...

使用本手册推荐的恩智浦主要产品
保护敏感的IC – 延长电池寿命 – 节省空间
接口/功能
说明
产品型号
封装
NFC天线保护
18/24 V双向低电容
ESD保护二极管
PESD18VF1BL
PESD24VF1BL
PESD18VF1BSF
PESD24VF1BSF
DFN1006
DFN1006
DSN0603
DSN0603
10
MIPI CSI/DSI保护
带集成ESD保护的
共模滤波器
PCMF2DFN1
PCMF3DFN1
DFN2520
DFN4020
11
极低线路电容的集成
式或分立式解决方案
IP4369CX4 /
IP4303CX4
PRTR5V0U2F
IP4282CZ6
PUSB3F96
PESD5V0F1BSF
USB 3.0 / USB 2.0
高速保护
页码
WLCSP
DFN1006
DFN1010
DFN2510
DSN0603
IP3319CX6
WLCSP
12
USB OTG保护
micro-USB端口保护
Vbus保护:VRWM =
5.5、12、15或30 V
PUSBMxVX4-TL
系列
DFN1616
13
HDMI接口保护
为高速TMDS线路提
供极佳的系统保护
PUSB3F96
DFN2510
12
SIM卡保护
集成与不集成EMI
滤波功能的ESD
保护二极管
IP4064CX8
IP4364CX8
IP4365CX11
IP4366CX8
IP4264CZ8
PESD5V0V4Ux
系列
PESD5V0F5UF
PESD5V0F5UV
SD卡保护
保护和接口调节器件
IP4340CX15
IP4357CX17
IP4251CZ12
IP4252CZ12
WLCSP
WLCSP
DFN2514
DFN2514
15
音频接口保护
(耳机、扬声器、
麦克风)
反向关态电压为
12V的双向ESD
保护二极管
PESD12VV1BL
DFN1006
12
电池保护/
充电器接口
电池MOSFET/通道
元件中的MOSFET
PMPB15XP
PMDP58UPE
PMDPB70XP
DFN2020
DFN2020
DFN2020
16
浪涌保护/
充电器接口
瞬时电压抑制器
(TVS)
稳压器二极管
齐纳二极管
PTVS12VS1UR
PTVS26VS1UR
BZX884-C5V6
TDZ5V6J
SOD123W
SOD123W
DFN1006
SOD323F
14
16
www.nxp.com
© 2013恩智浦半导体
保留所有权利。未经版权所有人事先书面许可,严禁复制本文之全部或部分内容。本文中出现的信息不构成任何报价
或合同的一部分。本公司已尽最大努力保证本文内容准确可靠,如有变更,恕不另行通知。出版方不承担因使用本文
发布日期:2013年9月
文档编号:9397 750 17444
荷兰印刷
产品型号
封装
尺寸最小的通用
ESD保护
用于通用和高速应
用的多种ESD保护
二极管
PESDxSF系列
PESDxBL /
PESDxUL
PESDxBLD /
PESDxULD
DSN0603
DFN1006
DFN1006
DFN1006D
DFN1006D
4, 5
用于LED背光的
升压转换器
20、40 V,最高
2 A,低VF肖特基
整流器
PMEGxEPK系列
DFN1608D
8
效率极高的低
RDSon MOSFET
效率极高的低VF和
IR肖特基二极管
PMPB12UN
PMPB15XN
PMDPB85UPE
PMPB16XN
PMPB40SNA
PMPB33XP
PMPB48EP
PMEGxEPK系列
PMEGxBELD系列
DFN2020
DFN2020
DFN2020
DFN2020
DFN2020
DFN2020
DFN2020
DFN1608D
DFN1006D
17
12-60 V DFN
MOSFET
PMXB40UNE
PMXB65UPE
PMDXB950UPE
PMDXB900UNE
PMCXB900UE
PMZB290UN
PMZ250UN
2N7002BKMB
NX3008NBKMB
NX3008PBKMB
PMZB350UPE
PMPB15XP
PMDPB70XP
PMC85XP
PMDPB58UPE
PMPB11EN
PMPB20EN
DFN1010
DFN1010
DFN1010
DFN1010
DFN1010
DFN1006
DFN1006
DFN1006
DFN1006
DFN1006
DFN1006
DFN2020
DFN2020
DFN2020
DFN2020
DFN2020
DFN2020
6, 7
PNP低VCEsat晶体管/
N沟道Trench
MOSFET组合
PBSM5240PF
DFN2020
9
低VCEsat晶体管
PBSS5330PA
PBSS230QA
PBSS5330X
PBSS5320X
PBSS301PD
DFN2020
DFN1010
SOT89
SOT89
SOT457
9
无线充电
USB 2.0共模滤波器
件产生的任何责任。本出版物并不明示或暗示授权任何专利权或其他行业产权或知识产权。
说明
13
USB 2.0 OTG保护
和EMI滤波器
WLCSP
WLCSP
WLCSP
WLCSP
几种小型SMD
和DFN封装
接口/功能
超小型MOSFET,
可用于:
} 负载开关
} 电池/充电器开关
} DC-DC转换
双极性晶体管/
MOSFET,可用于:
} 负载开关
} 电源管理
} 充电器电路
用于充电器路径的双
极性晶体管
页码
适用于便携设备和移动电话
的分立器件
建立性能、效率和尺寸标准
恩智 浦 :您 的移动设备一站式分立解决方 案 合 作 伙 伴
您正在寻找以下解决方案吗?
