使用本手册推荐的恩智浦主要产品 保护敏感的IC – 延长电池寿命 – 节省空间 接口/功能 说明 产品型号 封装 NFC天线保护 18/24 V双向低电容 ESD保护二极管 PESD18VF1BL PESD24VF1BL PESD18VF1BSF PESD24VF1BSF DFN1006 DFN1006 DSN0603 DSN0603 10 MIPI CSI/DSI保护 带集成ESD保护的 共模滤波器 PCMF2DFN1 PCMF3DFN1 DFN2520 DFN4020 11 极低线路电容的集成 式或分立式解决方案 IP4369CX4 / IP4303CX4 PRTR5V0U2F IP4282CZ6 PUSB3F96 PESD5V0F1BSF USB 3.0 / USB 2.0 高速保护 页码 WLCSP DFN1006 DFN1010 DFN2510 DSN0603 IP3319CX6 WLCSP 12 USB OTG保护 micro-USB端口保护 Vbus保护：VRWM = 5.5、12、15或30 V PUSBMxVX4-TL 系列 DFN1616 13 HDMI接口保护 为高速TMDS线路提 供极佳的系统保护 PUSB3F96 DFN2510 12 SIM卡保护 集成与不集成EMI 滤波功能的ESD 保护二极管 IP4064CX8 IP4364CX8 IP4365CX11 IP4366CX8 IP4264CZ8 PESD5V0V4Ux 系列 PESD5V0F5UF PESD5V0F5UV SD卡保护 保护和接口调节器件 IP4340CX15 IP4357CX17 IP4251CZ12 IP4252CZ12 WLCSP WLCSP DFN2514 DFN2514 15 音频接口保护 （耳机、扬声器、 麦克风） 反向关态电压为 12V的双向ESD 保护二极管 PESD12VV1BL DFN1006 12 电池保护/ 充电器接口 电池MOSFET/通道 元件中的MOSFET PMPB15XP PMDP58UPE PMDPB70XP DFN2020 DFN2020 DFN2020 16 浪涌保护/ 充电器接口 瞬时电压抑制器 (TVS) 稳压器二极管 齐纳二极管 PTVS12VS1UR PTVS26VS1UR BZX884-C5V6 TDZ5V6J SOD123W SOD123W DFN1006 SOD323F 14 16 www.nxp.com © 2013恩智浦半导体 保留所有权利。未经版权所有人事先书面许可，严禁复制本文之全部或部分内容。本文中出现的信息不构成任何报价 或合同的一部分。本公司已尽最大努力保证本文内容准确可靠，如有变更，恕不另行通知。出版方不承担因使用本文 发布日期：2013年9月 文档编号：9397 750 17444 荷兰印刷 产品型号 封装 尺寸最小的通用 ESD保护 用于通用和高速应 用的多种ESD保护 二极管 PESDxSF系列 PESDxBL / PESDxUL PESDxBLD / PESDxULD DSN0603 DFN1006 DFN1006 DFN1006D DFN1006D 4, 5 用于LED背光的 升压转换器 20、40 V，最高 2 A，低VF肖特基 整流器 PMEGxEPK系列 DFN1608D 8 效率极高的低 RDSon MOSFET 效率极高的低VF和 IR肖特基二极管 PMPB12UN PMPB15XN PMDPB85UPE PMPB16XN PMPB40SNA PMPB33XP PMPB48EP PMEGxEPK系列 PMEGxBELD系列 DFN2020 DFN2020 DFN2020 DFN2020 DFN2020 DFN2020 DFN2020 DFN1608D DFN1006D 17 12-60 V DFN MOSFET PMXB40UNE PMXB65UPE PMDXB950UPE PMDXB900UNE PMCXB900UE PMZB290UN PMZ250UN 2N7002BKMB NX3008NBKMB NX3008PBKMB PMZB350UPE PMPB15XP PMDPB70XP PMC85XP PMDPB58UPE PMPB11EN PMPB20EN DFN1010 DFN1010 DFN1010 DFN1010 DFN1010 DFN1006 DFN1006 DFN1006 DFN1006 DFN1006 DFN1006 DFN2020 DFN2020 DFN2020 DFN2020 DFN2020 DFN2020 6, 7 PNP低VCEsat晶体管/ N沟道Trench MOSFET组合 PBSM5240PF DFN2020 9 低VCEsat晶体管 PBSS5330PA PBSS230QA PBSS5330X PBSS5320X PBSS301PD DFN2020 DFN1010 SOT89 SOT89 SOT457 9 无线充电 USB 2.0共模滤波器 件产生的任何责任。本出版物并不明示或暗示授权任何专利权或其他行业产权或知识产权。 说明 13 USB 2.0 OTG保护 和EMI滤波器 WLCSP WLCSP WLCSP WLCSP 几种小型SMD 和DFN封装 接口/功能 超小型MOSFET， 可用于： } 负载开关 } 电池/充电器开关 } DC-DC转换 双极性晶体管/ MOSFET，可用于： } 负载开关 } 电源管理 } 充电器电路 用于充电器路径的双 极性晶体管 页码 适用于便携设备和移动电话 的分立器件 建立性能、效率和尺寸标准 恩智 浦 ：您 的移动设备一站式分立解决方 案 合 作 伙 伴 您正在寻找以下解决方案吗？ 适用于所有接口的恩智浦分立解决方案 } 保护敏感的IC } 延长电池寿命 } 节省空间 • NFC天线保护 第10页 • 带Vbus保护的USB2.0、USB3.0和 USB OTG 第12、13页 • 电池保护 第16页 • 照相机、键盘、显示屏 (MIPI, DSI, CSI) 第11页 • 麦克风、扬声器、耳机 第12页 • (SD-)存储卡、SIM卡 第14、15页 借助我们的丰富经验，加速您的产品上市！