AN202453 从 GL-P 和 GL-S 移植到 GL-T 闪存 作者：Gernot Hoyler 相关器件系列：S29GL-P/S/T AN202453 概述了将赛普拉斯 GL-P 和 GL-S 移植到 GL-T 闪存系列时相互间的差异和潜在问题。它还讨论了相关器件的特性、 时序参数以及封装类型。 目录 1 2 3 1 简介 ........................................................................... 1 GL-P、 GL-S 和 GL-T 闪存特性比较......................... 1 特性差异讨论 ............................................................ 3 3.1 容量 .................................................................. 3 3.2 扇区架构 ........................................................... 3 3.3 数据总线宽度 .................................................... 3 3.4 读取页面缓冲区容量 ......................................... 3 3.5 写缓冲器大小 .................................................... 3 3.6 高电压加速编程 ................................................. 3 3.7 自动选择寄存器存取 ......................................... 3 3.8 器件识别号 ....................................................... 4 3.9 解锁旁路 ........................................................... 4 3.10 多扇区擦除 ....................................................... 4 3.11 安全硅 OTP 区域 ...............................................4 3.12 单个扇区写入保护 .............................................5 3.13 数据轮询 ............................................................5 3.14 状态寄存器 ........................................................5 3.15 空白检查 ............................................................6 3.16 连续检查 ............................................................6 3.17 CFI 寄存器 .........................................................6 3.18 锁定寄存器差异 .................................................8 4 上电复位和热复位时序............................................... 9 5 直流和交流参数差异 ................................................ 10 6 封装 ......................................................................... 11 文档修订记录 ....................................................................13 全球销售和设计支持 .........................................................14 简介 赛普拉斯继续扩展 3 V NOR 闪存的 MirrorBit® GL 系列，为您介绍了基于 45 nm 工艺技术的 GL-T 并行 NOR 闪存 系列。赛普拉斯在开发 GL-T 闪存系列时考虑了移植性，在 GL-P 和 GL-S 闪存开发的大多数现有应用可以直接移植 到 GL-T。这份资料概述了移植到 GL-T 闪存时需要的注意事项。 2 GL-P、 GL-S 和 GL-T 闪存特性比较 表 1 概述 GL-P、 GL-S 和 GL-T 闪存系列的特性。 45 nm MirrorBit GL-T 闪存支持上一代闪存系列 （如 GL-P）的 某些特性，这些特性 GL-S 闪存不具备。另外，GL-T 闪存还保留了基本的硬件和软件特性，通过这些特性，用户可 采用 GL-P 和 / 或 GL-S 闪存的现有设计。更多有关特性差异的信息，请参考第 3 页上的第 3 章，特性差异讨论。 更多有关上电复位 （POR）时序差异的信息，请参考 第 9 页上的第 4 章，上电复位和热复位时序。 