适用于所有接口的恩智浦分立解决方案
} 保护敏感的IC
} 延长电池寿命
} 节省空间
• NFC天线保护
第10页
• 带Vbus保护的USB2.0、USB3.0和
USB OTG
第12、13页
• 电池保护
第16页
• 照相机、键盘、显示屏 (MIPI, DSI,
CSI)
第11页
• 麦克风、扬声器、耳机
第12页
• (SD-)存储卡、SIM卡
第14、15页
借助我们的丰富经验,加速您的产品上市!我们拥有:
} 60年开发和生产二极管和晶体管的经验
} 业界各大手机制造商拥有长期的合作伙伴关系
} 秉承最高质量标准,打造可靠高效的供应链基础设施,我们是销量第一的分立器件供应商
} 我们最完善的分立器件产品组合可以完美满足移动设备制造商的以下需求
– 先进的保护和滤波解决方案
– 高效肖特基二极管、小信号MOSFET和双极性晶体管
– 新一代封装解决方案
• 无线充电
第17页
• LED背光升压转换器
第8页
• HDMI保护
第12页
• 通用ESD保护
第4、5页
• 超小型MOS和双极性晶体管,用于
}
负载开关
} 充电器/电池开关
} DC-DC转换
第6、7、9页
从恩智浦广泛的分立式扁平无引线 (DFN) 封装中选择您需要的解决方案 – 业界最全面的封装解决方案之一
} 30多种无引线封装选项,从2引脚到32引脚
} 从极小型0603尺寸(0201英寸)到中等功率
封装亮点包括
封装亮点包括
在芯片焊盘和双芯片焊盘上采用热沉封装
带镀锡和100%可焊侧焊盘的封装
} 在小尺寸上实现高功率和出色的热性能,以实现尺寸更小的设计
} 实现焊点的目视检查
} 可采用多种配置
} 耐用性增强,针对最大剪切力、电路板弯曲和减小封装倾斜角度进行优化
} 4种封装选项,可采用2、3和6引脚
࿦Ꭷಅব
࢙ఋक๵౻‫ޡ‬
[mW/mm2] 1)
最大的分立器件产品组合:
超小型DSN0603封装
1 x 1 mm和1 x 0.6 mm
0.6 x 0.3 mm
封装,高度仅为0.37 mm
高度仅为0.3 mm
下载DFN封装海报
1)
࢙ఋक๵౻‫ – ޡ‬኷‫ܠ‬ಅ࿸ FR4 PCB ຢܿ 6cm2 ࿦Ꭷउധຢ‫ك‬஢ˈ኶‫׭‬Ꮃफ़ፚ 1mm2
出色的热性能:DFN2020的功率耗散密度比SO-8高得多。
更多详细信息请参考应用笔记11304。立即下载:
2
移动产品手册
应用笔记11304:
www.nxp.com/documents/application_note/AN11304.pdf
DFN封装海报
www.nxp.com/documents/other/Discrete_Flat_No-leads_DFN_package_poster.pdf
移动产品手册
3
最小型封装中的最佳保护 – 尺寸为1006和0603的恩智浦ESD保护解决方案
业界最广泛的DFN1006 (D)-2保护二极管产品组合
DSN0603-2 – 保护二极管的现有最小封装
DFN1006D-2外形尺寸
随着设备的尺寸越来越小,数据速率越来越快,现在的电路对于ESD越来越敏
感。恩智浦提供大量采用工业标准外形0603(0402英寸)的无引线超小型塑封
0.30
0.22
DFN1006 (D)-2 ESD保护二极管。
0.30
0.22
主要特性和优势:
0.15
0.13
可用于高速接口保护。
1.05
0.95
1
1
顶端阴极标志
} 0.6 x 0.3 mm的超小型封装尺寸;封装高度超低,仅为0.3 mm,节省PCB空间
} 最高30 kV ESD耐用保护,符合IEC61000-4-2标准
} 最高30 kV ESD耐用保护,符合IEC61000-4-2标准
} 8/20 µs脉冲周期内最高15 A峰值脉冲电流
} 8/20 µs脉冲周期内最高8 A峰值脉冲电流
} 超低漏电流,典型值为1 nA – 电池供电设备的理想选择
2
0.25
0.23
主要特性和优势:
0.55
0.45
} 超小封装尺寸:1 x 0.6 mm;高度:0.37 mm / 0.5 mm
机或平板电脑中数据、扬声器和麦克风线路保护或键盘保护的保护解决方案,也
2
0.65
DSN0603-2外形尺寸
恩智浦持续扩展其DSN0603-2(0201英寸)的保护产品组合 – 非常适合如智能手
最大值
0.4
0.65
0.55
0.4
0.625
0.575
} 超低漏电流,典型值为1 nA,最大值为0.1 µA – 电池供电设备的理想选择
DFN1006-2外形尺寸
0.325
0.275
0.32
0.28
0.0076
(2)
} 线路电容低至0.25 pF
} 采用镀锡和可焊侧焊盘 (DFN1006D-2)(完全兼容标准无引线1006、2引脚封装)
注释
1. 尺寸 A 包括涂层箔厚度。
2. 标志条指示阴极。
产品组合:
明星产品:PESD5V0F1BSF
} 电涌额定性能高,ESD耐用保护强并具有更出色箝位性能的通用设备
} 0.25 pF的超低线路电容
} 最大程度减少电压范围内的电容变化
} 适用于宽范围的最大反转工作电压VRWM的单向ESD保护二极管
‫ޤݾ‬ሖস‫׭‬ፗ
} 双向配置涵盖了许多AC信号需要进行处理或最低电容值不可或缺的应用
} 高ESD耐用保护 = 10 kV
更多主要产品:
主要产品:
Cd典型值
(pF)
1.3
0.85
0.9
11
0.4
0.49
17
0.4
VRWM (V)
3.3
5
5
5
5.5
5.5
12
18
采用DFN1006D-2 (SOD882D)的双向二极管
VESD (kV)
(IEC61000-4-2)
9
15
9
30
10
8
30
10
Cd典型值
(pF)
2.9
11
35
0.4
PESD5V0U1BLD
PESD5V0V1BLD
PESD5V0S1BLD
PESD5V0F1BLD
VRWM (V)
5
5
5
5.5
高速数据线路
低电容
PESD3V3X1BL
PESD5V0X1BCAL
PESD5V0X1BL
PESD5V0V1BL
PESD5V0F1BL
PESD5V0X1BCL
PESD12VV1BL
PESD18VF1BL
接口
PESD5V0F1BRSF, 0.25 pF
采用DFN1006-2 (SOD882)的双向二极管
VESD (kV)
(IEC61000-4-2)
10
30
30
10
eSATA
USB3.0
PESD5V0F1BSF, 0.25 pF
USB2.0
PESD5V0F1USF, 0.5 pF
单向
双向
PESD18VF1BSF, 0.3 pF
PESD24VF1BSF, 0.4 pF
/24V
- 适用于 NFC 天线
NFC
PESD5V0V1USF, 4 pF, 15 kV
PESD5V0V1BSF, 3.5 pF, 15 kV
PESD3V3U1UL
PESD3V3L1UL
PESD3V3S1UL
PESD5V0U1UL
PESD5V0L1UL
PESD9X5.0L
PESD5V0S1UL
PESD9X7.0L
PESD12VS1UL
PESD15VS1UL
PESD16VX1UL