我们拥有： } 60年开发和生产二极管和晶体管的经验 } 业界各大手机制造商拥有长期的合作伙伴关系 } 秉承最高质量标准，打造可靠高效的供应链基础设施，我们是销量第一的分立器件供应商 } 我们最完善的分立器件产品组合可以完美满足移动设备制造商的以下需求 – 先进的保护和滤波解决方案 – 高效肖特基二极管、小信号MOSFET和双极性晶体管 – 新一代封装解决方案 • 无线充电 第17页 • LED背光升压转换器 第8页 • HDMI保护 第12页 • 通用ESD保护 第4、5页 • 超小型MOS和双极性晶体管，用于 } 负载开关 } 充电器/电池开关 } DC-DC转换 第6、7、9页 从恩智浦广泛的分立式扁平无引线 (DFN) 封装中选择您需要的解决方案 – 业界最全面的封装解决方案之一 } 30多种无引线封装选项，从2引脚到32引脚 } 从极小型0603尺寸（0201英寸）到中等功率 封装亮点包括 封装亮点包括 在芯片焊盘和双芯片焊盘上采用热沉封装 带镀锡和100%可焊侧焊盘的封装 } 在小尺寸上实现高功率和出色的热性能，以实现尺寸更小的设计 } 实现焊点的目视检查 } 可采用多种配置 } 耐用性增强，针对最大剪切力、电路板弯曲和减小封装倾斜角度进行优化 } 4种封装选项，可采用2、3和6引脚 Ꭷಅব ࢙ఋक౻ޡ [mW/mm2] 1) 最大的分立器件产品组合： 超小型DSN0603封装 1 x 1 mm和1 x 0.6 mm 0.6 x 0.3 mm 封装，高度仅为0.37 mm 高度仅为0.3 mm 下载DFN封装海报 1) ࢙ఋक౻ – ޡܠಅ FR4 PCB ຢܿ 6cm2 ᎧउധຢكˈᎳफ़ፚ 1mm2 出色的热性能：DFN2020的功率耗散密度比SO-8高得多。 更多详细信息请参考应用笔记11304。立即下载： 2 移动产品手册 应用笔记11304： www.nxp.com/documents/application_note/AN11304.pdf DFN封装海报 www.nxp.com/documents/other/Discrete_Flat_No-leads_DFN_package_poster.pdf 移动产品手册 3 最小型封装中的最佳保护 – 尺寸为1006和0603的恩智浦ESD保护解决方案 业界最广泛的DFN1006 (D)-2保护二极管产品组合 DSN0603-2 – 保护二极管的现有最小封装 DFN1006D-2外形尺寸 随着设备的尺寸越来越小，数据速率越来越快，现在的电路对于ESD越来越敏 感。恩智浦提供大量采用工业标准外形0603（0402英寸）的无引线超小型塑封 0.30 0.22 DFN1006 (D)-2 ESD保护二极管。 0.30 0.22 主要特性和优势： 0.15 0.13 可用于高速接口保护。 1.05 0.95 1 1 顶端阴极标志 } 0.6 x 0.3 mm的超小型封装尺寸；封装高度超低，仅为0.3 mm，节省PCB空间 } 最高30 kV ESD耐用保护，符合IEC61000-4-2标准 } 最高30 kV ESD耐用保护，符合IEC61000-4-2标准 } 8/20 µs脉冲周期内最高15 A峰值脉冲电流 } 8/20 µs脉冲周期内最高8 A峰值脉冲电流 } 超低漏电流，典型值为1 nA – 电池供电设备的理想选择 2 0.25 0.23 主要特性和优势： 0.55 0.45 } 超小封装尺寸：1 x 0.6 mm；高度：0.37 mm / 0.5 mm 机或平板电脑中数据、扬声器和麦克风线路保护或键盘保护的保护解决方案，也 2 0.65 DSN0603-2外形尺寸 恩智浦持续扩展其DSN0603-2（0201英寸）的保护产品组合 – 非常适合如智能手 最大值 0.4 0.65 0.55 0.4 0.625 0.575 } 超低漏电流，典型值为1 nA，最大值为0.1 µA – 电池供电设备的理想选择 DFN1006-2外形尺寸 0.325 0.275 0.32 0.28 0.0076 (2) } 线路电容低至0.25 pF } 采用镀锡和可焊侧焊盘 (DFN1006D-2)（完全兼容标准无引线1006、2引脚封装） 注释 1. 尺寸 A 包括涂层箔厚度。 2. 标志条指示阴极。 产品组合： 明星产品：PESD5V0F1BSF } 电涌额定性能高，ESD耐用保护强并具有更出色箝位性能的通用设备 } 0.25 pF的超低线路电容 } 最大程度减少电压范围内的电容变化 } 适用于宽范围的最大反转工作电压VRWM的单向ESD保护二极管 ޤݾሖসፗ } 双向配置涵盖了许多AC信号需要进行处理或最低电容值不可或缺的应用 } 高ESD耐用保护 = 10 kV 更多主要产品： 主要产品： Cd典型值 (pF) 1.3 0.85 0.9 11 0.4 0.49 17 0.4 VRWM (V) 3.3 5 5 5 5.5 5.5 12 18 采用DFN1006D-2 (SOD882D)的双向二极管 VESD (kV) (IEC61000-4-2) 9 15 9 30 10 8 30 10 Cd典型值 (pF) 2.9 11 35 0.4 PESD5V0U1BLD PESD5V0V1BLD PESD5V0S1BLD PESD5V0F1BLD VRWM (V) 5 5 5 5.5 高速数据线路 低电容 PESD3V3X1BL PESD5V0X1BCAL PESD5V0X1BL PESD5V0V1BL PESD5V0F1BL PESD5V0X1BCL PESD12VV1BL PESD18VF1BL 接口 PESD5V0F1BRSF, 0.25 pF 采用DFN1006-2 (SOD882)的双向二极管 VESD (kV) (IEC61000-4-2) 10 30 30 10 eSATA USB3.0 PESD5V0F1BSF, 0.25 pF USB2.0 PESD5V0F1USF, 0.5 pF 单向 双向 PESD18VF1BSF, 0.3 pF PESD24VF1BSF, 0.4 pF /24V - 适用于 NFC 天线 NFC PESD5V0V1USF, 4 pF, 15 kV PESD5V0V1BSF, 3.5 