と RECALL 両方の処理はソ フ ト ウ ェ ア制御下で も 実行
する こ と がで き ます。
すべての関連資料の一覧については、 こ こ を ク リ ッ ク し て く だ
さ い。
■
コ ア VCC = 3.0V ～ 3.6V ； I/O VCCQ = 1.65V ～ 1.95V
■
産業用温度範囲
■
48 ボール フ ァ イ ン ピ ッ チ ボール グ リ ッ ド ア レ イ (FBGA)
パ ッ ケージ
■
鉛フ リ ーおよび特定有害物質使用制限 (RoHS) に準拠
論理ブ
ロッ
ク図 Diagram
Logic
Block
VCC VCCQ VCAP
Quantum Trap
512 X 512
A5
DQ 4
DQ 5
DQ 6
RECALL
STORE/
RECALL
CONTROL
HSB
A14 - A 2
COLUMN I/O
INPUT BUFFERS
DQ 2
DQ 3
STATIC RAM
ARRAY
512 X 512
SOFTWARE
DETECT
DQ 0
DQ 1
POWER
CONTROL
STORE
ROW DECODER
A6
A7
A8
A9
A 11
A 12
A 13
A 14
COLUMN DEC
A 0 A 1 A 2 A 3 A 4 A 10
DQ 7
OE
CE
WE
Cypress Semiconductor Corporation
文書番号 : 001-95864 Rev. **
•
198 Champion Court
•
San Jose, CA 95134-1709
•
408-943-2600
改訂日 2015 年 4 月 13 日
CY14V256LA
目次
ピ ン配置 ............................................................................. 3
ピ ンの定義 .......................................................................... 3
デバイ スの動作 .................................................................. 4
SRAM 読み出 し ........................................................... 4
SRAM 書き込み ........................................................... 4
AutoStore 処理 ............................................................ 4
ハー ド ウ ェ ア STORE 処理 ......................................... 4
ハー ド ウ ェ ア RECALL ( 電源投入 ) ............................ 5
ソ フ ト ウ ェ ア STORE ................................................. 5
ソ フ ト ウ ェ ア RECALL ................................................ 5
AutoStore の防止 ......................................................... 6
デー タ 保護 .................................................................. 6
最大定格 ............................................................................. 7
動作範囲 ............................................................................. 7
DC 電気的特性 ................................................................... 7
デー タ 保持期間お よびア ク セス可能回数 ........................... 8
静電容量 ............................................................................. 8
熱抵抗 ................................................................................. 8
AC テ ス ト 負荷 ................................................................... 9
AC テス ト 条件 ................................................................... 9
AC ス イ ッ チ ン グ特性 ....................................................... 10
SRAM 読み出 し サイ ク ル .......................................... 10
SRAM 書き込みサイ ク ル .......................................... 10
文書番号 : 001-95864 Rev. **
ス イ ッ チ ング波形 ............................................................. 11
AutoStore ／電源投入 RECALL ...................................... 13
ス イ ッ チ ング波形 ............................................................. 14
ソ フ ト ウ ェ ア制御 STORE/RECALL サイ ク ル ................. 15
ス イ ッ チ ング波形 ............................................................. 15
ハー ド ウ ェ ア STORE サイ ク ル ....................................... 16
ス イ ッ チ ング波形 ............................................................. 16
SRAM 真理値表 ................................................................ 17
注文情報 ........................................................................... 18
注文コ ー ド の定義 ...................................................... 18
パ ッ ケージ図 .................................................................... 19
略語 .................................................................................. 20
本書の表記法 .................................................................... 20