PESD24VS1UL
PESD36VS1UL
Cd典型值
(pF)
2.6
34
207
2
25
68
152
62
38
32
0.83
23
18
VRWM (V)
3.3
3.3
3.3
5
5
5
5
7
12
15
16
24
36
采用DFN1006D-2 (SOD882D)的单向二极管
VESD (kV)
(IEC61000-4-2)
9
30
30
9
26
30
30
30
30
30
8
23
30
PESD5V0L1ULD
PESD5V0S1ULD
PESD5V0X1ULD
PESD5V0X1UALD
PESD12VS1ULD
PESD15VS1ULD
PESD24VS1ULD
Cd典型值
(pF)
25
152
0.95
1.55
38
32
23
VRWM (V)
5
5
5.5
5.5
12
15
24
VESD (kV)
(IEC61000-4-2)
26
30
8
15
30
30
23
移动产品手册
PESD5V0V1BDSF, 5.3 pF, 25 kV
PESD5V0L1USF, 12 pF, 30 kV
通用保护
PESD5V0L1BSF, 12 pF, 30 kV
PESD5V0S1USF, 35 pF, 30 kV
PESD5V0S1BSF, 35 pF, 30 kV
查看完整的ESD保护
产品组合
访问DSN0603-2 ESD
产品信息页面
8 kV -10 kV
www.nxp.com/products/esd_emi_and_signal_conditioning/
4
PESD5V0V1BCSF, 5.3 pF, 20 kV
低速数据线路
高电容
采用DFN1006-2 (SOD882)的单向二极管
15 kV
> = 20kV
www.nxp.com/group/11064
移动产品手册
5
小型封装高性能MOSFET – 适用于开关和电源转换
了解恩智浦种类繁多的高性能、低RDSon MOSFET,采用小尺寸封装
针对极小型低功耗致动器和低电阻开关的解决方案
– DFN封装在同样电气性能的情况下比尺寸更大的鸥翼型封装节约了>50%的空间 –
– 便携式应用中的DFN MOSFET –
针对电源管理单元中负载开关的主要产品:
} DFN2020MD-6功率为1.7 W,可替换更大型
高功率
的鸥翼形封装,例如SO8、SOT223、SOT89
ׁ࿒ߗস࣏
Vout
Vin
ࡏኵ‫௸ݢ‬
P-FET
R1
和SOT457
R2
} DFN1010D-3功率为1W,可替换SOT457和
SOT23低RDSon类型,尺寸减小85%
RLOAD
૿፟ N-FET
૿፟ᄪख
ׁ࿒ߗস࣏
} DFN1006功率为0.7 W,可替换各种标准
PMXB40UNE
PMXB65UPE
PMDXB950UPE
PMDXB900UNE
PMCXB900UE
PMZB290UN
PMZ250UN
2N7002BKMB
NX3008NBKMB
NX3008PBKMB
PMZB350UPE
极性
VDS (V)
RDSon典型值
(mΩ)
封装
N
P
双沟道P
双沟道N
互补型
N
N
N
N
P
P
12
12
20
20
20
20
20
60
30
30
20
40
65
950
900
900/950
290
250
1300
1000
2800
330
DFN1010
DFN1010
DFN1010
DFN1010
DFN1010
DFN1006
DFN1006
DFN1006
DFN1006
DFN1006
DFN1006
极性
VDS (V)
RDSon典型值
(mΩ)
封装
P
双沟道P
P + RET驱动器
双沟道P
12
30
30
20
15
70
85
58
DFN2020
DFN2020
DFN2020
DFN2020
极性
VDS (V)
RDSon典型值
(mΩ)
封装
N
N
30
30
12
16.5
DFN2020
DFN2020
封装,例如SOT23、SOT323、SOT416
和“1208-尺寸”的 (VEMT3、SOT723 …)
用于电池开关/充电器开关的主要产品
超小型
封装尺寸 (mm)
小型化的极致:DFN1006 (B)-3
空间减少85%
功耗相同 (350 mW)
1.2 mm²
焊盘布局
DFN1010D-3和DFN1010B-6:
Q1
Q2
VBUS
PMU
0.5 mm (DFN1006-3)
} 2.5 V时,Rds (on)值极低,小于0.65mΩ
9 mm²
焊盘布局
PMDPB58UPE
DFN1006 (B)-3:
} 1.0 mm x 0.6 mm,高度0.37 mm (DFN1006 (B)-3)、
} 单N沟道和P沟道MOSFETESD保护器件
PMPB15XP
PMDPB70XP
PMC85XP
PMDPB58UPE
GND
GND
针对笔记本电脑和平板电脑中DC-DC转换的主要产品
} 1.1 x 1.0 x 0.37 mm
} 单芯片带热沉;双芯片带双热沉
PMPB11EN
PMPB20EN
} 针对单封装的镀锡可焊接侧焊盘
} 功耗:1 W(单);350 mW(双)
} RDSon最低50 mΩ;ID最高3A
૿፟
DFN2020MD-6 / DFN2020-6:
} 2.0 x 2.0 x 0.65 mm
} 单/双芯片,带热沉
} 针对单封装版本的镀锡可焊接侧焊盘
} 功耗:1.7 W(单);1.2 W(双)
关于恩智浦的更多信息
超小型MOSFET
} RDSon最低10 mΩ;ID最高13 A
www.nxp.com/ultra-small-mosfets
6
移动产品手册
移动产品手册
7
最小封装具有最高效率 – 恩智浦采用无引线DFN封装的低损耗肖特基二极管和晶体管
低VCEsat晶体管 – 使您的设计保持最低功耗和发热 –
采用小型和扁平无引线封装的低VF肖特基整流器
– 极低的VF,具有低IR,涵盖0.2 – 2 A的电流范围 –
主要产品PBSM5240PF:采用DFN2020-6封装的PNP低VCEsat晶体管/N沟道Trench MOSFET组合
DFN1608D-2是市场上支持2 A电流的最小型封装。
针对小巧型设计和一流的热性能,支持更高的电流和更长的寿命
主要特性和优势:
应用领域:
} 节约空间的超小型封装尺寸,高度极低 (1.6 x 0.8 x 0.37 mm)
} 用于LED背光和5 V USB-OTG电源(DC-DC升压
} VF和IR值低 – 电池供电设备的理想选择
转换)的升压转换器
} 得益于DFN2020-6中的热沉,热性能提升25%,
} IF最高2 A
} 无线充电(无源整流、效率优化)
} 超低集电极-发射极饱和电压VCEsat
} 可焊镀锡侧焊盘
} 逻辑(低成本或门、与门)
} 高集电极电流能力IC和ICM
} 符合AEC-Q101标准
} 电源(多电源电压的或环)
} 高集电极电流增益 (hFE)(高IC时)
} 针对NFC系统的最佳保护 – 由ESD保护和NFC解决方案领域
PBSM5240PF = 尺寸缩小50%,
高度更低!