pF, 15 kV PESD3V3U1UL PESD3V3L1UL PESD3V3S1UL PESD5V0U1UL PESD5V0L1UL PESD9X5.0L PESD5V0S1UL PESD9X7.0L PESD12VS1UL PESD15VS1UL PESD16VX1UL PESD24VS1UL PESD36VS1UL Cd典型值 (pF) 2.6 34 207 2 25 68 152 62 38 32 0.83 23 18 VRWM (V) 3.3 3.3 3.3 5 5 5 5 7 12 15 16 24 36 采用DFN1006D-2 (SOD882D)的单向二极管 VESD (kV) (IEC61000-4-2) 9 30 30 9 26 30 30 30 30 30 8 23 30 PESD5V0L1ULD PESD5V0S1ULD PESD5V0X1ULD PESD5V0X1UALD PESD12VS1ULD PESD15VS1ULD PESD24VS1ULD Cd典型值 (pF) 25 152 0.95 1.55 38 32 23 VRWM (V) 5 5 5.5 5.5 12 15 24 VESD (kV) (IEC61000-4-2) 26 30 8 15 30 30 23 移动产品手册 PESD5V0V1BDSF, 5.3 pF, 25 kV PESD5V0L1USF, 12 pF, 30 kV 通用保护 PESD5V0L1BSF, 12 pF, 30 kV PESD5V0S1USF, 35 pF, 30 kV PESD5V0S1BSF, 35 pF, 30 kV 查看完整的ESD保护 产品组合 访问DSN0603-2 ESD 产品信息页面 8 kV -10 kV www.nxp.com/products/esd_emi_and_signal_conditioning/ 4 PESD5V0V1BCSF, 5.3 pF, 20 kV 低速数据线路 高电容 采用DFN1006-2 (SOD882)的单向二极管 15 kV > = 20kV www.nxp.com/group/11064 移动产品手册 5 小型封装高性能MOSFET – 适用于开关和电源转换 了解恩智浦种类繁多的高性能、低RDSon MOSFET，采用小尺寸封装 针对极小型低功耗致动器和低电阻开关的解决方案 – DFN封装在同样电气性能的情况下比尺寸更大的鸥翼型封装节约了>50%的空间 – – 便携式应用中的DFN MOSFET – 针对电源管理单元中负载开关的主要产品： } DFN2020MD-6功率为1.7 W，可替换更大型 高功率 的鸥翼形封装，例如SO8、SOT223、SOT89 ׁ࿒ߗস࣏ Vout Vin ࡏኵ௸ݢ P-FET R1 和SOT457 R2 } DFN1010D-3功率为1W，可替换SOT457和 SOT23低RDSon类型，尺寸减小85% RLOAD ૿፟ N-FET ૿፟ᄪख ׁ࿒ߗস࣏ } DFN1006功率为0.7 W，可替换各种标准 PMXB40UNE PMXB65UPE PMDXB950UPE PMDXB900UNE PMCXB900UE PMZB290UN PMZ250UN 2N7002BKMB NX3008NBKMB NX3008PBKMB PMZB350UPE 极性 VDS (V) RDSon典型值 (mΩ) 封装 N P 双沟道P 双沟道N 互补型 N N N N P P 12 12 20 20 20 20 20 60 30 30 20 40 65 950 900 900/950 290 250 1300 1000 2800 330 DFN1010 DFN1010 DFN1010 DFN1010 DFN1010 DFN1006 DFN1006 DFN1006 DFN1006 DFN1006 DFN1006 极性 VDS (V) RDSon典型值 (mΩ) 封装 P 双沟道P P + RET驱动器 双沟道P 12 30 30 20 15 70 85 58 DFN2020 DFN2020 DFN2020 DFN2020 极性 VDS (V) RDSon典型值 (mΩ) 封装 N N 30 30 12 16.5 DFN2020 DFN2020 封装，例如SOT23、SOT323、SOT416 和“1208-尺寸”的 (VEMT3、SOT723 …) 用于电池开关/充电器开关的主要产品 超小型 封装尺寸 (mm) 小型化的极致：DFN1006 (B)-3 空间减少85% 功耗相同 (350 mW) 1.2 mm² 焊盘布局 DFN1010D-3和DFN1010B-6： Q1 Q2 VBUS PMU 0.5 mm (DFN1006-3) } 2.5 V时，Rds (on)值极低，小于0.65mΩ 9 mm² 焊盘布局 PMDPB58UPE DFN1006 (B)-3： } 1.0 mm x 0.6 mm，高度0.37 mm (DFN1006 (B)-3)、 } 单N沟道和P沟道MOSFETESD保护器件 PMPB15XP PMDPB70XP PMC85XP PMDPB58UPE GND GND 针对笔记本电脑和平板电脑中DC-DC转换的主要产品 } 1.1 x 1.0 x 0.37 mm } 单芯片带热沉；双芯片带双热沉 PMPB11EN PMPB20EN } 针对单封装的镀锡可焊接侧焊盘 } 功耗：1 W（单）；350 mW（双） } RDSon最低50 mΩ；ID最高3A ૿፟ DFN2020MD-6 / DFN2020-6： } 2.0 x 2.0 x 0.65 mm } 单/双芯片，带热沉 } 针对单封装版本的镀锡可焊接侧焊盘 } 功耗：1.7 W（单）；1.2 W（双） 关于恩智浦的更多信息 超小型MOSFET } RDSon最低10 mΩ；ID最高13 A www.nxp.com/ultra-small-mosfets 6 移动产品手册 移动产品手册 7 最小封装具有最高效率 – 恩智浦采用无引线DFN封装的低损耗肖特基二极管和晶体管 低VCEsat晶体管 – 使您的设计保持最低功耗和发热 – 采用小型和扁平无引线封装的低VF肖特基整流器 – 极低的VF，具有低IR，涵盖0.2 – 2 A的电流范围 – 主要产品PBSM5240PF：采用DFN2020-6封装的PNP低VCEsat晶体管/N沟道Trench MOSFET组合 DFN1608D-2是市场上支持2 A电流的最小型封装。 