測定単位 .................................................................... 20
変更履歴 ........................................................................... 21
セールス、 ソ リ ュ ーシ ョ ンおよび法律情報 ..................... 22
ワール ド ワ イ ド な販売 と 設計サポー ト ..................... 22
製品 ........................................................................... 22
PSoC ソ リ ュ ーシ ョ ン ............................................... 22
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CY14V256LA
ピ ン配置
図 1. 48 ボール FBGA (6 × 10 × 1.2mm) のピ ン配置
(×8)
上面図
( 正確な縮尺ではない )
2
3
4
5
6
NC
OE
A0
A1
A2
VCC
A
NC
NC
A3
A4
CE
NC
B
DQ0
VCC
A5
A6
NC
DQ4
C
VSS
DQ1
NC
A7
DQ5 VCCQ
1
VCAP VSS
D
DQ6
VSS
E
VSS
NC
DQ7
F
A12
A13
WE
NC
G
A9
A10
A11
NC
H
VCCQ
DQ2
DQ3
NC
A14
NC
HSB
NC
A8
ピ ンの定義
ピ ン名
I/O タ イ プ
A0 ～ A14
入力
DQ0 ～ DQ7
説明
ア ド レ ス入力 : nvSRAM の 32,768 バイ ト から 1 つ を選択するのに使用。
入力／出力 双方向デー タ I/O ラ イ ン。 動作に応 じ て入力または出力ラ イ ン と し て使用
WE
入力
書き込みイ ネーブル入力、 ア ク テ ィ ブ LOW。 チ ッ プが有効である時、 WE が LOW にな る と 、 I/O ピ ン
のデー タ が特定のア ド レ ス位置に書き込まれる
CE
入力
チ ッ プ イ ネーブル入力、 ア ク テ ィ ブ LOW。 LOW の場合は、 チ ッ プ を選択する。 HIGH の場合は、
チ ッ プの選択を解除
OE
入力
出力イ ネーブル、 ア ク テ ィ ブ LOW。 ア ク テ ィ ブ LOW OE 入力は、 読み出 し サイ クル中にデー タ 出力
バ ッ フ ァ を有効にする。 OE HIGH がデアサー ト の時、 I/O ピ ンは ト ラ イ ス テー ト
VSS
グラ ン ド
デバイ ス用のグ ラ ン ド 。 シ ス テムのグ ラ ン ド に接続する必要がある
VCC
電源供給
デバイ ス コ アの電源入力
電源供給
デバイ スの入出力用の電源入力
VCCQ
HSB
入力／出力 ハー ド ウ ェ ア STORE ビ ジー (HSB)。 こ の出力は LOW である時にハー ド ウ ェ ア STORE が進行中で
ある こ と を示す。 外部で LOW にする場合、 不揮発性 STORE 処理を開始する。 ハー ド ウ ェ アおよび
ソ フ ト ウ ェ ア STORE 処理の後、 HSB は HIGH 出力標準電流で短時間 (tHHHD) HIGH 駆動 さ れ、 その
後内部プルア ッ プ抵抗で HIGH 状態を継続 ( 外部プルア ッ プ抵抗接続はオプ シ ョ ン )。
VCAP
電源供給
NC
未接続
AutoStore コ ンデンサ。 SRAM から不揮発性素子にデー タ を格納する ため、 電力損失時に nvSRAM へ
電源を供給
未接続。 こ のピ ンはダ イ に接続 さ れていない。
文書番号 : 001-95864 Rev. **
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CY14V256LA
CY14V256LAnvSRAM は、同 じ 物理セル内で対にな っ た 2 個の
機能 コ ンポーネ ン ト で構成 さ れています。それら は SRAM メ モ
リ セルおよび不揮発性 QuantumTrap セルです。 SRAM メ モ リ
セルは標準の高速ス タ テ ィ ッ ク RAM と し て動作 し ます。SRAM
内のデー タ は不揮発性セルに転送 さ れる (STORE 処理 )、 また
は不揮発性セルか ら SRAM に転送 さ れます (RECALL 処理 )。こ
の独特のアーキテ ク チ ャ を使 っ て、 全てのセルは並行 し てス ト
ア さ れ リ コ ール さ れま す。 STORE 処理 と RECALL 処理中、
SRAM
の 読 み 出 し と 書 き 込 み 処 理 は 禁 止 さ れ て い ま す。
CY14V256LA は一般的な SRAM と 同様に、 回数無制限の読み
出 し と 書き込みに対応 し ています。 さ ら に、 不揮発性セルから
回数無制限の RECALL 処理および最大 100 万回ま での STORE
処理が可能です。 読み出 し モー ド と 書き込みモー ド の詳細につ
いては、 17 ページの SRAM 真理値表 を参照 し て く だ さ い。
SRAM 読み出 し
CY14V256LA は、 CE と OE が LOW、 WE と HSB が HIGH の
場合、 読み出 し サイ クルを実行 し ます。 ピ ン A0 ～ 14 で指定 さ
れたア ド レ スは、 32,768 デー タ バイ ト の内、 どれにア ク セス
するかを決定 し ます。 ア ド レ ス遷移によ っ て読み出 し が開始 さ
れた場合、 出力は tAA ( 読み出 し サイ クル 1) の遅延後に有効に
な り ます。 CE または OE によ っ て読み出 し が開始 さ れた場合、
出力は tACE と tDOE のど ち らか遅い方 ( 読み出 し サイ ク ル 2) の
終了時点で有効にな り ます。 デー タ 出力は、 任意の制御入力ピ
ン での変化を必要 と し ないで tAA ア ク セス時間内に、 繰 り 返 し
ア ド レ ス変更に応答 し ます。 これは、 別のア ド レ ス変更が発生
するか、 または CE か OE が HIGH にな るか、 あるいは WE か
HSB が LOW にな る ま で有効な状態が続き ます。
SRAM 書き込み
書き込みサイ クルは、 CE と WE が LOW、 HSB が HIGH の時
に実行 さ れます。 ア ド レ ス入力が安定な状態にな っ てから 書き
込みサイ クルに入 ら なければいけません。 また、 サイ ク ルの終
わ り に CE か WE が HIGH にな る ま で安定な状態を保つ必要が
あ り ます。 WE で制御する書き込み終了前に、 または CE で制
御する書き込み終了前にデー タ が tSD の間有効であれば、 共通
I/O ピ ン である DQ0 ～ 7 のデー タ は メ モ リ に書き込まれます。
共通 I/O ラ イ ン でのデー タ バスの競合を避ける ために、 書き込
みサイ クル中は終始 OE を HIGH に維持 し て く だ さ い。 OE が
LOW のま ま である と 、 WE が LOW にな っ た後に内部回路は
tHZWE の間出力バ ッ フ ァ を停止 し ます。
STORE処理を完了する ための電荷が足 り ないま ま AutoStore処
理を実行 し よ う と し ます。 これによ り 、 nvSRAM 内に格納 さ れ
たデー タ が破損 さ れます。