传统解决方案 (BJT + MOS)
要求两种封装
具有更高的电流和更长的寿命
4 mm2 尺寸
> 9 mm²尺寸
} 低压MOSFET驱动级
的全球领先企业提供
IR最大值 (mA)@
VR最大值
VF最大值 (mV) @
IF最大值
VR最大值 (V)
IF最大值 (A)
优化
型号
PMEG2005EPK
PMEG2010EPK
PMEG2015EPK
PMEG2020EPK
PMEG4005EPK,
PMEG4010EPK
PMEG4015EPK
PMEG4020EPK
T1
PBSM5240PF
应用
LED背光升压转换器
采用DFN1608D-2封装的主要产品:
Vc
} 负载开关
RSense
} 电源管理
DCin
} 充电电路
SWout
FB
DC/DC
૿፟ධ
低VF
低VF
低VF
低VF
低IR
低IR
低IR
低IR
BATT
PMU
GND
GND
brb672
Sink1
Sink2
主要产品BC847QAPN:45 V、100 mA通用双通道NPN/PNP,采用1 x 1 mm封装
首款采用DFN1010B-6封装的双通道双极性晶体管,与SOT363或SOT666 相比,在保
DFN1608D-2以更小的尺寸实现更出色的性能
证同等功率密度的同时,极大地缩小了封装尺寸。
其他单通道晶体管采用无引线、超小型DFN1010D-3封装,第四代恩智浦DFN封装具
I F / VF
正向电流IF [A]
有可视化、可焊接侧焊盘。
小型化
高
性能
低
0.37 mm
小
0.6 mm
大小
通常用于多功能手机和初级智能手机充电电路的主要产品:
型号
PBSS5330PA
PBSS230QA
PBSS5330X
PBSS5320X
PBSS301PD
1.1 mm
正向电压V F [V]
大
封装
晶体管极性
Ptot [最大值] (mW)
VCEO [最大值] (V)
IC [最大值] (A)
VCEsat [最大值] (mV)
DFN2020-3
DFN1010D-3
SOT89
SOT89
SOT457
PNP
PNP
PNP
PNP
PNP
1250
750
1600
1600
2500
-30
-30
-30
-20
-20
-3
-2
-3
-3
-4
-320
-440
-320
-300
-420
[email protected] [最大值];
IC/IB =10 [典型值]
(mΩ)
75
170
80
90
50
hFE [最小值]
fT [典型值] (MHz)
280
200
200
220
250
165
170
100
100
80
更多肖特基整流器采用超小型DFN1006 (D)-2和
DSN0603-2封装
查看全系列产品
低VCEsat晶体管
查看全系列产品
低VF整流器
www.nxp.com/products/diodes/medium_power_schottky_diodes_200_ma
8
移动产品手册
www.nxp.com/products/bipolar_transistors/low_vcesat_biss_transistors
移动产品手册
9
近距离无线通信天线电路的保护
带集成ESD保护、针对MIPI CSI、DSI的
共模滤波器
最新高性能、小尺寸器件,保护NFC天线终端
全新共模滤波器:
近距离无线通信 (NFC) 是一种突破性的技术,允许海报上的标签、定位标志和非接
最大程度降低EMI干扰,提供强大的系统保护,在所有其它解决方案中脱颖而出
触式支付终端与您的手机实现交互。很多情况下,NFC天线与电池盖融为一体,
在高速差分数据线路(如USB、MIPI、HDMI、LVDS)的世界里,有线数据信号的频谱与在GSM、WIFI、LTE和蓝牙等无线收发器模
或集成在电池中,并通过手机上的小触点连接NFC IC。这些触点是ESD冲击的入
块中使用的频率重叠。电磁干扰 (EMI)几乎不可避免。谨慎的系统设计以及额外的元件可以帮助减小EMI造成的干扰。共模滤波器设计
口点,对NFC IC具有潜在的破坏性。
用于传输需要的线路信号,在抑制不必要的EMI噪声的同时,不会降低系统性能。
型号
受保护线路对数
(单向)
受保护线路对数
(双向)
差分模式3 dB频
率(典型值)
共模插入损耗
800 MHz 2.4 GHz(典型
值)
C_d、典型值
VRWM
输入ESD额定
IEC 6100-4-2
通道串联电阻
} 双向配置,允许高达18 V / 24V的工作电压
PCMF2DFN1
PCMF3DFN1
2
3
0
0
3 GHz
< -24 dB
0.8 pF
5.5 V
15 kV
8Ω
} 低电容,可轻松设计天线匹配电路
} 二极管电容几乎不依赖电压,避免互调失真
} 小尺寸封装,最小尺寸为0603(0201英寸)
} 针对NFC系统的最佳保护 – 来自ESD保护和NFC领域的全球领先企业
封装/尺寸
(mm)
主要产品:
恩智浦解决方案提供:
DFN2520-9 / 2.5 x 2.0 x 0.5
DFN4020-14 / 4.0 x 2.0 x 0.5
} 业界领先的共模抑制带宽,用于尽可能降低EMI辐射及其影响,节约耗时的EMI源搜索时间
} 由于具有深位移回跳和低动态电阻,可提供极高的系统级ESD保护
} 极薄封装:最大值0.5mm和工业标准尺寸
} 由于减小了对于信号完整性的影响并且简化了“开盒即用”设计,缩短了产品上市时间
主要产品:
型号
受保护线路数
VRWM (V)
Cline典型值 (pF)
Cline最大值 (pF)
ESD额定最大值
(kV)
配置
1
18
0.35
0.30
0.50
0.45
10
双向
PESD18VF1BL
PESD18VF1BSF
PESD24VF1BL*
1
PESD24VF1BSF*
24
0.4
0.55
10
双向
封装
尺寸(mm)
DFN1006-2
1 x 0.6 x 0.47
DSN0603-2
0.6 x 0.3 x 0.3
DFN1006-2
1 x 0.6 x 0.47
DSN0603-2
0.6 x 0.3 x 0.3