针对小巧型设计和一流的热性能，支持更高的电流和更长的寿命 主要特性和优势： 应用领域： } 节约空间的超小型封装尺寸，高度极低 (1.6 x 0.8 x 0.37 mm) } 用于LED背光和5 V USB-OTG电源（DC-DC升压 } VF和IR值低 – 电池供电设备的理想选择 转换）的升压转换器 } 得益于DFN2020-6中的热沉，热性能提升25%， } IF最高2 A } 无线充电（无源整流、效率优化） } 超低集电极-发射极饱和电压VCEsat } 可焊镀锡侧焊盘 } 逻辑（低成本或门、与门） } 高集电极电流能力IC和ICM } 符合AEC-Q101标准 } 电源（多电源电压的或环） } 高集电极电流增益 (hFE)（高IC时） } 针对NFC系统的最佳保护 – 由ESD保护和NFC解决方案领域 PBSM5240PF = 尺寸缩小50%， 高度更低！ 传统解决方案 (BJT + MOS) 要求两种封装 具有更高的电流和更长的寿命 4 mm2 尺寸 > 9 mm²尺寸 } 低压MOSFET驱动级 的全球领先企业提供 IR最大值 (mA)@ VR最大值 VF最大值 (mV) @ IF最大值 VR最大值 (V) IF最大值 (A) 优化 型号 PMEG2005EPK PMEG2010EPK PMEG2015EPK PMEG2020EPK PMEG4005EPK, PMEG4010EPK PMEG4015EPK PMEG4020EPK T1 PBSM5240PF 应用 LED背光升压转换器 采用DFN1608D-2封装的主要产品： Vc } 负载开关 RSense } 电源管理 DCin } 充电电路 SWout FB DC/DC ૿፟ධ 低VF 低VF 低VF 低VF 低IR 低IR 低IR 低IR BATT PMU GND GND brb672 Sink1 Sink2 主要产品BC847QAPN：45 V、100 mA通用双通道NPN/PNP，采用1 x 1 mm封装 首款采用DFN1010B-6封装的双通道双极性晶体管，与SOT363或SOT666 相比，在保 DFN1608D-2以更小的尺寸实现更出色的性能 证同等功率密度的同时，极大地缩小了封装尺寸。 其他单通道晶体管采用无引线、超小型DFN1010D-3封装，第四代恩智浦DFN封装具 I F / VF 正向电流IF [A] 有可视化、可焊接侧焊盘。 小型化 高 性能 低 0.37 mm 小 0.6 mm 大小 通常用于多功能手机和初级智能手机充电电路的主要产品： 型号 PBSS5330PA PBSS230QA PBSS5330X PBSS5320X PBSS301PD 1.1 mm 正向电压V F [V] 大 封装 晶体管极性 Ptot [最大值] (mW) VCEO [最大值] (V) IC [最大值] (A) VCEsat [最大值] (mV) DFN2020-3 DFN1010D-3 SOT89 SOT89 SOT457 PNP PNP PNP PNP PNP 1250 750 1600 1600 2500 -30 -30 -30 -20 -20 -3 -2 -3 -3 -4 -320 -440 -320 -300 -420 RCEsat@IC [最大值]; IC/IB =10 [典型值] (mΩ) 75 170 80 90 50 hFE [最小值] fT [典型值] (MHz) 280 200 200 220 250 165 170 100 100 80 更多肖特基整流器采用超小型DFN1006 (D)-2和 DSN0603-2封装 查看全系列产品 低VCEsat晶体管 查看全系列产品 低VF整流器 www.nxp.com/products/diodes/medium_power_schottky_diodes_200_ma 8 移动产品手册 www.nxp.com/products/bipolar_transistors/low_vcesat_biss_transistors 移动产品手册 9 近距离无线通信天线电路的保护 带集成ESD保护、针对MIPI CSI、DSI的 共模滤波器 最新高性能、小尺寸器件，保护NFC天线终端 全新共模滤波器： 近距离无线通信 (NFC) 是一种突破性的技术，允许海报上的标签、定位标志和非接 最大程度降低EMI干扰，提供强大的系统保护，在所有其它解决方案中脱颖而出 触式支付终端与您的手机实现交互。很多情况下，NFC天线与电池盖融为一体， 在高速差分数据线路（如USB、MIPI、HDMI、LVDS）的世界里，有线数据信号的频谱与在GSM、WIFI、LTE和蓝牙等无线收发器模 或集成在电池中，并通过手机上的小触点连接NFC IC。这些触点是ESD冲击的入 块中使用的频率重叠。电磁干扰 (EMI)几乎不可避免。谨慎的系统设计以及额外的元件可以帮助减小EMI造成的干扰。共模滤波器设计 口点，对NFC IC具有潜在的破坏性。 用于传输需要的线路信号，在抑制不必要的EMI噪声的同时，不会降低系统性能。 