図 2 は、AutoStore 処理向けのス ト レージ コ ンデンサ (VCAP) の
適切な接続方法を示 し ます。 VCAP の容量については、 7 ページ
の DC 電気的特性を参照 し て く だ さ い。VCAP ピ ンの電圧は、内
蔵レギ ュ レー タ によ っ て VCC に送ら れます。電源投入時にア ク
テ ィ ブにな ら ないよ う にする ために、 WE を プルア ッ プ抵抗に
接続 し ます。 このプルア ッ プ抵抗は、 電源投入時に WE 信号が
ト ラ イ ス テー ト 状態にあ る場合にのみ有効です。 多 く の MPU
が電源投入時に それ ら の制御 を ト ラ イ ス テ ー ト し ま す。 プ ル
ア ッ プ抵抗を使用する場合には確認 し て く だ さ い。 nvSRAM が
電源投入時の RECALL から復帰する時、 MPU がア ク テ ィ ブ で
あるか、 MPU の リ セ ッ ト が終了する ま で WE を ア ク テ ィ ブ で
ない状態に保つ必要があ り ます。
不要な不揮発性のス ト ア を避け る ために、 一番最後の STORE
または RECALL サイ クルが実行 さ れてから少な く と も 1 回の書
き込み処理が行われない場合は、 AutoStore およびハー ド ウ ェ
ア STORE 処理が無視 さ れます。 ソ フ ト ウ ェ アによ り 起動 さ れ
た STORE サイ ク ルは、 書き込み処理が行われたかど う かに関
係な く 実行 さ れます。 HSB 信号は、 AutoStore サイ ク ルが処理
中かど う かを検出する ためにシ ス テムによ っ て監視 さ れていま
す。
図 2. AutoStore モー ド
VCCQ
VCC
0.1 uF
0.1 uF
10 kOhm
デバイ スの動作
VCCQ
VCC
WE
VCAP
VCAP
VSS
AutoStore 処理
CY14V256LA は、次の 3 つの STORE 動作のいずれかを使っ て
nvSRAM にデー タ を格納 し ます : HSB によ っ て有効に さ れた
ハー ド ウ ェ ア STORE ； ア ド レ スのシーケ ン スによ っ て有効に
さ れた ソ フ ト ウ ェ ア
STORE ； デ バ イ ス の 電 源切断時の
AutoStore。 AutoStore 処理は QuantumTrap 技術固有の機能で
あ り 、 CY14V256LA の初期設定では有効にな っ ています。
通常動作中、 デバ イ スは、 VCAP ピ ン に接続 さ れた コ ン デンサ
を充電するのに VCC か ら電流を引き込みます。充電 さ れた電荷
はチ ッ プが一回 STORE 処理を実行するのに使用 さ れます。VCC
ピ ンの電圧が VSWITCH を下回る と 、デバイ スは VCC と VCAP ピ
ンの接続を自動的に切 り ます。 STORE 処理は、 VCAP コ ンデン
サから供給 さ れる電力で起動 さ れます。
注 : コ ンデンサが VCAP ピ ンに接続 さ れていない場合、 6 ページ
の AutoStore の防止に指定 し た ソ フ ト シ ー ケ ン ス を 使 っ て
AutoStore を無効にする必要があ り ます。 VCAP ピ ンに接続 し た
コ ンデンサな し で AutoStore が有効に さ れる場合、 デバイ スは
文書番号 : 001-95864 Rev. **
ハー ド ウ ェ ア STORE 処理
CY14V256LA には、STORE 処理を制御 し 応答する ための HSB
ピ ンがあ り ます。 HSB ピ ンは、 ハー ド ウ ェ ア STORE サイ ク ル
の要求に使用 し て く だ さ い。HSB ピ ンが LOW に駆動 さ れる と 、
CY14V256LA は tDELAY 後に条件に従っ て STORE 処理を開始
し ます。 実際の STORE サイ ク ルは、 最後の STORE ま たは
RECALL サイ ク ル以降、SRAM への書き込みが実行 さ れた場合
にのみ開始 し ます。 HSB ピ ンは、 STORE 処理 ( 任意の手段で
開始 ) 中にはビ ジー状態を示すために内部で LOW に駆動 さ れ
る オープ ン ド レ イ ン ド ラ イバ ( チ ッ プ内部に 100k の弱いプ
ルア ッ プ抵抗 ) と し て も 動作 し ます。
注 : ハー ド ウ ェ アおよび ソ フ ト ウ ェ ア STORE 処理の後、 HSB
は標準出力 HIGH 電流で短時間 (tHHHD) HIGH に駆動 さ れ、 そ
の後 100k の内部プルア ッ プ抵抗によ り HIGH 状態を継続 し ま
す。
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CY14V256LA
SRAM 書き込み処理は HSB が LOW に さ れた時に実行中であれ
ば、 STORE 処理が開始 さ れる前に tDELAY 以内に終了 し ます。
し か し 、HSB が LOW にな っ た後に要求 さ れた SRAM 書き込み
サイ クルは、 HSB が HIGH に戻る ま で禁止 さ れます。 書き込み
ラ ッ チがセ ッ ト さ れていない場合、HSB は CY14V256LA によ っ
て LOW に駆動 さ れません。 し か し すべての SRAM 読み出 し と
書き込みサイ クルは、 MPU または他の外部 ソ ースによ り HSB
が HIGH に戻る ま で禁止 さ れます。
STORE処理中には、開始 さ れた方法にかかわらず、CY14V256LA
は HSB ピ ン を LOW に駆動 し 続け、STORE 処理が完了 し た時に
のみ解除 し ます。 STORE 処理が完了する と 、 HSB ピ ンが HIGH
状態に戻っ た後に nvSRAM メ モ リ ア ク セスは tLZHSB 間禁止 さ れ
ます。 HSB ピ ンは使用 し ない場合、 開放に し て く だ さ い。
ハー ド ウ ェ ア RECALL ( 電源投入 )
電源投入時または低電圧状態 (VCC< VSWITCH) の後は、 内部の
RECALL 要求がラ ッ チ さ れます。 VCC が再度 VSWITCH の検知
電圧を超えた場合、 RECALL サイ ク ルが自動的に開始 さ れ、 完
了するのに tHRECALL を要 し ます。 こ の間、 HSB は HSB ド ラ イ
バーによ っ て LOW に駆動 さ れます。
ソ フ ト ウ ェ ア STORE
デー タ は、 ソ フ ト ウ ェ ア ア ド レ ス シーケ ン スによ っ て SRAM
か ら 不揮発性 メ モ リ に転送 さ れま す。 CY14V256LA の ソ フ ト
ウ ェ ア STORE サイ ク ルは、 CE または OE に制御 さ れた読み
出 し 処理を、 6 つの特定のア ド レ スか ら正 し い順番で実行する
こ と によ り 開始 さ れます。 STORE サイ ク ルの間、 まず前の不
揮発性デー タ が消去 さ れてか ら、 不揮発性素子がプ ログ ラ ム さ
れます。 STORE サイ ク ルが開始 さ れる と 、 それ以降の入出力
は STORE サイ ク ルが完了する ま で無効にな り ます。
特定のア ド レ スか らの READ のシーケ ン スが STORE の開始に
使われる ため、 シーケ ン ス内で他の読み書き ア ク セスが干渉 し
ない こ と が重要です。 そ う し ない と 、 シーケ ン スがアボー ト さ
れ、 STORE や RECALL が実行 さ れません。
ソ フ ト ウ ェ ア STORE サイ クルを開始する ために、 次の読み出
し シーケ ン ス を実行 し て く だ さ い。
1.
2.
3.
4.
5.
6.