共模抑制:恩智浦CMF性能优于所有铁氧体/陶瓷/硅解决方案
Scc21 (dB)
* 正在开发
-5
-10
-10
-20
-25
0.6
-15
竞争解决方案
-20
铁氧体/陶瓷
-25
PCMFxDFN1
NFC ૿፟ධ
0.5
ߗস࣏‫ݢ‬๒ (pF)
0
-5
-15
NFC天线ESD保护 – 电路原理图
二极管电容与偏置电压相对变化极小
Scc21 (dB)
0
ఌ؉ධ‫௸ݢ‬
൞ി‫௸ݢ‬
࿙ღ፮‫ޤ‬
+ ESD ֦॓
方案硅片
PCMFxDFN1
-30
࿙ღღป
竞争解决
-30
-35
1E7
1E8
freq (Hz)
1E9
8E9
-35
1E7
1E8
freq (Hz)
1E9
8E9
0.4
0.3
0.2
PCMF3DFN1
CLK_P
CLK_N
0.1
D0_P
FLEX ਜ਼༥؎
D0_N
-10
-5
0
5
10
15
DC ൤፜‫ݢ‬ᅼ (V)
20
ᇛੰმ໯ධ
(LCD)
D1_P
D1_N
FLEX ਜ਼༥؎ஏਾධ
-15
MIPI ࿳ܻಠଐ
0
-20
D2_P
D2_N
D3_P
更多有关恩智浦天线
保护的信息
更多有关恩智浦共模
滤波器的信息
D3_N
PCMF2DFN1
Ⴜ࿾फ़ᄣ൥
(SoC)
‫ݢ‬ኑȂ૿፟ञֶࣕ
aaa-007393
www.nxp.com/products/esd_emi_and_signal_conditioning/application_specific_esd_and_esd_emi_solutions/nfc_antenna_protection/
10
移动产品手册
在MIPI DSI显示器接口中使用PCMFDFN1
www.nxp.com/group/11629
移动产品手册
11
USB 2.0 OTG保护和EMI滤波器
高速USB保护
主要产品:IP3319CX6
USB 3.0和USB 2.0高速 (HS)器件:从集成或分立解决方案中选择
} GSM/3G/LTE频带中极佳的共模抑制性能
αil
(dB)
} 极佳的差分模式通带
(1)
受性极强,易于路由和分立,非常灵活且体型小巧,采用CSP、无引线或塑料封装。
-6
} 针对ESD脉冲的出色SoC保护
(2)
} 封装细节:WLCSP、1.34 x 0.95 x 0.57 mm3
-12
C2
ܸ USB
૿፟ධ
ESD保护器件支持该标准,需要极低的线路电容,在数据线路中不允许串联电阻。恩智浦提供高度集成的解决方案,对ESD脉冲的耐
0
-18
主要产品:
(1) ُࠍ࿳‫ˈܕ‬f3dB > 1 GHz
(2) ࢥಠᇷ፟
A2
A1
B1
B2
-24
C2
+5V
Micro USB
Bᄲ
1
-30
105
106
107
108
109
f (Hz)
1010
IP4369CX4 / IP4303CX4
PRTR5V0U2F
IP4282CZ6
} 出色的ESD和射频性能
} 小型塑封DFN1006-3
} 小型塑封
} 极小尺寸 (WLCSP)
} 简单的“直通通道”路由
} 简单的“直通通道”路由
} 0.8 pF的线路电容
} 符合AEC-Q101标准
} 0.7 pF的线路电容
} 1.0 pF的线路电容
IP3319CX6
C1
USB 2.0
VBus
Dat+
DatID
HDMI接口保护
A1
A1
该设备为HDMI接口的各种信号提供最佳保护,允许用户进行灵活的布局。
PUSB3F96为高速TMDS线路提供出色的系统保护,在每条信号线路上的电容
极小。低速通信接口可以通过符合电气要求的专用单通道和双通道保护器件
进行保护。
功能
A2
D+
B2
B1
IP4369CX4
HDMI
ஏਾධ
D−
B2
USB ‫؝‬ટቄफ़੍િߴ՝
IP4282CZ6 (SOT886)
ࡴཨ USB ༆ߙධ
VBUS
A2
B1
主要产品:PUSB3F96
USB ஏਾධ
VBUS
1
6
2
5
3
4
GND
V BUS
D−
DD+
D+
GND
GND
IP4282CZ6
IP4303CX4
006aac466
PUSB3F96
PESD5V0F1BSF
} 适合USB 3.0系统芯片的业界最佳全面保护
} 灵活的布局选项
} 极低的通道电容:0.5 pF(典型值)
} 极低的二极管电容:0.25 pF(典型值)
} 两极极低的动态电阻(小于0.4 Ω)
} 超小型DSN0603-2封装 (0.6 x 0.3 x 0.3 mm)
} 针对射频优化的DFN2510A-10 (SOT1176) 封装 (1 x 2.5 x 0.5 mm)
} 根据IEC 61000-4-2第4级标准,对所有TMDS线路实现±10 kV ESD保护
} TMDS线路的TMDS对间匹配电容 ≤ 0.05 pF
} 各差分通道线路电容仅为0.5 pF
USB OTG保护
主要产品:PUSBMxVX4-TL系列 – 非常适合保护micro-USB端口
} Vbus保护:VRWM = 5.5、12、15或30 V,适合多种充电应用
音频接口保护(扬声器、麦克风、耳机)
} 1.6 x 1.6 mm无引线DFN1616-6封装、节约空间、工业标准尺寸、易于放置
} 适合USB D+、D-和ID的1.1pF低电容ESD保护结构
} 超低箝位电压ESD保护
} 符合YT/D 1591-2006 / 2009标准(中国)和GSMA / OMTP通用充电解决方案 (UCS)
PUSBM系列的Vbus工作电压
主要产品:采用超小型DFN1006-2封装的PESD12VV1BL
} 反向关态电压为12V的双向ESD保护二极管
PUSBM5V5X4-TL
PUSBM12VX4-TL
} 低电容:17 pF(典型值)
PUSBM15VX4-TL
} 便携设备中保护扬声器线路的理想选择,特别适合具有高输出电压的有源升压驱动器
PUSBM30VX4-TL




完整PUSBM器件的等效电路
VRWM针对Vbus为5.5 V
阅读更多有关恩智浦
电路保护的内容
= 外部连接器引脚
VRWM针对Vbus为12 V
= 内部连接
VRWM针对Vbus为15 V
VRWM针对Vbus为30 V
፩ᄩउധ!