更多有关直流和交流电特性差异，请参考第 10 页上的第 5 章，直流和交流参数差异。 更多有关引脚和封装类型的信息，请参考第 11 页上的第 6 章，封装。 www.cypress.com 文档编号：002-03928 版本 ** 1 从 GL-P 和 GL-S 移植到 GL-T 闪存 表 1. GL 系列特性比较 系列 S29GL-P 90 nm S29GL-S 65 nm S29GL-T 45 nm 移植问题 128 Mbit – 有 256 Mbit – 有 容量 512 Mbit 无 1024 Mbit 无 2048 Mbit （多芯片） （多芯片） （多芯片） 无 无 扇区架构 统一 128 kB x16 数据总线宽度 无 x8 数据总线宽度 – 无 访问 异步 无 读取页面模式 无 读取页面大小 16 字节 32 字节 32 字节 无 写入缓冲器大小 64 字节 512 字节 512 字节 无 单个扇区写入保护 无 安全 OTP 区域 256 个字节 2 x 512 字节 2 x 512 字节 也许 安全性 其他 12 V 加速编程 – 无 解锁 Bypass 命令 – 无 多扇区擦除 – 无 Blank 检查 – 无 连续检查 – – 无 高电压 Autoselect 访问 – – 也许 CFI 版本 1.3 1.5 1.5 也许 通过 Data Polling 检查状态 无 通过状态寄存器检查状态 – 无 56 引脚 TSOP 无 64 球形焊盘 BGA 10 x 13 mm （FAA064） – – 有 64 球形焊盘 BGA 11 x 13 mm （LAA064） 无 64 球形焊盘 BGA 9 x 9 mm （LAE064） – 无 56 球形焊盘 BGA 9 x 7 mm （VBU056） – – 无 SnPb 焊料选项 （RoHS 5/6） – 也许 包装和订购选项 www.cypress.com 文档编号：002-03928 版本 ** 2 从 GL-P 和 GL-S 移植到 GL-T 闪存 3 特性差异讨论 3.1 容量 S29GL-T 闪存有单片 128、256、512 和 1024 Mb 等容量。另外，多芯片 S70GL-T 闪存还支持 2048 Mb 大小的容 量。超过上述容量的闪存不可移植。 3.2 扇区架构 GL-T 闪存采用统一的 128 kB 扇区架构，与 GL-N 和 GL-P 闪存相同。 3.3 数据总线宽度 GL-T 闪存支持 x16 和 x8 的数据总线宽度，例如：它与所有的上一代闪存系列 （包含 GL-S：仅支持 x16 模式）兼 容。 BYTE# 输入信号 （56-TSOP 的针脚 53 和 64-BGA 的球形焊盘 F7）用于确定正在使用的模式。 GL-T 闪存具 有一个内部上拉电阻，因此，它能够与 GL-S 应用 （不驱动 BYTE# 信号）兼容。 3.4 读取页面缓冲区容量 与 GL-S 闪存相同，GL-T 具有一个 32 字节（16 字）的读取页面缓冲区，它的大小是 GL-P 闪存的两倍，因此可执 行更大容量的处理器缓存行填充操作。以 GL-P 闪存支持的 16 字节最大读取页面传输功能运行时，不需要进行任何 软件修改。 为了充分利用更大容量的 GL-T 读取页面缓冲区，软件可以进行相应的修改，查询位于 CFI 字偏移 4Ch 的 CFI 页面 模式寄存器和配置软件以执行更多页面模式读取周期。 3.5 写缓冲器大小 GL-T 闪存具有一个 512 字节 （256 字）的写缓冲区，即：与 GL-S 闪存一样大，该大小是 GL-P 闪存的 8 倍。 写缓冲区容量越大，编程吞吐量越高，因此与大多数文件系统的数据对齐能力越好。以 GL-P 闪存支持的 64 字节最 大写缓冲区填充功能运行时，不需要进行任何软件修改。 为了充分利用更大容量的 GL-T 写缓冲区，软件可以进行相应的修改，查询位于 CFI 字偏移 2Ah 的 CFI 编程缓冲器 容量寄存器和配置软件以执行更大容量的写缓冲区填充。建议在多个 32 字节大小的页面上执行 GL-T 缓冲区写入操 作，从而能最大化数据完整性。将 GL-T 闪存使用于扩展的工业范围 （-40°C ~ +105°C）时， 该建议具有强制性。 例如，使用 1 ~ 16 个 32 字节页面的数据加载写缓冲区会使这些数据通过一次操作就能被编写到阵列中。 3.6 高电压加速编程 与 GL-P 闪存相同，当 VHH （额定值为 12 V）被应用于 WP#/ACC 输入时， GL-T 闪存不支持加速编程操作。对于 不支持该性能的基于 GL-S 闪存的现有设计，不需进行任何修改。 3.7 自动选择寄存器存取 自动选择寄存器通过各个特殊的识别代码来提供供应商和设备识别号。 GL-T 和 GL-S 闪存只支持通过自动选择命令 （也称为 ID 进入命令）的自动选择寄存器访问，这就是 GL-P 闪存与 上述两种闪存的不同点，它支持通过自动选择命令和高压方式的自动选择寄存器访问。使用高压方式时，需要将VID （额定值为12 V）应用到地址输入A9端。如果现有设计支持通过高压方式的自动选择寄存器访问，则必须对其修改。 在 GL-P 闪存中，自动选择寄存器覆盖扇区地址零 （SA00）。在 GL-S 和 GL-T 闪存中，自动选择寄存器会覆盖掉 通过自动选择进入命令所选择的扇区。在现有 GL-P 和 GL-S 设计中访问 GL-T 闪存自动选择寄存器时，不需要修改 软件。 扇区锁定状态可通过访问所需扇区内的自动选择寄存器字偏移 02h 来确定。在 GL-P 闪存中，可通过在闪存基准地 址进入自动选择模式来确定多个扇区的锁定保护状态。