ア ド レ ス 0x0E38 の読み出 し 、 有効な READ
ア ド レ ス 0x31C7 の読み出 し 、 有効な READ
ア ド レ ス 0x83E0 の読み出 し 、 有効な READ
ア ド レ ス 0x3C1F の読み出 し 、 有効な READ
ア ド レ ス 0x303F の読み出 し 、 有効な READ
ア ド レ ス 0x0FC0 の読み出 し 、 STORE サイ クルの開始
ソ フ ト ウ ェ ア シーケ ン スは CE に制御 さ れた読み出 し または
OE に制御 さ れた読み出 し を伴い ク ロ ッ ク 供給 さ れ、すべての 6
つの READ シーケ ン スの間 WE を HIGH 状態に維持する こ と が
必要で す。 シ ーケ ン スの 6 番目のア ド レ スが入力 さ れた後、
STORE サイ ク ルが開始 さ れ、 チ ッ プが無効にな り ます。 HSB
は LOW に駆動 さ れます。 tSTORE サイ ク ル時間が完了 し た後、
SRAM は再度読み書き処理が有効にな り ます。
ソ フ ト ウ ェ ア RECALL
デー タ は、 ソ フ ト ウ ェ ア ア ド レ ス シーケ ン スに よ っ て不揮発
性 メ モ リ から SRAM に転送 さ れます。 ソ フ ト ウ ェ ア RECALL
サイ ク ルは、 ソ フ ト ウ ェ ア STORE の開始 と 同様の方法で読み
出 し 処理のシーケ ン スによ っ て開始 さ れます。 RECALL サイ ク
ルを開始する ためには、 以下の CE または OE に制御 さ れた読
み出 し 処理のシーケ ン ス を行っ て く だ さ い。
1. ア ド レ ス 0x0E38 の読み出 し 、 有効な READ
2. ア ド レ ス 0x31C7 の読み出 し 、 有効な READ
3. ア ド レ ス 0x83E0 の読み出 し 、 有効な READ
4. ア ド レ ス 0x3C1F の読み出 し 、 有効な READ
5. ア ド レ ス 0x303F の読み出 し 、 有効な READ
6. ア ド レ ス 0x0C63 の読み出 し 、 RECALL サイ クルの開始
内部的に、 RECALL は 2 段階の手順を踏みます。 まず、 SRAM
デー タ がク リ ア さ れます。 次に、 不揮発性情報が SRAM セルに
転送 さ れます。 tRECALL サイ クル時間が経過 し た後、 SRAM は
読み書きが可能な状態に戻 り ます。 RECALL 処理では、 不揮発
性要素内のデー タ が変更 さ れません。
表 1. モー ド 選択
CE
WE
OE
A14–A0[1]
モー ド
I/O
電源
H
X
X
X
未選択
出力 High Z
ス タ ンバイ
L
H
L
X
SRAM 読み出 し
出力デー タ
アクテ ィ ブ
L
L
X
X
SRAM 書き込み
入力デー タ
アクテ ィ ブ
L
H
L
0x0E38
0x31C7
0x03E0
0x3C1F
0x303F
0x0B45
SRAM 読み出 し
SRAM 読み出 し
SRAM 読み出 し
SRAM 読み出 し
SRAM 読み出 し
AutoStore デ ィ ス エーブル
出力デー タ
出力デー タ
出力デー タ
出力デー タ
出力デー タ
出力デー タ
ア ク テ ィ ブ [2]
注
1. CY14V256LA に 15 本のア ド レ ス線があ り ますが、 その内 13 本のア ド レ ス線 (A14 ～ A2) のみが ソ フ ト ウ ェ ア モー ド の制御に使われます。 残 り のア ド レ ス線は
「 ド ン ト ケア」 です。
2. 6 つの連続ア ド レ ス位置は指定 さ れた順番でなければな り ません。 WE は不揮発性サイ ク ルを可能にする ため、 すべての 6 つのサイ ク ル中は HIGH でなければ
な り ません。
文書番号 : 001-95864 Rev. **
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CY14V256LA
表 1. モー ド 選択 ( 続き )
A14–A0[1]
モー ド
I/O
電源
L
0x0E38
0x31C7
0x03E0
0x3C1F
0x303F
0x0B46
SRAM 読み出 し
SRAM 読み出 し
SRAM 読み出 し
SRAM 読み出 し
SRAM 読み出 し
AutoStore イ ネーブル
出力デー タ
出力デー タ
出力デー タ
出力デー タ
出力デー タ
出力デー タ
ア ク テ ィ ブ [3]
H
L
0x0E38
0x31C7
0x03E0
0x3C1F
0x303F
0x0FC0
SRAM 読み出 し
SRAM 読み出 し
SRAM 読み出 し
SRAM 読み出 し
SRAM 読み出 し
不揮発性 STORE
出力デー タ
出力デー タ
出力デー タ
出力デー タ
出力デー タ
出力 High Z
アクテ ィ ブ
ICC2[3]
H
L
0x0E38
0x31C7
0x03E0
0x3C1F
0x303F
0x0C63
SRAM 読み出 し
SRAM 読み出 し
SRAM 読み出 し
SRAM 読み出 し
SRAM 読み出 し
不揮発性 RECALL
出力デー タ
出力デー タ
出力デー タ
出力デー タ
出力デー タ
出力 High Z
ア ク テ ィ ブ [3]
CE
WE
OE
L
H
L
L
AutoStore の防止
AutoStore 機能は AutoStore デ ィ スエーブル シーケ ン ス を開始
する こ と で無効に さ れます。 読み出 し 処理のシーケ ン スは、 ソ
フ ト ウ ェ ア STORE の 開 始 と 同 様 の 方 法 で 実 行 さ れ ま す。
AutoStore デ ィ ス エーブル シーケ ン ス を開始する ために、CE に
制御 さ れた読み出 し 処理を以下の順番で実行 し て く だ さ い。
1. ア ド レ ス 0x0E38 の読み出 し 、 有効な READ
2. ア ド レ ス 0x31C7 の読み出 し 、 有効な READ
3. ア ド レ ス 0x03E0 の読み出 し 、 有効な READ
4. ア ド レ ス 0x3C1F の読み出 し 、 有効な READ
5. ア ド レ ス 0x303F の読み出 し 、 有効な READ
6. ア ド レ ス 0x8B45 の読み出 し 、 AutoStore を無効
AutoStore は、 AutoStore イ ネーブル シーケ ン ス を開始する こ
と によ っ て再度有効にな り ます。読み出 し 処理のシーケ ン スは、
ソ フ ト ウ ェ ア RECALL の開始 と 同様の方法で実行 さ れま す。
AutoStore イ ネーブル シーケ ン ス を開始する ために、 CE に制
御 さ れた読み出 し 処理を以下の順番で実行 し て く だ さ い。
1. ア ド レ ス 0x0E38 の読み出 し 、 有効な READ
2. ア ド レ ス 0x31C7 の読み出 し 、 有効な READ
3. ア ド レ ス 0x03E0 の読み出 し 、 有効な READ
4. ア ド レ ス 0x3C1F の読み出 し 、 有効な READ
5. ア ド レ ス 0x303F の読み出 し 、 有効な READ
6. ア ド レ ス 0x0B46 の読み出 し 、 AutoStore の有効化
AutoStore 機能が無効化ま たは再度有効化 さ れた場合、 手作業
によ る STORE 処理 ( ハー ド ウ ェ ア またはソ フ ト ウ ェ ア ) を発
行 し て、 その後の電源切断サイ ク ルの間、 AutoStore 状態を保
存する必要があ り ます。 工場出荷時 AutoStore は有効にな っ て