型号 受保护线路对数 （单向） 受保护线路对数 （双向） 差分模式3 dB频 率（典型值） 共模插入损耗 800 MHz 2.4 GHz（典型 值） C_d、典型值 VRWM 输入ESD额定 IEC 6100-4-2 通道串联电阻 } 双向配置，允许高达18 V / 24V的工作电压 PCMF2DFN1 PCMF3DFN1 2 3 0 0 3 GHz < -24 dB 0.8 pF 5.5 V 15 kV 8Ω } 低电容，可轻松设计天线匹配电路 } 二极管电容几乎不依赖电压，避免互调失真 } 小尺寸封装，最小尺寸为0603（0201英寸） } 针对NFC系统的最佳保护 – 来自ESD保护和NFC领域的全球领先企业 封装/尺寸 （mm） 主要产品： 恩智浦解决方案提供： DFN2520-9 / 2.5 x 2.0 x 0.5 DFN4020-14 / 4.0 x 2.0 x 0.5 } 业界领先的共模抑制带宽，用于尽可能降低EMI辐射及其影响，节约耗时的EMI源搜索时间 } 由于具有深位移回跳和低动态电阻，可提供极高的系统级ESD保护 } 极薄封装：最大值0.5mm和工业标准尺寸 } 由于减小了对于信号完整性的影响并且简化了“开盒即用”设计，缩短了产品上市时间 主要产品： 型号 受保护线路数 VRWM (V) Cline典型值 (pF) Cline最大值 (pF) ESD额定最大值 （kV） 配置 1 18 0.35 0.30 0.50 0.45 10 双向 PESD18VF1BL PESD18VF1BSF PESD24VF1BL* 1 PESD24VF1BSF* 24 0.4 0.55 10 双向 封装 尺寸（mm） DFN1006-2 1 x 0.6 x 0.47 DSN0603-2 0.6 x 0.3 x 0.3 DFN1006-2 1 x 0.6 x 0.47 DSN0603-2 0.6 x 0.3 x 0.3 共模抑制：恩智浦CMF性能优于所有铁氧体/陶瓷/硅解决方案 Scc21 (dB) * 正在开发 -5 -10 -10 -20 -25 0.6 -15 竞争解决方案 -20 铁氧体/陶瓷 -25 PCMFxDFN1 NFC ૿፟ධ 0.5 ߗস࣏ݢ๒ (pF) 0 -5 -15 NFC天线ESD保护 – 电路原理图 二极管电容与偏置电压相对变化极小 Scc21 (dB) 0 ఌ؉ධ௸ݢ ൞ി௸ݢ ࿙ღ፮ޤ + ESD ֦॓ 方案硅片 PCMFxDFN1 -30 ࿙ღღป 竞争解决 -30 -35 1E7 1E8 freq (Hz) 1E9 8E9 -35 1E7 1E8 freq (Hz) 1E9 8E9 0.4 0.3 0.2 PCMF3DFN1 CLK_P CLK_N 0.1 D0_P FLEX ਜ਼༥؎ D0_N -10 -5 0 5 10 15 DC ݢᅼ (V) 20 ᇛੰმධ (LCD) D1_P D1_N FLEX ਜ਼༥؎ஏਾධ -15 MIPI ܻಠଐ 0 -20 D2_P D2_N D3_P 更多有关恩智浦天线 保护的信息 更多有关恩智浦共模 滤波器的信息 D3_N PCMF2DFN1 Ⴜफ़ᄣ (SoC) ݢኑȂ૿፟ञֶࣕ aaa-007393 www.nxp.com/products/esd_emi_and_signal_conditioning/application_specific_esd_and_esd_emi_solutions/nfc_antenna_protection/ 10 移动产品手册 在MIPI DSI显示器接口中使用PCMFDFN1 www.nxp.com/group/11629 移动产品手册 11 USB 2.0 OTG保护和EMI滤波器 高速USB保护 主要产品：IP3319CX6 USB 3.0和USB 2.0高速 (HS)器件：从集成或分立解决方案中选择 } GSM/3G/LTE频带中极佳的共模抑制性能 αil (dB) } 极佳的差分模式通带 (1) 受性极强，易于路由和分立，非常灵活且体型小巧，采用CSP、无引线或塑料封装。 -6 } 针对ESD脉冲的出色SoC保护 (2) } 封装细节：WLCSP、1.34 x 0.95 x 0.57 mm3 -12 C2 ܸ USB ૿፟ධ ESD保护器件支持该标准，需要极低的线路电容，在数据线路中不允许串联电阻。恩智浦提供高度集成的解决方案，对ESD脉冲的耐 0 -18 主要产品： (1) ُࠍˈܕf3dB > 1 GHz (2) ࢥಠᇷ፟ A2 A1 B1 B2 -24 C2 +5V Micro USB Bᄲ 1 -30 105 106 107 108 109 f (Hz) 1010 IP4369CX4 / IP4303CX4 PRTR5V0U2F IP4282CZ6 } 出色的ESD和射频性能 } 小型塑封DFN1006-3 } 小型塑封 } 极小尺寸 (WLCSP) } 简单的“直通通道”路由 } 简单的“直通通道”路由 } 0.8 pF的线路电容 } 符合AEC-Q101标准 } 0.7 pF的线路电容 } 1.0 pF的线路电容 IP3319CX6 C1 USB 2.0 VBus Dat+ DatID HDMI接口保护 A1 A1 该设备为HDMI接口的各种信号提供最佳保护，允许用户进行灵活的布局。 PUSB3F96为高速TMDS线路提供出色的系统保护，在每条信号线路上的电容 极小。低速通信接口可以通过符合电气要求的专用单通道和双通道保护器件 进行保护。 功能 A2 D+ B2 B1 IP4369CX4 HDMI ஏਾධ D− B2 USB ؝ટቄफ़੍િߴ՝ IP4282CZ6 (SOT886) ࡴཨ USB ༆ߙධ VBUS A2 B1 主要产品：PUSB3F96 USB ஏਾධ VBUS 1 6 2 5 3 4 GND V BUS D− DD+ D+ GND GND IP4282CZ6 IP4303CX4 006aac466 PUSB3F96 PESD5V0F1BSF } 适合USB 3.0系统芯片的业界最佳全面保护 } 灵活的布局选项 } 极低的通道电容：0.5 pF（典型值） } 极低的二极管电容：0.25 pF（典型值） } 两极极低的动态电阻（小于0.4 Ω） } 超小型DSN0603-2封装 (0.6 x 0.3 x 0.3 mm) } 针对射频优化的DFN2510A-10 (SOT1176) 封装 (1 x 2.5 x 0.5 mm) } 根据IEC 61000-4-2第4级标准，对所有TMDS线路实现±10 kV ESD保护 } TMDS线路的TMDS对间匹配电容 ≤ 0.05 pF } 各差分通道线路电容仅为0.5 pF USB OTG保护 主要产品：PUSBMxVX4-TL系列 – 非常适合保护micro-USB端口 } Vbus保护：VRWM = 5.5、12、15或30 V，适合多种充电应用 音频接口保护（扬声器、麦克风、耳机） } 1.6 x 1.6 mm无引线DFN1616-6封装、节约空间、工业标准尺寸、易于放置 } 适合USB D+、D-和ID的1.1pF低电容ESD保护结构 } 超低箝位电压ESD保护 } 符合YT/D 1591-2006 / 2009标准（中国）和GSMA / OMTP通用充电解决方案 (UCS) PUSBM系列的Vbus工作电压 主要产品：采用超小型DFN1006-2封装的PESD12VV1BL } 反向关态电压为12V的双向ESD保护二极管 PUSBM5V5X4-TL PUSBM12VX4-TL } 低电容：17 pF（典型值） PUSBM15VX4-TL } 便携设备中保护扬声器线路的理想选择，特别适合具有高输出电压的有源升压驱动器 PUSBM30VX4-TL 完整PUSBM器件的等效电路 VRWM针对Vbus为5.5 V 阅读更多有关恩智浦 电路保护的内容 = 外部连接器引脚 VRWM针对Vbus为12 V = 内部连接 VRWM针对Vbus为15 V VRWM针对Vbus为30 V ፩ᄩउധ! www.nxp.com/circuit-protection 12 移动产品手册 移动产品手册 13 SIM卡接口 – ESD保护和EMI滤波器 从多种器件中选择一款具有三条数字线路并针对供电轨提供额外保护的器件 SD卡接口 – ESD保护和EMI滤波器 IP4264CZ8 – SIM应用 用于保护SD和micro SD卡的集成式小尺寸解决方案 SD存储卡通信基于8-/9引脚接口（时钟、指令、1或4位数据和2/3电源/接地 主要产品：IP4064CX8/LF、IP4364CX8/LF、IP4264CX8-20、IP4264CZ8-40 线路）。 VCC(VSD) ૰ᅤݢᏊ৹ك ຢଲݢᏟ 10 kΩ – 100 kΩ CLK I/O } 3通道SIM卡接口集成RC滤波器阵列 IP4252CZ16 – 应用示意图 GND VCC VCC GND } 所有2G和3G移动电话的频率抑制 IP4252CZ12-6 RST 严格的EMI规范和系统要求 – 针对移动电话设定 –要求滤波器能够减少辐射和/或 VPP 传导EMI，但同时符合接口规格的电气要求。便携式设备持续的微型化趋势意味 100 nF } 为下游器件提供高达±15 kV（接触）的ESD保护，超过IEC 61000-4-2第4级超强ESD 保护要求，具有低箝位电压 } 具有无引线和晶圆级芯片级封装，间距为0.5或0.4 mm，简化设计，节约空间 brb448 IEC61000-4-2 ݕ4ৃ ֦॓ሞਰ R1 R2 R3 VCC(V SD ) D1 DAT3/CD DAT3/CD ଲ > 270 kΩ, DAT2 ฬ෧ፎถિྈᅍܿ ఠݢ൶ D2 ငଐ A1 ྆ሞฏ 1 } 集成偏置电阻网络，以减少元件数量，释放PCB板上的额外空间 D3 2 3 VCC 4 R13 A R12 R11 CLK CMD } 用于内部USB连接保护的额外保护二极管 50 kΩ ຢଲ CMD IP4340CX15 – 引脚配置和原理图 } EMI滤波、抑制多余射频、与SD接口物理信号相结合 C3 100 W } 3通道SIM卡接口集成RC滤波器阵列 SET_CLR_CARD_DETECT (ACMD42) CLK } 符合IEC61000-4-2标准的高电平ESD保护，通常超过最高的第4级规格 B3 47 W C1 恩智浦SD存储卡接口调节器件完全支持该趋势并提供如下接口调节功能： A3 100 W B1 } 增加额外连接器引脚，以便使用USB的同时，提供出色的EMI滤波和ESD保护 GND 中集成偏置电路/电阻。 IEC61000-4-2 ݕ1ৃ ֦॓ሞਰ 用于SIM卡保护，带USB连接引脚的主要产品：IP4365CX11 DAT0 DAT3/CD DAT2 着，可能的话，具有ESD保护和EMI过滤功能的接口设备也需要在单个小型封装 IP4365CX11 – SIM应用 A1 SD ڿ܃ DAT1 DAT1 DAT0 CLK CMD ᎐ਾଁ VPP } 集成100 Ω/100 Ω/47 Ω系列通道电阻 B DATA0 DATA1 A2, C2 DATA2 C } 集成100 Ω/100 Ω/47 Ω系列通道电阻 DATA3 008aaa216 R10 R9 R1 SDCLK R2 SDCMD R3 SDDATA0 R4 SDDATA1 R5 SDDATA2 R6 SDDATA3 D } 为下游器件提供高达±15 kV（接触）的ESD保护，超过IEC 61000-4-2，第4级 aaa-003573 IP4264CZ8 – USIM应用 ဃಖ࠾༄ဇ GND aaa-003575 } 晶圆级芯片级封装，间距为0.4 mm，以简化设计和节省空间 VSIM D3 RST CLK I/O USB A1 R1 A3 100 W B1 R2 B3 47 W C1 R3 C3 100 W VCC GND RST SPU CLK I/O AUX1 AUX2 D1 D+ SIM/፠ A2, C2 008aaa217 产品细节 型号 Cline (pF) 间距 (mm) 封装 尺寸（mm） IP4064CX8 <20 pF 0.5 mm CSP 1.41 x 1.41 mm IP4364CX8 <20 pF 0.4 mm CSP 1.16 x 1.16 mm IP4365CX11 <10 pF 0.4 mm CSP 1.16 x 1.56 mm IP4366CX8 <10 pF 0.4 mm CSP 1.16 x 1.16 mm IP4264CZ8 10 pF / 40 pF 0.4 mm 塑料 1.35 x 1.75 mm IP4340CX15 D2 D− নܕ 主要产品： } 为单个SD卡接口的六个通道提供EMI滤波和ESD保护 } 数据线路的上拉电阻已经集成，以节约PCB空间，减小应用尺寸 } 1.56 mm x 1.56 mm晶圆级芯片级封装 (WLCSP)，采用单芯片半导体技术制造 } 在连接器端终端，根据IEC 61000-4-2测试条件，ESD保护高于15 kV 其他产品： 应用 特性 3 dB频率 (MHz) 封装 尺寸（mm） IP4340CX15 SD3.0和2.0 小型SD3.0解决方案 ~ 450 