www.nxp.com/circuit-protection
12
移动产品手册
移动产品手册
13
SIM卡接口 – ESD保护和EMI滤波器
从多种器件中选择一款具有三条数字线路并针对供电轨提供额外保护的器件
SD卡接口 – ESD保护和EMI滤波器
IP4264CZ8 – SIM应用
用于保护SD和micro SD卡的集成式小尺寸解决方案
SD存储卡通信基于8-/9引脚接口(时钟、指令、1或4位数据和2/3电源/接地
主要产品:IP4064CX8/LF、IP4364CX8/LF、IP4264CX8-20、IP4264CZ8-40
线路)。
VCC(VSD)
૰ᅤ‫ݢ‬Ꮚ૏৹‫ك‬
ຢଲ‫ݢ‬Ꮯ
10 kΩ – 100 kΩ
CLK
I/O
} 3通道SIM卡接口集成RC滤波器阵列
IP4252CZ16 – 应用示意图
GND
VCC
VCC
GND
} 所有2G和3G移动电话的频率抑制
IP4252CZ12-6
RST
严格的EMI规范和系统要求 – 针对移动电话设定 –要求滤波器能够减少辐射和/或
VPP
传导EMI,但同时符合接口规格的电气要求。便携式设备持续的微型化趋势意味
100 nF
} 为下游器件提供高达±15 kV(接触)的ESD保护,超过IEC 61000-4-2第4级超强ESD
保护要求,具有低箝位电压
} 具有无引线和晶圆级芯片级封装,间距为0.5或0.4 mm,简化设计,节约空间
brb448
IEC61000-4-2
‫ݕ‬4ৃ
֦॓ሞਰ
R1
R2
R3
VCC(V SD )
D1
DAT3/CD
DAT3/CD ჉ଲ
> 270 kΩ,
DAT2
ฬ෧ፎถિ቙ྈᅍܿ
ఠ঺‫ݢ‬൶
D2
ငଐ A1 ྆ሞฏ
1
} 集成偏置电阻网络,以减少元件数量,释放PCB板上的额外空间
D3
2
3
VCC
4
R13
A
R12
R11
CLK
CMD
} 用于内部USB连接保护的额外保护二极管
50 kΩ
ຢଲ
CMD
IP4340CX15 – 引脚配置和原理图
} EMI滤波、抑制多余射频、与SD接口物理信号相结合
C3
100 W
} 3通道SIM卡接口集成RC滤波器阵列
SET_CLR_CARD_DETECT
(ACMD42)
CLK
} 符合IEC61000-4-2标准的高电平ESD保护,通常超过最高的第4级规格
B3
47 W
C1
恩智浦SD存储卡接口调节器件完全支持该趋势并提供如下接口调节功能:
A3
100 W
B1
} 增加额外连接器引脚,以便使用USB的同时,提供出色的EMI滤波和ESD保护
GND
中集成偏置电路/电阻。
IEC61000-4-2
‫ݕ‬1ৃ
֦॓ሞਰ
用于SIM卡保护,带USB连接引脚的主要产品:IP4365CX11
DAT0
DAT3/CD
DAT2
着,可能的话,具有ESD保护和EMI过滤功能的接口设备也需要在单个小型封装
IP4365CX11 – SIM应用
A1
SD ‫ڿ܃‬૏
DAT1
DAT1
DAT0
CLK
CMD
᎐঩ਾଁ
VPP
} 集成100 Ω/100 Ω/47 Ω系列通道电阻
B
DATA0
DATA1
A2, C2
DATA2
C
} 集成100 Ω/100 Ω/47 Ω系列通道电阻
DATA3
008aaa216
R10
R9
R1
SDCLK
R2
SDCMD
R3
SDDATA0
R4
SDDATA1
R5
SDDATA2
R6
SDDATA3
D
} 为下游器件提供高达±15 kV(接触)的ESD保护,超过IEC 61000-4-2,第4级
aaa-003573
IP4264CZ8 – USIM应用
ဃಖ࠾༄ဇ
GND
aaa-003575
} 晶圆级芯片级封装,间距为0.4 mm,以简化设计和节省空间
VSIM
D3
RST
CLK
I/O
USB
A1
R1
A3
100 W
B1
R2
B3
47 W
C1
R3
C3
100 W
VCC
GND
RST
SPU
CLK
I/O
AUX1 AUX2
D1
D+
SIM/፠೙૏
A2, C2
008aaa217
产品细节
型号
Cline (pF)
间距 (mm)
封装
尺寸(mm)
IP4064CX8
<20 pF
0.5 mm
CSP
1.41 x 1.41 mm
IP4364CX8
<20 pF
0.4 mm
CSP
1.16 x 1.16 mm
IP4365CX11
<10 pF
0.4 mm
CSP
1.16 x 1.56 mm
IP4366CX8
<10 pF
0.4 mm
CSP
1.16 x 1.16 mm
IP4264CZ8
10 pF / 40 pF
0.4 mm
塑料
1.35 x 1.75 mm
IP4340CX15
D2
D−
ন‫ܕ‬
主要产品:
} 为单个SD卡接口的六个通道提供EMI滤波和ESD保护
} 数据线路的上拉电阻已经集成,以节约PCB空间,减小应用尺寸
} 1.56 mm x 1.56 mm晶圆级芯片级封装 (WLCSP),采用单芯片半导体技术制造
} 在连接器端终端,根据IEC 61000-4-2测试条件,ESD保护高于15 kV
其他产品:
应用
特性
3 dB频率 (MHz)
封装
尺寸(mm)
IP4340CX15
SD3.0和2.0
小型SD3.0解决方案
~ 450
WLCSP15
1.56 x 1.56 x 0.5 mm
IP4357CX17
SD 2.0
800 MHz时,高度衰减
~ 190
WLCSP17
1.1 x 2.4 x 0.61 mm
IP4251CZ12-6-TTL
SD 2.0
800 MHz时,高度衰减
~ 300
DFN2514-12 (SOT1167)
2.5 x 1.35 x 0.53 mm
IP4252CZ12-6-TTL
SD 2.0
低通频带插入损耗
~ 300
DFN2514-12 (SOT1167)
2.5 x 1.35 x 0.53 mm
型号
无EMI滤波的备选ESD保护方案主要产品
PESD5V0V4Ux – SIM应用