お り 、 全てのセルに 0x00 と 書き込まれています。
デー タ 保護
CY14V256LA は、 外部から実行 さ れた STORE および書き込み
処理をすべて禁止する こ と で、 低電圧状態の間に破損から デー
タ を保護 し ます。 低電圧状態は、 VCC < VSWITCH の場合に検知
さ れます。 電源投入時に CY14V256LA が書き込みモー ド にあ
る (CE と WE の両方が LOW) 場合、RECALL または STORE の
後、tLZHSB (HSB から出力有効ま での時間 ) が経過する と SRAM
が有効にな る ま で書き込みは禁止 さ れます。VCCQ < VIODIS、 I/O
が無効の場合 (STORE が実行 さ れません )。 こ れは VCCQ 電源
の電圧低下状態の間に不注意によ る書き込みを保護 し ます。
注
3. 6 つの連続ア ド レ ス位置は指定 さ れた順番でなければな り ません。 WE は不揮発性サイ ク ルを可能にする ため、 全ての 6 つのサイ ク ル中は HIGH で なければな り
ません。
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最大定格
入力電圧 ............................................... –0.5V ～ VCCQ+0.5V
最大定格を超え る と デバイ スの寿命が短 く な る可能性があ り ま
す。 これ らのユーザー ガ イ ド ラ イ ンはテス ト さ れていません。
任意のピ ンから グ ラ ン ド 電位への
過渡電圧 (20ns 以下 ) ............................. –2.0V ～ CCQ+2.0V
保存温度 .................................................... –65°C ～ +150°C
最大累積保存時間 :
周囲温度 150°C .......................................... 1000 時間
パ ッ ケージ許容電力損失 (TA=25 ℃ ) ............................ 1.0W
表面実装のハン ダ付け温度 (3 秒 ) ............................ +260°C
DC 出力電流 ( 一度に 1 出力、 1 秒間 ) ....................... 15mA
周囲温度 85°C .................................................... 20 年
静電放電時の電圧
(MIL-STD-883、 メ ソ ッ ド 3015 によ る ) ................ > 2001V
最大接合部温度 ........................................................... 150°C
ラ ッ チア ッ プ電流................................................... > 140mA
VSS を基準 と し た VCC の電源電圧 ................. –0.5V ～ 4.1V
動作範囲
VSS を基準 と し た VCCQ の電源電圧 ............ –0.5V ～ 2.45V
範囲
産業用
High-Z 状態の出力に印加 さ れる電圧
周囲温度
VCC
–40°C ～ +85°C
VCCQ
3.0V ～ 3.6V 1.65V ～ 1.95V
.............................................................. -0.5V ～ VCCQ+ 0.5V
DC 電気的特性
動作範囲において
パラ メ ー タ ー
VCC
電源電圧
VCCQ
ICC1
説明
平均 VCC 電流
Min
Typ[4]
Max
3.0
3.3
3.6
単位
V
1.65
1.8
1.95
V
tRC = 35ns
出力負荷な し で得られた値
(IOUT = 0mA)
–
–
60
mA
–
–
20
mA
すべての入力は 「 ド ン ト ケア」、
VCC = Max
tSTORE 期間の平均電流
–
–
10
mA
–
35
–
mA
–
5
–
mA
テ ス ト 条件
ICCQ1
平均 VCCQ 電流
ICC2
STORE 中の平均 VCC 電流
ICC3
全ての入力は CMOS レ ベルで動作。
tRC = 200ns 時の平均 VCC 電流、 出力負荷な し で得られた値
(IOUT = 0mA)
VCC(Typ)、 25°C
ICCQ3
tRC= 200ns 時の平均 VCCQ 電
流、 VCCQ(Typ)、 25°C
ICC4
AutoStore サイ ク ル中の平均
VCAP 電流
すべての入力は 「 ド ン ト ケア」。
tSTORE 期間の平均電流
–
–
8
mA
ISB
VCC ス タ ンバイ電流
CE > (VCCQ – 0.2V)。
VIN < 0.2V または > (VCCQ – 0.2V)。
不揮発性のサイ クルが完了 し た後のス
タ ンバイ電流レ ベル。
入力はス タ テ ィ ッ ク。 f = 0MHz
–
–
8
mA
IIX[5]
入力 リ ー ク電流 (HSB 以外 )
VCCQ = Max、 VSS < VIN < VCCQ
–1
–
+1
µA
入力 リ ー ク電流 (HSB)
VCCQ = Max、 VSS < VIN < VCCQ
–100
–
+1
µA
注
4. 標準値は 25 ℃、 VCC = VCC(Typ)、 および VCC Q = VCCQ(Typ) での も のです。 100% のテ ス ト は行われていません。
5. VOH が 1.07V の時、 ア ク テ ィ ブ HIGH と LOW 両方の ド ラ イバーが無効にな る と 、 HSB ピ ンの IOUT が –4µA と な り ます。 それ ら の ド ラ イバーが有効にな っ てい
る時、 標準の VOH と VOL が有効にな り ます。 こ のパ ラ メ ー タ ーは特性付け さ れていますが、 テ ス ト さ れていません。
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DC 電気的特性 ( 続き )
動作範囲において
パラ メ ー タ ー
説明
テ ス ト 条件
Min
Typ[4]
Max
–1
–
+1
0.7 ×
VCCQ
–
VCCQ +
0.3
V
– 0.3
–
0.3 ×
VCCQ
V
単位
µA
IOZ
オ フ状態の出力 リ ー ク電流
VCCQ = Max、 VSS < VOUT < VCCQ、
VIH
入力 HIGH 電圧
CE または OE > VIH あるいは WE < VIL
–
VIL
入力 LOW 電圧
–
VOH
出力 HIGH 電圧
IOUT = –1mA
VCCQ –
0.45
–
–
V
VOL
出力 LOW 電圧
IOUT = 2mA
–
–
0.45
V
ス ト レージ コ ンデンサ
VCAP ピ ン と VSS ピ ン間、 5V 定格
VCC = Max
61
68
180
µF
–
–
VCC
V
Min
単位
20
1,000
年
K
Max
単位
7
pF
VCAP[6]
VVCAP[7、 8]
デバイ スで VCAP ピ ン上に駆動
さ れた最大電圧
デー タ 保持期間およびア ク セス可能回数
パラ メ ー タ ー
DATAR
デー タ 保持期間
NVC
不揮発性 STORE 処理回数
説明
静電容量
説明
パラ メ ー タ ー [8]
CIN
入力容量 (HSB 以外 )
COUT