对于 GL-T 和 GL-S 闪存，只能确定在自动选择进入命令中 所选扇区的保护状态。如要确定其他扇区的锁定保护状态，必须退出自动选择模式，然后在自动选择进入命令中使 用所需的扇区重新进入。 www.cypress.com 文档编号：002-03928 版本 ** 3 从 GL-P 和 GL-S 移植到 GL-T 闪存 3.8 器件识别号 单片 512 Mb 和 1024 Mb 大小的 GL-T 闪存器件与相应容量的 GL-P 和 GL-S 闪存具有相同的器件识别号寄存器值。 S70GL02GT 闪存与 S70GL02GP 和 S70GL02GS 闪存具有相同的器件识别号。 表 2. GL 闪存设备的识别号 说明 地址 读取数据 设备识别号字 1 (SA) + 0001h 227Eh 设备识别号字 2 (SA) + 000Eh 2248h = 2 Gb 2228h = 1 Gb 2223h = 512 Mb 设备识别号字 3 (SA) + 000Fh 2201h 对于现有的支持 GL-P 或 GL-S 闪存并且使用器件识别号来设置软件命令支持的软件，不需要进行任何修改即可启 用 GL-T 闪存的兼容功能。为了充分利用 GL-T 的新功能，应使用特定的 CFI 寄存器查询。 CFI 字偏移 45h 位置的 CFI 工艺生成位可在系统内确定唯一的 GL 系列，例如：GL-P：0014h、 GL-S: 001Ch、 GL-T: 0024h。 对于 GL-T 闪存，设备识别号只能通过软件自动选择寄存器命令访问，而不能使用在 GL-P 闪存上可选的高压方式。 请参考第 4 页上的自动选择寄存器访问部分的内容。 3.9 解锁旁路 解锁旁路模式编程是一项原有功能，当使用单字节 / 字编程命令执行编程时，可将命令循环负担降低 50%。使用高 容量 GL 设备的应用依靠多字写缓冲区编程使编程吞吐量最大化。写缓冲区编程本身是一个低效率命令，并能支持 单字节 / 字编程。 与 GL-P 闪存相同，GL-T 闪存支持解锁旁路模式编程。对于不支持该性能的基于 GL-S 闪存的现有设计，不需进行 任何修改。 3.10 多扇区擦除 多扇区擦除是一项原有功能，允许在一个命令中进行多个扇区擦除操作，从而尽量减轻命令负担。 与 GL-P 闪存相同，GL-T 闪存支持执行多扇区擦除的操作。对于不支持该性能的基于 GL-S 闪存的现有设计，不需 进行任何修改。 3.11 安全硅 OTP 区域 S29GL-T 闪存拥有 2048 字节大小的一次性可编程 （OTP）存储器。该安全硅区域 （SSR）被分成四个区域：低 位 512 B 区域， SSR0 （工厂可修改区域）以及三个高位 512 B 区域：SSR1 ~ SSR3 （客户可修改区域）。在订购 时，可要求工厂对 SSR0 预编程。 SSR0 为工厂锁定区域，客户不能修改。只有在写入安全硅进入命令后才能访问 安全硅区域，它被映射到进入命令期间所选扇区的低位 1 kB。 SSR0 覆盖所选扇区的字偏移 0x0000 到 0x00FF。 SSR1、SSR2 和 SSR3 分别覆盖了所选扇区的字偏移 0x0100 ~ 0x01F、0x0200 ~ 0x02FF 和 0x0300 ~ 0x03FF 空 间。在安全硅访问模式下， 2 kB 安全硅区域之外的存储区没有定义区域。 同样的， S29GL-S 闪存有 1024 字节大小的一次性可编程 （OTP）存储器。该存储器被分成两个 512 B 大小的区 域：SSR0 和 SSR1。并和 GL-T 闪存具有相同的功能。 GL-P 闪存在安全硅扇区区域中有 256 B 的 OTP。在订购时，可要求工厂对该区域预编程和锁定；否则，用户可对 其编程和锁定。该区域只能在安全硅访问模式下访问，它覆盖了 SA0 的字 0x0000 到 0x007F 的空间。它的安全硅 锁定寄存器位的使用也与 GL-T 和 GL-S 闪存不同。工厂将 GL-T 锁定寄存器位 0 编程为 0，用于表示 SSR 寄存器 0 已经被锁定。另外， 还会将 GL-T 锁定寄存器位 6、 9 和 10 预设为 1，用于表示 SSR1-SSR3 区域是解锁状态， 并且客户可以通过将其编程为 0 来锁定。 GL-P 锁定寄存器位 0 被默认预设为 1，用于表示安全硅区域处于解锁状 态。如果订购了工厂预编程，则可能在出厂时设置为 0，或者由客户编程为 0 以锁定安全硅区。 S70GL02GT 闪存实际上有两个 1 kB 大小的 OTP 区域，每个 GL01GS 芯片中一个。为了访问高位区域，请在安全 硅寄存器访问命令周期内设置闪存输入 A26 = 1。 3.12 单个扇区写入保护 GL-T 闪存支持高级扇区保护 （ASP）功能，可通过用户配置的 8 字节密码以及非易失性和易失性控制为扇区提供 软件使能的编程和擦除保护，这一点与 GL-S 和 GL-P 闪存相同。 www.cypress.com 文档编号：002-03928 版本 ** 4 从 GL-P 和 GL-S 移植到 GL-T 闪存 3.13 数据轮询 GL-T 闪存支持原有的数据轮询方式，可确定嵌入式编程和擦除操作的状态。该方式与 GL-S 和 GL-P 闪存相同，当 移植到 GL-T 闪存时，不需要修改软件即可继续使用数据轮询例程。 如果 GL-T 闪存发生 DQ5 超时事件，则需要通过软件复位命令来清除 DQ5，并使闪存返回到就绪状态。这时，大 概需要 100 ns 的时间才能使闪存停止通讯，因为它正忙于执行该复位命令。对于 GL-S 闪存，则需要 2 µs 的时间。 请注意，未来形状更小的工艺 MirrorBit GL 闪存系列产品中，可能不支持数据轮询。