WLCSP15 1.56 x 1.56 x 0.5 mm IP4357CX17 SD 2.0 800 MHz时，高度衰减 ~ 190 WLCSP17 1.1 x 2.4 x 0.61 mm IP4251CZ12-6-TTL SD 2.0 800 MHz时，高度衰减 ~ 300 DFN2514-12 (SOT1167) 2.5 x 1.35 x 0.53 mm IP4252CZ12-6-TTL SD 2.0 低通频带插入损耗 ~ 300 DFN2514-12 (SOT1167) 2.5 x 1.35 x 0.53 mm 型号 无EMI滤波的备选ESD保护方案主要产品 PESD5V0V4Ux – SIM应用 ᇧݢވय़ SIM ֦॓ PESD5V0V4Ux产品系列 } 单向四倍ESD保护二极管阵列 I/O VPP CLK RST } 小型SMD塑料封装和DFN塑料封装 1 } 线路电容：12 pF/15 pF（典型值） PESD5V0F5UF和PESD5V0F5UV ፚ ਾଁ 5 2 GND 3 4 bra228 } 单向五倍ESD保护阵列 } 小型DFN1006-3、DFN1410-6和SOT666塑料封装 } Femtofarad线路电容：0.55 pF（典型值） } 符合AEC-Q101标准 www.nxp.com/products/esd_emi_and_signal_conditioning/application_specific_esd_and_esd_emi_solutions/sd_sim_ card_and_mmc_esd_protection_and_emi_filter/ 14 移动产品手册 下载关于SD (HD) 存储卡 和MMC接口条件的 应用笔记。 更多有关恩智浦SIM和 SD卡解决方案的信息 www.nxp.com/documents/application_note/AN10911.pdf 移动产品手册 15 充电器接口 无线充电 智能手机中的电池MOSFET 低RDSon是关键 电话不再需要充电线，让充电更简单 在传统充电电路中，“电池MOSFET”用于切断电池，例如在温度超标、（放电）充电电 流过高或过压/欠压条件下。该MOSFET中的低RDSon值至关重要，可将损耗降至最低。 ༇ݢኑ ڗݢMOSFET ஂ˖PMPB 15XP 主要产品：PMPB15XP – 12 V单通道P沟道MOSFET 多标准无线充电板 – 采用高效的小尺寸MOSFET和肖特基整流器 – ෧४ಠڗݢ ݢڣධ 今天的智能手机通常工作时间都有限。无线充电则非常方便，并且直接了当： 您只需将手机置于集成入书桌或工作台表面（如在办公室、在家或在咖啡厅 ݢڗݢᅼ৹ك 里）的充电板上。 } VGS = 4.5 V时，具有极低的RDSon：15 mΩ } 封装于0.65 mm扁平、小型2 x 2 mm DFN2020MD-6封装中，带镀锡可焊接侧焊盘 ݢڗݢ৹ك 在充电板中，MOSFET通过一个铜线圈的绕组来驱动电流，将感应能量传输至 手机。在手机内部，则采用专用集成电路或MOSFET来在接收器线圈后进行同 MOSFET还用于充电器的通道元件中，这类元件将USB Vbus线路与内部电源隔离 步整流。此外，肖特基二极管可提高整流器的效率。 （“USB OTG Vbus保护”）。这里可以在反向配置中采用双MOSFET。 PMDPB58UPE 采用DFN2020-6 (SOT1118)，一种0.65 mm扁平型、2 x 2 mm无引线封装的主要产品 Q1 Q2 VBUS }额外热沉设计，具有最佳热性能 PMU GND 主要产品： GND PMDP58UPE – 双P沟道、ESD保护MOSFET 效率极高的低RDSon MOSFET，采用2 x 2 mm DFN2020封装，带镀锡可焊接侧焊盘 } ESD保护MOSFET器件：>2 KV HBM } VGS = 4.5 V时，具有极低的RDSon：<58 mΩ PMPB70XP – 30 V双P沟道MOSFET } 低压门驱动操作RDSon额定值：1.8 V } VGS =4.5 V时，具有极低的RDson：70 mΩ 型号 极性和配置 VDS (V) RDSon典型值 (mΩ) (VGS = 4.5 V) 封装 PMPB12UN N沟道，单 20 12 DFN2020MD-6 DFN2020MD-6 N沟道，单 20 15 N沟道、双、ESD保护 20 85 DFN2020-6 PMPB16XN N沟道，单 30 16 DFN2020MD-6 PMPB40SNA N沟道，单 60 40 DFN2020MD-6 PMPB33XP P沟道、单 20 33 DFN2020MD-6 PMPB48EP P沟道、单 30 43 DFN2020MD-6 PMPB15XN PMDPB85UPE 充电器接口中的电涌保护 效率极高的低VF和IR肖特基二极管，采用超小型封装，带镀锡可焊接侧焊盘 IF最大值 (A) VR最大值 (V) VF最大值 (mV) @ IF最大值 IR最大值 (mA)（VR最大值） 优化 封装 0.5 20 410 0.3 低VF DFN1608D-2 PMEG2010EPK 1 20 415 0.6 低VF DFN1608D-2 PMEG2015EPK 1.5 20 420 0.9 低VF DFN1608D-2 PMEG2020EPK 2 20 450 0.9 低VF DFN1608D-2 但是它们通常对于电涌事件非常敏感。为了保护电路不受电涌影响，一个TVS二极管被置于USB连接器的Vbus PMEG4005EPK 0.5 40 590 0.01 低IR DFN1608D-2 线路上。此外，还可以与电池并联齐纳或ESD保护二极管，以保护电池不受短时间过压峰值的影响。 PMEG4010EPK 1 40 600 0.02 低IR DFN1608D-2 PMEG4015EPK 1.5 40 610 0.03 低IR DFN1608D-2 PMEG4020EPK 2 40 660 0.03 低IR DFN1608D-2 PMEG2010BELD 1 20 490 0.2 低VF DFN1006D-2 PMEG3005BELD 0.5 30 500 0.5 低VF DFN1006D-2 型号 采用强劲TVS和齐纳二极管保护电池 PMEG2005EPK 具有大显示屏的智能手机通常具有高电容电池，以便为用户提供足够的使用时间。