ᇧ‫ݢވ‬य़ SIM ૏֦॓
PESD5V0V4Ux产品系列
} 单向四倍ESD保护二极管阵列
I/O
VPP
CLK
RST
} 小型SMD塑料封装和DFN塑料封装
1
} 线路电容:12 pF/15 pF(典型值)
PESD5V0F5UF和PESD5V0F5UV
ፚ
ਾଁ
5
2
GND
3
4
bra228
} 单向五倍ESD保护阵列
} 小型DFN1006-3、DFN1410-6和SOT666塑料封装
} Femtofarad线路电容:0.55 pF(典型值)
} 符合AEC-Q101标准
www.nxp.com/products/esd_emi_and_signal_conditioning/application_specific_esd_and_esd_emi_solutions/sd_sim_
card_and_mmc_esd_protection_and_emi_filter/
14
移动产品手册
下载关于SD (HD) 存储卡
和MMC接口条件的
应用笔记。
更多有关恩智浦SIM和
SD卡解决方案的信息
www.nxp.com/documents/application_note/AN10911.pdf
移动产品手册
15
充电器接口
无线充电
智能手机中的电池MOSFET
低RDSon是关键
电话不再需要充电线,让充电更简单
在传统充电电路中,“电池MOSFET”用于切断电池,例如在温度超标、(放电)充电电
流过高或过压/欠压条件下。该MOSFET中的低RDSon值至关重要,可将损耗降至最低。
༇঩‫ݢ‬ኑ
‫ ڗݢ‬MOSFET
ஂ๜˖PMPB 15XP
主要产品:PMPB15XP – 12 V单通道P沟道MOSFET
多标准无线充电板
– 采用高效的小尺寸MOSFET和肖特基整流器 –
෧४ಠ໮‫ڗݢ‬
‫ݢڣ‬ධ
今天的智能手机通常工作时间都有限。无线充电则非常方便,并且直接了当:
您只需将手机置于集成入书桌或工作台表面(如在办公室、在家或在咖啡厅
‫ݢڗݢ‬ᅼ৹‫ك‬
里)的充电板上。
} VGS = 4.5 V时,具有极低的RDSon:15 mΩ
} 封装于0.65 mm扁平、小型2 x 2 mm DFN2020MD-6封装中,带镀锡可焊接侧焊盘
‫ݢڗݢ‬௚৹‫ك‬
在充电板中,MOSFET通过一个铜线圈的绕组来驱动电流,将感应能量传输至
手机。在手机内部,则采用专用集成电路或MOSFET来在接收器线圈后进行同
MOSFET还用于充电器的通道元件中,这类元件将USB Vbus线路与内部电源隔离
步整流。此外,肖特基二极管可提高整流器的效率。
(“USB OTG Vbus保护”)。这里可以在反向配置中采用双MOSFET。
PMDPB58UPE
采用DFN2020-6 (SOT1118),一种0.65 mm扁平型、2 x 2 mm无引线封装的主要产品
Q1
Q2
VBUS
}额外热沉设计,具有最佳热性能
PMU
GND
主要产品:
GND
PMDP58UPE – 双P沟道、ESD保护MOSFET
效率极高的低RDSon MOSFET,采用2 x 2 mm DFN2020封装,带镀锡可焊接侧焊盘
} ESD保护MOSFET器件:>2 KV HBM
} VGS = 4.5 V时,具有极低的RDSon:<58 mΩ
PMPB70XP – 30 V双P沟道MOSFET
} 低压门驱动操作RDSon额定值:1.8 V
} VGS =4.5 V时,具有极低的RDson:70 mΩ
型号
极性和配置
VDS (V)
RDSon典型值 (mΩ) (VGS = 4.5 V)
封装
PMPB12UN
N沟道,单
20
12
DFN2020MD-6
DFN2020MD-6
N沟道,单
20
15
N沟道、双、ESD保护
20
85
DFN2020-6
PMPB16XN
N沟道,单
30
16
DFN2020MD-6
PMPB40SNA
N沟道,单
60
40
DFN2020MD-6
PMPB33XP
P沟道、单
20
33
DFN2020MD-6
PMPB48EP
P沟道、单
30
43
DFN2020MD-6
PMPB15XN
PMDPB85UPE
充电器接口中的电涌保护
效率极高的低VF和IR肖特基二极管,采用超小型封装,带镀锡可焊接侧焊盘
IF最大值 (A)
VR最大值 (V)
VF最大值 (mV) @ IF最大值
IR最大值 (mA)(VR最大值)
优化
封装
0.5
20
410
0.3
低VF
DFN1608D-2
PMEG2010EPK
1
20
415
0.6
低VF
DFN1608D-2
PMEG2015EPK
1.5
20
420
0.9
低VF
DFN1608D-2
PMEG2020EPK
2
20
450
0.9
低VF
DFN1608D-2
但是它们通常对于电涌事件非常敏感。为了保护电路不受电涌影响,一个TVS二极管被置于USB连接器的Vbus
PMEG4005EPK
0.5
40
590
0.01
低IR
DFN1608D-2
线路上。此外,还可以与电池并联齐纳或ESD保护二极管,以保护电池不受短时间过压峰值的影响。
PMEG4010EPK
1
40
600
0.02
低IR
DFN1608D-2
PMEG4015EPK
1.5
40
610
0.03
低IR
DFN1608D-2
PMEG4020EPK
2
40
660
0.03
低IR
DFN1608D-2
PMEG2010BELD
1
20
490
0.2
低VF
DFN1006D-2
PMEG3005BELD
0.5
30
500
0.5
低VF
DFN1006D-2
型号
采用强劲TVS和齐纳二极管保护电池
PMEG2005EPK
具有大显示屏的智能手机通常具有高电容电池,以便为用户提供足够的使用时间。为了拥有合理的充电时间,
此类手机通常将专用的充电IC与过压保护电路结合使用。虽然此类电路在永久过压条件下可对电池进行断电,
主要产品:
无线充电应用