在不支持数据轮询的情况下， 可以通过读取状态寄存器来确定嵌入式编程和擦除操作的状态。 3.14 状态寄存器 GL-T 闪存支持将状态寄存器读取，作为数据轮询的备用方法，用于确定嵌入式操作的状态。状态寄存器读取功能 也适用于 GL-S 闪存，但不使用于 GL-P。 可通过一个两周期秩序的操作来访问 16 位状态寄存器：先是对读取状态寄存器命令执行的写入周期，然后是对同 一目标扇区地址执行的读取周期。使用状态寄存器功能时，软件不需要通过跟踪活动地址区域或比较连续轮询读取 值来确定嵌入式算法的状态，单个状态寄存器可提供确定闪存状态。因此，它与原有的数据轮询更有优势。可以通 过清除状态寄存器命令对状态寄存器中最后完成嵌入式操作的部分进行复位。 状态寄存器是一项可选功能；所以，不要求所有采用 GL-P 闪存的现有设计都支持该功能。需要时，可以修改软 件，使其在自动选择模式下查询位于偏移 000Ch 的低软件位，从而利用该功能。如果设置了位 0，则可以使用状 态寄存器功能。 更多有关实施状态寄存器的信息，请参考 GL-S 闪存数据手册。请在表 3 中查找状态寄存器的定义。 表 3. 状态寄存器位定义 状态寄存器位 说明 名称 复位值 繁忙状态 x 无效 x 7 器件准备就绪位 DRB 1 0 1 6 擦除挂起状态位 ESSB 0 无效 0：没有擦除被挂起 1：擦除被挂起 5 擦除状态位 ESB 0 无效 0：擦除成功 1：擦除失败 4 编程状态位 PSB 0 无效 0：编程成功 1：编程失败 3 写入缓冲器中止状态位 WBASB 0 无效 0：编程不被中止 1： 编程操作在执行写入 缓冲器命令期间被中止 2 编程挂起状态位 PSSB 0 无效 0：没有编程被挂起 1：编程挂起 15:8 保留 准备就绪状态 1 扇区锁定状态位 0 连续检查 SLSB 0 无效 0：扇区在操作期间不被 锁定 1：扇区被锁定引起操作 故障 CC 0 无效 0：未检测到连续检查 Pattern 1：检测到连续检查 Pattern 注意： 1. 保留位 15 到位 8 将来使用，它们可能显示为 0 或 1。检查状态时，应忽略 （屏蔽）这些位。 2. 3. 4. 5. www.cypress.com 当器件中没有任何嵌入式算法被执行时，位 7 的值为 1。 只有位 7 的值为 1 时，位 6 到位 0 才有效。 冷复位或热复位会将所有位置于它们的复位状态。 清除状态寄存器命令或软件复位命令会将位 5、位 4、位 3 和位 1 清除为 0。 文档编号：002-03928 版本 ** 5 从 GL-P 和 GL-S 移植到 GL-T 闪存 7. 发送擦除挂起命令时，用户必须继续读取状态，直至 DRB 的值变为 1 为止。 擦除恢复命令会将 ESSB 清除为 0。 8. ESB 反映了最近擦除操作成功或失败的状态。 9. PSB 反映最近编程操作的成功或失败状态。 在擦除挂起期间，对挂起的扇区编程会导致编程失败并将编程状态位设为 1。 发送编程挂起命令时，用户必须继续读取状态，直到 DRB 的值变为 1 为止。 6. 10. 11. 3.15 12. 编程恢复命令会将 PSSB 的值清除为 0。 13. SLSB 指明编程或擦除操作因扇区锁定而失败。 14. SLSB 反映最近编程或擦除操作的状态。 空白检查 与 GL-S 闪存相同，GL-T 支持扇区空白检查功能，允许系统软件在代码更新之前尽量减少与擦除相关的等待时间。 该功能是可选的，并不支持 GL-P 闪存。新添加的空白检查功能不会影响现有的设计。更多有关实现空白检查功能 的信息，请参考 GL-T 数据手册。 3.16 连续检查 GL-T 数据手册中涵盖了连续检查功能的详细信息。通过该功能，可以对封装连接器同每个芯片焊盘和多芯片封装 内各个单独芯片间的连接进行基本的测试。该功能是可选的，并不支持 GL-S 和 GL-P 闪存。它不会影响现有的设 计。更多有关实现连续检查功能的详细信息，请参考 GL-T 数据手册。 3.17 CFI 寄存器 表 4 提供所有通用闪存接口 （CFI）寄存器值的列表， GL-T、 GL-S 和 GL-P 闪存系列的这些值并不相同。软件可 以访问 CFI 寄存器，以确定与设备相关的功能，如：阵列大小、命令集、页面大小以及编程时间并使用这些内容进 行自我配置，从而使性能最佳。 GL-T 和 GL-S 支持 CFI 版本 1.5，它是 GL-P 闪存支持的原有 CFI 版本 1.3 的扩展 地址范围修订版。 表 4. CFI 寄存器差异 （表 1/2） www.cypress.com CFI 寄存器 字偏移 GL-P GL-S GL-T 单字写入的典型超时时间为 2N µs 1Fh 0006h 0008h 0008h 单个块擦除的典型超时时间为 2Nms 21h 0009h 0008h 000Ah 整个芯片擦除的典型超时时间为 2N ms （00h = 不支持） 22h 单字编程的最大超时时间为典型值的 2N 倍 23h 0003h 0001h 最大多字节编程最大超时时间为典型值的 2N 倍 24h 0005h 0002h 单个块擦除的最大超时时间为典型值的 2N 倍 25h 0003h 0003h 0002h 整个芯片擦除的典型超时时间为典型值的 2N 倍 （0000h = 不支持） 26h 0002h 0003h 0002h 闪存设备接口描述 0000h = 仅 x8， 0001h = 仅 x16， 0002h = x8/x16 可选 28h 0002h 0001h 0002h 多字节写入的最多字节数 = 2N 2Ah 0006h 0009h 0009h 次版本号， ASCII 44h 0033h 0035h 0035h 工艺技术 （位 5-2）： 0101b = 90 nm MirrorBit， 0111b = 65 nm MirrorBit Eclipse， 1001b = 45 nm MirrorBit， 地址敏感解锁 （位 1-0）： 00b = 要求， 01b = 不要求 45h 0014h 001Ch 0024h 0013h （1 Gb） 0012h （1 Gb） 0014h （1 Gb） 0012h （512 Mb） 0011h （512 Mb） 0013h （512 Mb） 0011h （256 Mb） 0010h （256 Mb） 0010h （128 Mb） 000Fh （128 Mb） 文档编号：002-03928 版本 ** 0002h （85°C） 0003h （105°C） 0001h （85°C） 0002 （105°C） 6 从 GL-P 和 GL-S 移植到 GL-T 闪存 表 4. CFI 寄存器差异 （表 2/2） CFI 寄存器 字偏移 GL-P GL-S GL-T 页面模式 0002h = 8 字页面， 0003h = 16 字页面 4 通道 0002h 0003h 0003h ACC （加速）引脚的最小供电电压 0000h = 不受支持， D[7:4] = V， D[3:0] = 100 mV 4Dh 00B5h 0000h 00B5h ACC （加速）最大供电电压 0000h = 不受支持， D[7:4] = V， D[3:0] = 100 mV 4Eh 00C5h 0000h 00C5h 解锁旁路 0000h = 不受支持， 0001h = 受支持 51h – 0000h 0001h 安全硅扇区 （用户 OTP 区域）的大小为 2N 字节 52h – 0009h 0009h 软件特性 53H – 008Fh 008Fh 读取页面大小 = 2N 字节 54H – 0005h 0005h N 55H – 0006h 0006h N 最长的编程挂起超时时间 < 2 µs 56h – 0006h 0006h 最长的嵌入式硬件复位超时时间 < 2N µs 78h – 0006h 0006h 最长的非嵌入式硬件复位超时时间 < 2N µs 79h – 0009h 0009h 最长的擦除挂起超时时间 < 2 µs 特定软件驱动程序验证 CFI 寄存器中的特定值，以确定是否支持特定闪存。Linux MTD 驱动程序分别验证位于 CFI 寄存器字偏移 43h 和 44h 的主次版本号条目（ASCII），以确定 MTD 中是否内置了与设备相关的支持。GL-P 闪存 的主版本号值是 0031h （ASCII ‘1’），次版本号值是 0033h （ASCII ‘3’），这说明 CFI 寄存器符合 CFI 1.3 标准。 GL-T 和 GL-S 闪存的主版本号值是 0031h （ASCII ‘1’），次版本号值是 0035h （ASCII ‘5’），这说明 CFI 寄存器符合 CFI 1.5 标准。这种差异会导致上一代 MTD 驱动程序无法识别 GL-T 和 GL-S 闪存。在这种情况下， 需要使用一个软件补丁程序来更新 MTD，以满足支持。要想获取相应的 Linux 驱动程序补丁，请访问网址 www.cypress.com。 3.18 锁定寄存器差异 GL-T 安全闪存的锁定寄存器有几处发生变化，请参考表 5。 DQ11…DQ9 锁定位均为 GL-T 闪存新增的特性。在 GL-S 和 GL-P 闪存中，这些位被 “ 保留 ”，并由工厂预置 为 1。 在 GL-T 和 GL-S 闪存中， DQ8“ 保留 ” 位被工厂预置为 0 或 1。在 GL-P 闪存中，该位被被工厂预置为 1。 在 GL-S 闪存中， DQ7“ 保留 ” 位被工厂预置为 0 或 1。在 GL-T 和 GL-P 闪存中，该位被工厂预置为 1。 GL-T 和 GL-S 闪存中的 DQ6（SSR1 锁定位）被工厂预置为 1，客户可将其设置为 0，从而可实现永久性对 512 字节 SSR1 区域进行写保护。在 GL-P 闪存中，该位被 “ 保留 ”，并由工厂预置为 1。 GL-T 和 GL-S 中的 DQ0（SSR0 [ 工厂 ] 锁定位）被工厂预置为 0，从而实现永久性对 512 字节 SSR0 区域进行写 保护。在 GL-P 中，该位可使能由工厂或客户锁定的安全硅区域。如果安全硅区域已在工厂预编程，则该位的 值为 0，从而表示安全硅区域被锁定；否则，它的工厂预置值为 1，并且客户可将其设置为 0，以锁定安全硅 区域。 注意：客户不需要同时进行所有位的编程。这样客户能在选择设备保护方案之前或之后锁定 SSR。编程锁定寄存器 时，所有 “ 保留 ” 位应被写为 1 （屏蔽）。 www.cypress.com 文档编号：002-03928 版本 ** 7 从 GL-P 和 GL-S 移植到 GL-T 闪存 表 5. 