为了拥有合理的充电时间， 此类手机通常将专用的充电IC与过压保护电路结合使用。虽然此类电路在永久过压条件下可对电池进行断电， 主要产品： 无线充电应用 } PTVS12VS1UR：12 V、400 W单向瞬变电压抑制器 (TVS)，采用SOD123W FlatPower封装 (2.6 x 1.7 x 1 mm) } PTVS26VS1UR：16 V、400 W单向瞬变电压抑制器 (TVS)，采用SOD123W FlatPower封装 (2.6 x 1.7 x 1 mm) } BZX884-C5V6：16 V、低功耗稳压二极管，采用超小型DFN1006-2塑封 } TDZ5V6J:5.6 V通用齐纳二极管，采用SOD323F超小型扁平引脚塑封 power 下载关于如何保护移动 设备充电器的应用笔记 阅读更多有关移动设备 无线充电的信息 1 Vbus /+5V TVS ߗস࣏ ඤೆߗস࣏ ࣰᅼ֦॓௸ݢ ݢኑ࣏୲ܠኇ data Micro USB Vbat ݢڣዹ GND www.nxp.com/documents/application_note/AN10910.pdf 16 移动产品手册 ᇧݢވय़ www.nxp.com/news/whats-cooking-in-rd/wireless-charging.html 移动产品手册 17 2–3个引脚 4–6个引脚 8–10个引脚 12–32个引脚 (SOT984) 2.5 x 1.35 x 0.48 DFN2514U-12 (SOT983) 1.7 x 1.35 x 0.48 DFN1714U-8 (SOT1216) 1.0 x 1.0 x 0.37 DFN1010B-6 (SOD882D) 1.0 x 0.6 x 0.37 DFN1006D-2 (SOT1167) 2.5 x 1.35 x 0.53 DFN2514-12 (SOT1159) 3.3 x 1.2 x 0.48 (SOT1176) 2.5 x 1.0 x 0.48 (SOT985) 3.3 x 1.35 x 0.48 (SOT1333) 2.5 x 2.0 x 0.48 DFN2520-9 (SOT1189) 1.6 x 1.6 x 0.48 DFN1616-6 (SOT1215) 1.1 x 1.0 x 0.37 DFN1010D-3 DFN3314U-16 DFN2510A-10 (SOT886) 1.45 x 1.0 x 0.48 DFN1410-6 (SOD882) 1.0 x 0.6 x 0.48 DFN1006-2 DFN3312-16 (SOT1178) 2.1 x 1.0 x 0.48 DFN2110-9 (SOT1166) 1.7 x 1.35 x 0.52 DFN1714-8 DFN1010C-4 DFN1010-6 (SOT1194) 1.0 x 1.0 x 0.52 (SOT883) 1.0 x 0.6 x 0.48 (SOT883B) 1.0 x 0.6 x 0.37 (SOT891) 1.0 x 1.0 x 0.48 DFN1006-3 DFN1006B-3 分立式无引线封装的最大供货商 (SOT1158) 2.5 x 1.2 x 0.48 DFN2512-12 (SOT1157) 1.7 x 1.2 x 0.48 DFN1712-8 (SOT1202) 1.0 x 1.0 x 0.33 DFN1010E-6 (SOD962) 0.6 x 0.3 x 0.3 DSN0603-2* 超级小巧中功率 (SOT1168) 3.3 x 1.35 x 0.53 (SOT1197) 2.6 x 2.6 x 0.48 DFN2626-10 (SOT1118) 2.0 x 2.0 x 0.62 DFN2020-6 (SOD1608) 1.6 x 0.8 x 0.37 DFN1608D-2 DFN3314-16 我们广泛的分立式扁平无引线产品组合 (SOT617) 5.0 x 5.0 x 1.0 DFN5050-32 (SOT873-1) 3.3 x 3.3 x 1.0 DFN3333-8 (SOT1220) 2.0 x 2.0 x 0.62 DFN2020MD-6 (SOT1061) 2.0 x 2.0 x 0.62 DFN2020-3 技术资料 恩智浦同时提供特别适合移动设备的各种电源管理和逻辑解决方案。欲了解更多信息，请 查看这些文档： 下载适合便携式设备电源管理解决方案的LDO和DC-DC降压转换器应用指南 www.nxp.com/documents/brochure/939775017406.pdf 下载关于SD 3.0信号调节器IP4755CZ24和IP4855CX25的产品传单 www.nxp.com/documents/leaflet/939775017446.pdf 下载AXP逻辑系列产品的宣传单。先进的极低电压和功耗逻辑 解决方案 – 专为便携式应用设计：www.nxp.com/documents/leaflet/75017461.pdf 选型指南 – 可供下载的目录pdf版本 分立半导体选型指南 www.nxp.com/discrete_selection_guide 通用逻辑解决方案 www.nxp.com/documents/brochure/75017351.pdf 联系我们的销售办事处和经销商 专业的销售人员和经销商团队将为您提供区域级支持： http://www.nxp.com/profile/sales 下载恩智浦应用程序 – 适用于iPhone、iPad、iPod Touch或Android的免费应用程序 使用该免费恩智浦应用程序，工程师们可以在iPhone、iPad和iPod Touch或Android系统中搜索、购买和分享恩智 浦产品组合中多达1万种产品元件： http://www.nxp.com/news/mobile-app.html *分立式硅芯片，无引线 文档编号：9397 750 17441