テ ス ト 条件
TA = 25°C、 f = 1MHz、 VCC = VCC(Typ)、 VCCQ = VCCQ(Typ)
入力容量 (HSB)
8
pF
出力容量 (HSB を除 く )
7
pF
出力容量 (HSB)
8
pF
熱抵抗
パラ メ ー タ ー [8]
JA
JC
説明
熱抵抗
( 接合部から 周囲 )
熱抵抗
( 接合部か ら ケース )
テ ス ト 条件
48 ボール FBGA
単位
テ ス ト 条件は、 EIA/JESD51 によ る、 熱イ ン ピーダ ン ス
を測定する ための標準的な テ ス ト 方法 と 手順に従 う
48.19
°C/W
6.5
°C/W
注
6. VCAP 最小値は、 AutoStore 処理を完了するのに十分な電荷があ る こ と を保証する も のです。 VCAP 最大値は、 即時の電源切断が発生 し て も AutoStore 処理が正常
に完了する よ う に電源投入 RECALL サイ ク ルの間に VCAP の コ ンデンサが必要な最小電圧ま で充電 さ れる こ と を保証する も のです。 し たが っ て、 指定 し た最小値
と 最大値の範囲内の コ ンデンサを使用する こ と を常にお勧め し ます。 VCAP オ プ シ ョ ンの詳細については、 ア プ リ ケーシ ョ ン ノ ー ト AN43593 を参照 し て く だ さ
い。
7. VCAP ピ ン (VVCAP) の最大電圧は、 VCAP コ ンデンサを選択する際に指針 と し て提供 さ れています。 動作温度範囲内においての VCAP コ ンデンサの定格電圧は、
VVCAP 電圧よ り 高 く なければな り ません。
8. こ れ ら のパ ラ メ ー タ ーは設計保証 さ れますが、 テ ス ト さ れていません。
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AC テ ス ト 負荷
図 3. AC テ ス ト 負荷
450
1.8V
450
1.8V
R1
R1
ト ラ イ ス テー ト 仕様
の場合
出力
出力
30pF
R2
450
5pF
R2
450
AC テ ス ト 条件
入力パルス レ ベル................................................ 0V ～ 1.8V
入力の立ち上が り ／立ち下が り 時間 (10% ～ 90%).. < 1.8ns
入力 と 出力の タ イ ミ ング参照レ ベル .............................. 0.9V
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AC ス イ ッ チ ング特性
動作範囲において
パラ メ ー タ ー [9]
サイ プ レ ス の
パラ メ ー タ ー
35ns
説明
他社の
パラ メ ー タ ー
SRAM 読み出 し サイ クル
tACS
tACE
Min
Max
単位
チ ッ プ イ ネーブル ア ク セス時間
–
35
ns
tRC[10]
tAA[11]
tRC
読み出 し サイ ク ル時間
35
–
ns
tAA
ア ド レ ス ア ク セス時間
–
35
ns
tDOE
tOE
出力イ ネーブルから デー タ 有効ま での時間
–
15
ns
tOHA[11]
tOH
ア ド レ ス変更後の出力ホール ド 時間
3
–
ns
tLZCE[12、 13]
tLZ
チ ッ プ イ ネーブルから出力ア ク テ ィ ブ ま での時間
3
–
ns
tHZCE[12、 13]
tHZ
チ ッ プ デ ィ ス エーブルから出力非ア ク テ ィ ブ ま での時間
–
13
ns
tLZOE[12、 13]
tOLZ
出力イ ネーブルから 出力ア ク テ ィ ブ ま での時間
0
–
ns
tHZOE[12、 13]
tOHZ
出力デ ィ スエーブルから 出力非ア ク テ ィ ブ ま での時間
–
13
ns
tPU[12]
tPA
チ ッ プ イ ネーブルから電源ア ク テ ィ ブ ま での時間
0
–
ns
tPD[12]
tPS
チ ッ プ デ ィ ス エーブルから電源ス タ ンバイ ま での時間
–
35
ns
SRAM 書き込みサイ クル
tWC
tWC
書き込みサイ ク ル時間
35
–
ns
tPWE
tWP
書き込みパルス幅
25
–
ns
tSCE
tCW
チ ッ プ イ ネーブルから書き込み終了ま での時間
25
–
ns
tSD
tDW
デー タ セ ッ ト ア ッ プから書き込み終了ま での時間
12
–
ns
tHD
tDH
書き込み終了後のデー タ ホール ド 時間
0
–
ns
tAW
tAW
ア ド レ ス セ ッ ト ア ッ プから書き込み終了ま での時間
25
–
ns
tSA
tAS
ア ド レ ス セ ッ ト ア ッ プから書き込み開始ま での時間
0
–
ns
tHA
tWR
書き込み終了後のア ド レ ス ホール ド 時間
0
–
ns
tHZWE[12、 13、 14]
tLZWE[12、 13]
tWZ
書き込みイ ネーブルから 出力デ ィ スエーブルま での時間
–
13
ns
tOW
書き込み終了後の出力ア ク テ ィ ブ時間
3
–
ns
注
9. テ ス ト 条件は、 信号遷移時間が 1.8ns 以下、 タ イ ミ ン グ リ フ ァ レ ン ス レ ベルが VCCQ/2、 入力パルス レ ベルが 0 ～ VCC Q(typ)、 指定 さ れた IOL/IOH を与え る出力
負荷 と 負荷容量が 9 ページの図 3 に示す通 り であ る こ と を前提に し ています。
10. WE は SRAM 読み出 し サイ ク ル中は HIGH で なければな り ません。
11. デバイ スの CE と OE は LOW に連続的に選択 さ れます。
12. こ れ ら のパラ メ ー タ ーは設計保証 さ れますが、 テ ス ト さ れていません。
13. 定常状態の出力電圧か ら ±200mV で測定 さ れます。
14. CE が LOW の時に WE が LOW であれば、 出力は高イ ン ピーダ ン スのま ま です。
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ス イ ッ チ ン グ波形
図 4. SRAM 読み出 し サイ ク ル 1 ( ア ド レ ス制御 ) [15、 16、 17]
tRC
Address
Address Valid
tAA
Data Output
Output Data Valid
Previous Data Valid
tOHA
図 5. SRAM 読み出 し サイ ク ル #2 (CE および OE 制御 ) [15、 17]
Address
Address Valid
tRC
tHZCE
tACE
CE
tAA
tLZCE
tHZOE
tDOE
OE
tLZOE
Data Output
High Impedance
Output Data Valid
tPU
ICC
Standby
tPD
Active
注
15. WE は SRAM 読み出 し サイ ク ル中に HIGH で なければな り ません。
16. デバイ スの CE と OE は LOW に連続的に選択 さ れます。
17. HSB は読み出 し と 書き込みサイ ク ル中は HIGH で なければな り ません。
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ス イ ッ チ ング波形 ( 続き )
図 6. SRAM 書き込みサイ ク ル #1 (WE 制御 ) [18、 19、 20]
tWC
Address
Address Valid
tSCE
tHA
CE
tAW
tPWE
WE
tSA