锁定寄存器差异 锁定寄存器 GL-P 闪存 GL-S 闪存 GL-T 闪存 位 DQ[15:12] 定义 默认设置 1111b 定义 保留 保留 默认设置 1111b DQ11 保留 1b 保留 1b SSR3 密码模式 锁定位 1b DQ10 保留 1b 保留 1b SSR3 锁定位 1b DQ9 保留 1b 保留 1b SSR2 锁定位 1b www.cypress.com 定义 保留 默认设置 1111b DQ8 保留 1b 保留 0b 保留 0b DQ7 保留 1b 保留 0b/1b 保留 1b DQ6 保留 1b SSR1 锁定位 1b SSR1 锁定位 1b DQ[5:3] 保留 111b 保留 111b 保留 111b DQ2 密码保护模式锁定位 1b 密码保护模式锁定位 1b 密码保护模式锁定位 1b DQ1 永久保护模式锁定位 1b 永久保护模式锁定位 1b 永久保护模式锁定位 1b DQ0 安全硅扇区保护位 1b SSR0 （出厂预设） 锁定位 0b SSR0 （出厂预设） 锁定位 0b 文档编号：002-03928 版本 ** 8 从 GL-P 和 GL-S 移植到 GL-T 闪存 4 上电复位和热复位时序 为了进行初始化，闪存上电复位的时间需要比闪存热复位的时间长。表 6、图 1 和图 2 详细介绍了 GL-T、GL-S 和 GL-P 闪存所需的上电复位和热复位时序的信息。 表 6. 上电复位和热复位时序要求 参数 说明 类型 GL-P GL-S GL-T 上电复位 tVCS VCC 建立到开始第一次访问的时间 最小值 35 µs 300 µs 300 µs tVIOS VIO 建立到第一次访问的时间 最小值 35 µs 300 µs 300 µs tRPH RESET# 为低电平到 CE# 为低电平的时间 最小值 35 µs 35 µs 35 µs 200 ns （2） 200 ns （2） tRP RESET# 从低电平到高电平的时间 最小值 35 µs tRH RESET# 为高电平到 CE# 为低电平的时间 最小值 200 ns 50 ns （2） 50 ns （2） tCEH CE# 为高电平到 CE# 为低电平的时间 最小值 N/A 20 ns 20 ns 35 µs 35 µs 热复位 tRPH RESET# 为低电平到 CE# 为低电平的时间 最小值 35 µs tRP RESET# 为低电平到 RESET# 为高电平的时间 最小值 35 µs 200 ns （2） 200 ns （2） tRH RESET# 为高电平到 CE# 为低电平的时间 最小值 200 ns 50 ns （2） 50 ns （2） tCEH CE# 为高电平到 CE# 为低电平的时间 最小值 不可用 20 ns 20 ns 注意： 1. N/A = 不适用 2. 对于 GL-S 和 GL-T， tRP + tRH 不能小于 tRPH。 图 1. 上电复位时序 注意： tRP + tRH 的和不能小于 tRPH。 图 2. 热复位时序 注意： tRP + tRH 的和不能小于 tRPH。 www.cypress.com 文档编号：002-03928 版本 ** 9 从 GL-P 和 GL-S 移植到 GL-T 闪存 上电时序的差异不应妨碍大多数应用的移植，在这些应用中，闪存直接与在启动对闪存的第一个引导读取访问之前 需要振荡器和 PLL 锁定的主机直接通讯。对于上电 300 µs 时间内会访问闪存的应用，需要对电路进行某些修改， 这样才能移植到 GL-T 闪存。 为了初始化上电后的第一个读取或写周期， GL-T 和 GL-S 需要通过 CE# 从高电平切换为低电平。在 VCC 超过 VCC_min 和 VIO 超过 VIO_min 之后，不要求该切换操作早于 tVC。CE# 必须为高，在 CE# 下降沿前至少 tCEH = 20 ns 时，开始第一次读取。 GL-P 则没有这样的要求，因此，如果不通过修改来使能有效的 CE# 控制，则 CE# 固 定为低的设计不能被移植到 GL-T。 在热复位期间， CE# 会被忽略，但要想在热复位后开始第一次读取或写入循环，则 GL-T 和 GL-S 要求在 RESET# 从低电平转换为高电平之前，CE# 在不早于 tRH 的情况下从高电平转换为低电平。CE# 必须为高电平，在 CE# 下 降沿之前至少 tCEH = 20 ns 时，开始第一次读取。 GL-P 则没有这样的要求，因此，如果不通过修改来使能有效的 CE# 控制，则 CE# 固定为低的设计不能被移植到 GL-T。 GL-T 允许 VIO 与 VCC 同时上升或在 VCC 之后上升，对于时间和电压差异也没有限制。在电源上升期间，不允许 任何输入超过 VIO。 GL-T 和 GL-S 数据手册提供了关于电源管理和控制的详细使用说明，用于设计强大可靠的系 统。一般而言， GL-T 数据表中的这个附加指南同样适用于 GL-P 闪存。 5 直流和交流参数差异 表 7 提供直流规格的差异对照表。这些差异不会影响逻辑转换点或时序参数规格，因此不会引起移植错误。 表 7. 直流规格差异 参数 说明 类型 GL-P GL-S GL-T 输入电平 VIO A9 和 ACC 之外的所有 I/O 最大值 4.0 V 4.0 V 4.0 V VIO A9 和 ACC 最大值 12.5 V 4.0 V 12.5 V 逻辑电平 VIL 输入低电压 最大值 0.3 * VIO 0.2 * VIO 0.3 * VIO VIH 输入高电压 最大值 VIO + 0.3V VIO + 0.4V VIO + 0.4V 60 mA 60 mA 电源分类 ICC1 有效 VCC + VIO 读取 （5 MHz） 最大值 55 mA ICC2 有效 VCC 页面内读取 （33 MHz） 最大值 20 mA 25 mA 25 mA ICC3 有效编程或擦除 最大值 90 mA 100 mA 100 mA ICC4 待机电流 最大值 5 µA 100 µA 200 µA ICC5 复位电流 最大值 500 µA 20 mA 20 mA ICC6 自动睡眠电流 最大值 5 µA 150 µA 200 µA 表 8 提供了 GL 各系列交流参数规格差异的对照表（不包含在表 6 中所介绍的复位时序参数差异）。