} PTVS12VS1UR:12 V、400 W单向瞬变电压抑制器 (TVS),采用SOD123W FlatPower封装 (2.6 x 1.7 x 1 mm)
} PTVS26VS1UR:16 V、400 W单向瞬变电压抑制器 (TVS),采用SOD123W FlatPower封装 (2.6 x 1.7 x 1 mm)
} BZX884-C5V6:16 V、低功耗稳压二极管,采用超小型DFN1006-2塑封
} TDZ5V6J:5.6 V通用齐纳二极管,采用SOD323F超小型扁平引脚塑封
power
下载关于如何保护移动
设备充电器的应用笔记
阅读更多有关移动设备
无线充电的信息
1
Vbus /+5V
TVS ߗস࣏
ඤೆߗস࣏
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data
Micro USB
Vbat
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GND
www.nxp.com/documents/application_note/AN10910.pdf
16
移动产品手册
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www.nxp.com/news/whats-cooking-in-rd/wireless-charging.html
移动产品手册
17
2–3个引脚
4–6个引脚
8–10个引脚
12–32个引脚
(SOT984)
2.5 x 1.35 x 0.48
DFN2514U-12
(SOT983)
1.7 x 1.35 x 0.48
DFN1714U-8
(SOT1216)
1.0 x 1.0 x 0.37
DFN1010B-6
(SOD882D)
1.0 x 0.6 x 0.37
DFN1006D-2
(SOT1167)
2.5 x 1.35 x 0.53
DFN2514-12
(SOT1159)
3.3 x 1.2 x 0.48
(SOT1176)
2.5 x 1.0 x 0.48
(SOT985)
3.3 x 1.35 x 0.48
(SOT1333)
2.5 x 2.0 x 0.48
DFN2520-9
(SOT1189)
1.6 x 1.6 x 0.48
DFN1616-6
(SOT1215)
1.1 x 1.0 x 0.37
DFN1010D-3
DFN3314U-16
DFN2510A-10
(SOT886)
1.45 x 1.0 x 0.48
DFN1410-6
(SOD882)
1.0 x 0.6 x 0.48
DFN1006-2
DFN3312-16
(SOT1178)
2.1 x 1.0 x 0.48
DFN2110-9
(SOT1166)
1.7 x 1.35 x 0.52
DFN1714-8
DFN1010C-4
DFN1010-6
(SOT1194)
1.0 x 1.0 x 0.52
(SOT883)
1.0 x 0.6 x 0.48
(SOT883B)
1.0 x 0.6 x 0.37
(SOT891)
1.0 x 1.0 x 0.48
DFN1006-3
DFN1006B-3
分立式无引线封装的最大供货商
(SOT1158)
2.5 x 1.2 x 0.48
DFN2512-12
(SOT1157)
1.7 x 1.2 x 0.48
DFN1712-8
(SOT1202)
1.0 x 1.0 x 0.33
DFN1010E-6
(SOD962)
0.6 x 0.3 x 0.3
DSN0603-2*
超级小巧中功率
(SOT1168)
3.3 x 1.35 x 0.53
(SOT1197)
2.6 x 2.6 x 0.48
DFN2626-10
(SOT1118)
2.0 x 2.0 x 0.62
DFN2020-6
(SOD1608)
1.6 x 0.8 x 0.37
DFN1608D-2
DFN3314-16
我们广泛的分立式扁平无引线产品组合
(SOT617)
5.0 x 5.0 x 1.0
DFN5050-32
(SOT873-1)
3.3 x 3.3 x 1.0
DFN3333-8
(SOT1220)
2.0 x 2.0 x 0.62
DFN2020MD-6
(SOT1061)
2.0 x 2.0 x 0.62
DFN2020-3
技术资料
恩智浦同时提供特别适合移动设备的各种电源管理和逻辑解决方案。欲了解更多信息,请
查看这些文档:
下载适合便携式设备电源管理解决方案的LDO和DC-DC降压转换器应用指南
www.nxp.com/documents/brochure/939775017406.pdf
下载关于SD 3.0信号调节器IP4755CZ24和IP4855CX25的产品传单
www.nxp.com/documents/leaflet/939775017446.pdf
下载AXP逻辑系列产品的宣传单。先进的极低电压和功耗逻辑
解决方案 – 专为便携式应用设计:www.nxp.com/documents/leaflet/75017461.pdf
选型指南 – 可供下载的目录pdf版本
分立半导体选型指南
www.nxp.com/discrete_selection_guide
通用逻辑解决方案
www.nxp.com/documents/brochure/75017351.pdf
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下载恩智浦应用程序 – 适用于iPhone、iPad、iPod Touch或Android的免费应用程序
使用该免费恩智浦应用程序,工程师们可以在iPhone、iPad和iPod Touch或Android系统中搜索、购买和分享恩智
浦产品组合中多达1万种产品元件:
http://www.nxp.com/news/mobile-app.html
*分立式硅芯片,无引线
文档编号:9397 750 17441