tHD
tSD
Data Input
Input Data Valid
tLZWE
tHZWE
Data Output
High Impedance
Previous Data
図 7. SRAM 書き込みサイ クル 2 (CE 制御 ) [18、 19、 20]
tWC
Address Valid
Address
tSA
tSCE
tHA
CE
tPWE
WE
tSD
Input Data Valid
Data Input
Data Output
tHD
High Impedance
注
18. HSB は読み出 し と 書き込みサイ ク ル中は HIGH で なければな り ません。
19. CE が LOW の時に WE が LOW であれば、 出力は高イ ン ピーダ ン スのま ま です。
20. CE または WE はア ド レ スの遷移中は VIH よ り 高 く なければな り ません。
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AutoStore ／電源投入 RECALL
動作範囲において
パラ メ ー タ ー
説明
CY14V256LA
Min
Max
単位
tHRECALL[21]
電源投入 RECALL 期間
–
20
ms
tSTORE [22]
STORE サイ クル期間
–
8
ms
tDELAY[23]
SRAM 書き込みサイ クルを完了する時間
–
25
ns
VSWITCH
VCC の低電圧 ト リ ガー レ ベル
–
2.90
V
VIODIS[24]
tVCCRISE[25]
VHDIS[25]
tLZHSB[25]
tHHHD[25]
–
1.50
V
150
–
µs
HSB VCC での出力デ ィ ス エーブル電圧
–
1.9
V
HSB から 出力ア ク テ ィ ブ ま での時間
–
5
µs
HSB HIGH ア ク テ ィ ブ時間
–
500
ns
VCCQ での I/O デ ィ スエーブル電圧
VCC 立ち上が り 時間
注
21. tHRECALL は、 VCC が VSWITCH を超えた時か ら 始ま り ます。
22. SRAM の書き込みが、 最後の不揮発性サイ ク ル以降に実施 さ れていない場合、 AutoStore ま たはハー ド ウ ェ ア STORE は実行 さ れません。
23. ハー ド ウ ェ ア STORE と AutoStore の開始時に、 SRAM の書き込み処理は tDELAY の間有効にな っ たま ま です。
24. HSB は VIODIS 電圧以下で定義 さ れません。
25. こ れ ら のパ ラ メ ー タ ーは設計保証 さ れますが、 テ ス ト さ れていません。
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CY14V256LA
ス イ ッ チ ング波形
図 8. AutoStore または電源投入 RECALL[26]
VCC
VSWITCH
VHDIS
VCCQ
VIODIS
22
t VCCRISE
Note
tHHHD
22
tSTORE
Note
t HHHD
Note
27
HSB OUT
VCCQ
tSTORE
27
Note
tDELAY
tLZHSB
AutoStore
t LZHSB
tDELAY
POWERUP
RECALL
tHRECALL
tHRECALL
Read & Write
Inhibited
(RWI)
POWER-UP
RECALL
Read & Write
VCC
BROWN
OUT
AutoStore
Read POWER
POWER-UP Read
&
DOWN
&
RECALL
Write V
Write AutoStore
CCQ
BROWN
OUT
I/O Disable
注
26. 読み出 し と 書き込みサイ ク ルは、 STORE、 RECALL、 お よび VCC が VSWITCH 未満の時には無視 さ れます。
27. 電源投入お よび電源切断中に、 HSB ピ ンが外部抵抗を介 し て プルア ッ プ さ れている場合、 HSB ピ ン にグ リ ッ チが発生 し ます。
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ソ フ ト ウ ェ ア制御 STORE/RECALL サイ ク ル
動作範囲において
パラ メ ー タ ー [28、 29]
35ns
説明
Min
Max
単位
tRC
STORE/RECALL 開始のサイ クル期間
35
–
ns
tSA
ア ド レ ス セ ッ ト ア ッ プ時間
0
–
ns
tCW
ク ロ ッ ク パルス幅
20
–
ns
tHA
ア ド レ ス ホール ド 時間
0
–
ns
tRECALL
RECALL 期間
–
200
µs
ス イ ッ チ ング波形
図 9. CE と OE 制御によ る ソ フ ト ウ ェ ア STORE/RECALL サイ ク ル [29]
tRC
Address
tRC
Address #1
tSA
Address #6
tCW
tCW
CE
tHA
tSA
tHA
tHA
tHA
OE
tHHHD
HSB (STORE only)
tHZCE
tLZCE
t DELAY
30
Note
tLZHSB
High Impedance
tSTORE/tRECALL
DQ (DATA)
RWI
図 10. AutoStore イ ネーブル／デ ィ ス エーブル サイ ク ル [29]
Address
tSA
CE
tRC
tRC
Address #1
Address #6
tCW
tCW
tHA
tSA
tHA
tHA
tHA
OE
tLZCE
tHZCE
tSS
30
Note
t DELAY
DQ (DATA)
RWI
注
28. ソ フ ト ウ ェ アのシーケ ン スは、 CE ま たは OE に制御 さ れた読み出 し を伴い ク ロ ッ ク 供給 さ れます。
29. 6 つの連続ア ド レ スは 5 ページの表 1 に指定 さ れた順番で読み出す必要があ り ます。 WE は、 すべての 6 連続サイ ク ルの間 HIGH でなければな り ません。
30. 出力が tDELAY 時間でデ ィ ス エーブル と な るので、 6 番目に読み出 さ れた DQ 出力デー タ は無効 と な る可能性があ り ます。
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CY14V256LA
ハー ド ウ ェ ア STORE サイ クル
動作範囲において
パラ メ ー タ ー
CY14V256LA
説明
Min
Max
25
単位
tDHSB
HSB か ら出力ア ク テ ィ ブ ま での時間 ( 書き込みラ ッ チがセ ッ ト さ れていない場合 )
–
tPHSB
ハー ド ウ ェ ア STORE パルス幅
15
–
ns
ソ フ ト シーケ ン ス処理時間
–
100
μs
tSS
[31、 32]
ns
ス イ ッ チ ング波形
図 11. ハー ド ウ ェ ア STORE サイ ク ル [33]
Write Latch set
~
~
tPHSB
HSB (IN)
tSTORE
tHHHD
~
~
~
~
tDELAY
HSB (OUT)
SO
tLZHSB
RWI
Write Latch not set
~
~
tPHSB
HSB (IN)
HSB (OUT)
tDHSB
tDHSB
~
~
tDELAY
HSB pin is driven high to VCCQ only by Internal
100 K: resistor, HSB driver is disabled
SRAM is disabled as long as HSB (IN) is driven LOW.