为确保移植成 功，应针对实际应用的实施检查所有参数。对于使用擦除挂起和 / 或编程挂起功能的应用，应检查发出挂起命令和 恢复命令之 GL-T （其延迟时间比 GL-P 更长）的系统软件分支、闪存更新状态、以及模式转换的完成情况，这一 点非常重要。 表 8. 交流规格差异 （表 1/2） 参数 说明 类型 GL-P （1） 100 ns GL-S （1） GL-T （1） 异步读取 tACC / tCE / tRC 读周期时间 最小值 tPACC 页面内访问时间 最小值 25 ns 15 ns 15 ns tDF 控制取反到数据高阻态 最小值 20 ns 15 ns 15 ns 100 ns 100 ns 异步写入 www.cypress.com tWC 写周期时间 最小值 100 ns 60 ns 60 ns tWP WE# 被使能到禁用时间 最小值 35 ns 25 ns 25 ns tWPH WE# 被禁用到使能时间 最小值 30 ns 20 ns 20 ns 文档编号：002-03928 版本 ** 10 从 GL-P 和 GL-S 移植到 GL-T 闪存 表 8. 交流规格差异 （表 2/2） 参数 说明 类型 GL-P （1） GL-S （1） GL-T （1） tDS 数据建立到 WE# 信号 disable 时间 最小值 30 ns 30 ns 30 ns tBUSY 擦除 / 编程有效到 RY/BY# 之间的延迟时间 最大值 90 ns 80 ns 80 ns 挂起恢复 tESL 擦除挂起 / 擦除恢复 最大值 20 µs 40 µs 40 µs tPSL 编程挂起 / 编程恢复 最大值 15 µs 40 µs 40 µs 整个缓冲区写入编程时间 （2） 典型值 480 µs 340 µs 451 µs 有效写入缓冲器编程时间 （按字方式） 典型值 15 µs 1.33 µs 1.76 µs 单字编程时间 典型值 60 µs 125 µs 160 µs 128 kB 扇区擦除时间 典型 500 ms （4） 275 ms 535 ms 扇区擦除超时 最大值 50 µs 0s 50 µs x16 异步读取 最大值 20 MB/s 20 MB/s 20 MB/s x16 页面模式读取 （3） 最大值 58 MB/s 98 MB/s 98 MB/s 编程 典型值 133 kB/s 1.5 MB/s 1.14 MB/s 擦除 典型值 262 kB/s （4） 477 kB/s 245 KB/s 阵列更新 吞吐量 注意： 1. 所有表规格应用于工业级温度范围 512 Mb 大小的设备， VCC = VIO = 2.7 ~ 3.6 V （-40° C ~ +85° C）。关于其他密度和运行条件的性能 规格，请参见各自的数据表。 2. 最大写缓冲区大小：GL-P = 64 B， GL-S = GL-T = 512 B。 3. 页面模式读取吞吐量基于 8 字页面访问 （GL-P）和 16 字页面访问 （GL-S 和 GL-T）。 4. 不包括擦除之前的 0x00 预编程。 6 封装 标准的 S29GL-T 闪存可提供一个 56 引线的引线框架封装 （TSO056），两个 64 球形焊盘 BGA 封装 （LAA064、 LAE064）和一个无铅的 56 球形焊盘 BGA 封装 （VBU056）。其电器连线尺寸和引脚与 GL-P 和 GL-S 的兼容。 LAE064 封装的外形尺寸是 9 x 9 mm，比 11 x 13 mm LAA064 封装小 43%。在现有 LAA064 设计中采用 LAE064 封装时，不需要修改印刷电路板（PCB）的布局。不过，表面贴装程序需要修改，从而能够正确放置元件。VBU056 封装是一款新选择，并不适用于 GL-P 和 GL-S 闪存。 S70GL02GT 闪存与 S70GL02GP 采用相同的 64 球形焊盘 LAA064 球栅阵列封装。 部分连接定义已经发生了变更，具体情况请参考表 9。 表 9. 引脚输出差异 （表 1/2） 针脚或球球形焊盘 GL-P GL-T 移植问题 16 WP#/ACC WP# WP#/ACC 无 27 NC RFU RFU 无 28 NC DNU RFU 无 30 NC RFU RFU 无 51 DQ15/A-1 DQ15 DQ15/A-1 无 53 BYTE# RFU BYTE# 无 55 NC/A25 （1） NC/A25 （1） NC/A25 （1） 无 B1 NC/A26 （2） NC/A26 （2） NC/A26 （2） 无 GL-S TSOP 封装 LAA/LAE 封装 www.cypress.com 文档编号：002-03928 版本 ** 11 从 GL-P 和 GL-S 移植到 GL-T 闪存 表 9. 引脚输出差异 （表 2/2） 针脚或球球形焊盘 GL-P GL-S GL-T 移植问题 B4 E1 WP#/ACC WP# WP#/ACC 无 NC DNU RFU 无 F7 BYTE# RFU BYTE# 无 G1 NC RFU RFU 无 G7 DQ15/A-1 DQ15 DQ15/A-1 无 G8 NC/A25 （1） NC/A25 （1） NC/A25 （1） 无 图标： NC = 内部不连接 （可使用焊盘走线）。 RFU = 保留给未来使用 （在当前产品上内部不连接）。 注意： 1. A25 仅适用于 S29GL01G 和 S70GL02G 版本。 2. A26 仅适用于 S70GL02G 版本。 