RWI
図 12. ソ フ ト シーケ ン ス処理時間 [31、 32]
Soft Sequence
Command
Address
Address #1
tSA
Address #6
tCW
tSS
Soft Sequence
Command
Address #1
tSS
Address #6
tCW
CE
VCC
注
31. こ れは ソ フ ト シーケ ン ス コ マ ン ド を処理するのに要する時間です。 効果的に コ マ ン ド を登録する には、 VCC と VCCQ 電圧は HIGH でなければな り ません。
32. STORE や RECALL と い っ た コ マ ン ド は、 その処理が完了する ま で I/O を ロ ッ ク アウ ト し ます。 こ れが更に こ の時間を増加 さ せます。 詳 し く は個々の コ マ ン ド を
参照 し て く だ さ い。
33. SRAM の書き込みが最後の不揮発性サイ ク ル以降に実施 さ れていない場合、 AutoStore ま たはハー ド ウ ェ ア STORE は実行 さ れません。
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CY14V256LA
SRAM 真理値表
HSB は SRAM 動作では HIGH 状態を維持する必要があ り ます。
表 2. 真理値表
CE
WE
OE
入力／出力
モー ド
電源
H
X
X
High Z
選択解除／電源切断
ス タ ンバイ
L
H
L
デー タ 出力 (DQ0 ～ DQ7)
読み出 し
アクテ ィ ブ
L
H
H
High Z
出力デ ィ スエーブル
アクテ ィ ブ
L
L
X
デー タ 入力 (DQ0 ～ DQ7)
書き込み
アクテ ィ ブ
文書番号 : 001-95864 Rev. **
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CY14V256LA
注文情報
速度
(ns)
35
注文 コ ー ド
CY14V256LA-BA35XIT
パ ッ ケージ図
パ ッ ケージ タ イ プ
動作範囲
51-85128
48 ボール FBGA
産業用
CY14V256LA-BA35XI
すべての部品は鉛 フ リ ー。 在庫状況については、 最寄 り のサイ プ レ スの販売代理店にお問い合わせ く だ さ い。
注文 コ ー ド の定義
CY 14 V 256 L A - BA 35 X I T
オプ シ ョ ン :
T - テープおよび
リ ール
鉛フ リ ー
ダ イ改訂 :
ブ ラ ン ク - 改訂な し
A – 改訂第 1 版
温度 :
I - 産業用 (-40°C ～ 85°C)
速度 :
35 - 35ns
パ ッ ケージ：
BA - 48 ボール FBGA
デー タ バス：
L - ×8
電圧 :
V - 3.3V VCC、1.8V VCCQ
容量：
256 - 256Kb
14 - nvSRAM
サイ プ レ ス
文書番号 : 001-95864 Rev. **
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CY14V256LA
パ ッ ケージ図
図 13. 48 ボール FBGA (6 × 10 × 1.2mm) BA48B パ ッ ケージ図、 51-85128
51-85128 *F
文書番号 : 001-95864 Rev. **
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CY14V256LA
略語
本書の表記法
略語
説明
CE
CMOS
chip enable ( チ ッ プ イ ネーブル )
complementary metal oxide semiconductor
( 相補型金属酸化膜半導体 )
EIA
Electronic Industries Alliance ( 米国電子工業会 )
fine-pitch ball grid array
( フ ァ イ ン ピ ッ チ ボール グ リ ッ ド ア レ イ )
hardware store busy
( ハー ド ウ ェ ア ス ト ア ビ ジー )
FBGA
HSB
測定単位
記号
測定単位
°C
摂氏温度
k
キロオーム
MHz
メ ガヘルツ
A
マ イ ク ロ ア ンペア
F
マイ クロフ ァ ラ ッ ド
s
マ イ ク ロ秒
I/O
input/output ( 入力／出力 )
mA
ミ リ ア ンペア
nvSRAM
nonvolatile static random access memory ( 不揮発
性ス タ テ ィ ッ ク ラ ン ダム ア ク セス メ モ リ )
mm
ミ リ メートル
ms
output enable ( 出力イ ネーブル )
static random access memory
( ス タ テ ィ ッ ク ラ ン ダム ア ク セス メ モ リ )
restriction of hazardous substances
( 特定有害物質使用制限指令 )
read and write inhibited
( 読み出 し および書き込み禁止 )
ミ リ秒
ns
ナノ秒

オーム
%
パーセ ン ト
pF
ピコフ ァ ラ ッ ド
V
ボル ト
W
ワッ ト
OE
SRAM
RoHS
RWI
WE
write enable ( 書き込みイ ネーブル )
文書番号 : 001-95864 Rev. **
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CY14V256LA
変更履歴
文書名 : CY14V256LA、 256K ビ ッ ト (32K × 8) nvSRAM
文書番号 : 001-95864
版
**
ECN 番号
4700358
変更者
HZEN
文書番号 : 001-95864 Rev. **
発行日
変更内容
04/13/2015 これは英語版 001-76295 Rev. *C を翻訳 し た日本語版 001-95864 Rev. ** です。
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シ ス テムの重要な コ ンポーネ ン ト と し てサイ プ レ ス製品を使用する こ と を許可 し ていません。 生命維持シ ス テムの用途にサイ プ レ ス製品を供する こ と は、 製造者がそのよ う な使用におけるあ ら ゆ
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果サイ プ レ スはあ ら ゆる責任を免除 さ れる こ と を意味 し ます。
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文書番号 : 001-95864 Rev. **
改訂日 2015 年 4 月 13 日
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