DNU = 不使用 （必须保持浮接状态，不可使用焊盘走线）。 GL-T 和 GL-P 闪存上的 WP#/ACC 连接是 GL-S 闪存上的 WP# 输入。GL-S 不支持 ACC 特性。此输入差异不会导 致移植故障。 同样的，GL-T 和 GL-P 闪存上的 DQ15/A-1 连接是 GL-S 闪存（仅支持 x8 数据总线宽度）上的 DQ15 输入 / 输出。 GL-T 和 GL-P 闪存上的 BYTE# 输入在 GL-S 闪存上电隔离且标记为 RFU。此输入差异不会导致移植故障。 www.cypress.com 文档编号：002-03928 版本 ** 12 从 GL-P 和 GL-S 移植到 GL-T 闪存 文档修订记录 文档标题：AN202453 — 从 GL-P 和 GL-S 移植到 GL-T 闪存 文档编号：002-03928 版本 ECN 编号 变更者 提交日期 变更说明 ** 5008817 SHWU 11/11/2015 本文档版本号为 Rev**，译自英文版 002-02453 Rev**。 www.cypress.com 文档编号：002-03928 版本 ** 13 从 GL-P 和 GL-S 移植到 GL-T 闪存 全球销售和设计支持 全球销售和设计支持 赛普拉斯公司具有一个由办事处、解决方案中心、厂商代表和经销商组成的全球性网络。要找到离您最近的办事处，请访问赛普 拉斯所在地。 # 999 产品 PSoC® 解决方案 汽车级产品 .................................cypress.com/go/automotive psoc.cypress.com/solutions 时钟与缓冲器区 ..................................cypress.com/go/clocks PSoC 1 | PSoC 3 | PSoC 4 | PSoC 5LP 接口 ................................................cypress.com/go/interface 赛普拉斯开发者社区 照明与电源控制 ...........................cypress.com/go/powerpsoc 存储器 ..............................................cypress.com/go/memory PSoC......................................................cypress.com/go/psoc 触摸感应产品 .......................................cypress.com/go/touch 社区 | 论坛 | 博客 | 视频 | 培训 技术支持 cypress.com/go/support USB 控制器 ...........................................cypress.com/go/USB 无线 / 射频 .......................................cypress.com/go/wireless MirrorBit®、MirrorBit® Eclipse™、ORNAND™、EcoRAM™ 以及它们的组合都是赛普拉斯半导体公司的商标和注册商标。此处引用的所有其他商标或注册商标都归其 各自所有者所有。 赛普拉斯半导体公司 198 Champion Court San Jose, CA 95134-1709 电话： 传真： 网站： 408-943-2600 408-943-4730 www.cypress.com © 赛普拉斯半导体公司，2015。此处所包含的信息可随时更改，恕不另行通知。除赛普拉斯产品内嵌的电路外，赛普拉斯半导体公司不对任何其他电路的使用承担任 何责任。也不会根据专利权或其他权利以明示或暗示方式授予任何许可。除非与赛普拉斯签订明确的书面协议，否则赛普拉斯不保证产品能够用于或适用于医疗、生 命支持、救生、关键控制或安全应用领域。此外，对于可能发生运转异常和故障并对用户造成严重伤害的生命支持系统，赛普拉斯不授权将其产品用作此类系统的关 键组件。若将赛普拉斯产品用于生命支持系统中，则表示制造商将承担因此类使用而招致的所有风险，并确保赛普拉斯免于因此而受到任何指控。 该源代码 （软件和 / 或固件）均归赛普拉斯半导体公司 （赛普拉斯）所有，并受全球专利法规 （美国和美国以外的专利法规）、美国版权法以及国际条约规定的保护 和约束。赛普拉斯据此向获许可者授予适用于个人的、非独占性、不可转让的许可，用以复制、使用、修改、创建赛普拉斯源代码的派生作品、编译赛普拉斯源代码 和派生作品，并且其目的只能是创建定制软件和 / 或固件，以支持获许可者仅将其获得的产品依照适用协议规定的方式与赛普拉斯集成电路配合使用。除上述指定的 用途外，未经赛普拉斯明确的书面许可，不得对此类源代码进行任何复制、修改、转换、编译或演示。 免责声明：赛普拉斯不针对此材料提供任何类型的明示或暗示保证，包括 （但不限于）针对特定用途的适销性和适用性的暗示保证。赛普拉斯保持在不做出通知的情 况下对此处所述材料进行更改的权利。赛普拉斯不对此处所述之任何产品或电路的应用或使用承担任何责任。对于合理预计可能发生运转异常和故障，并对用户造成 严重伤害的生命支持系统，赛普拉斯不授权将其产品用作此类系统的关键组件。若将赛普拉斯产品用于生命支持系统中，则表示制造商将承担因此类使用而招致的所 有风险，并确保赛普拉斯免于因此而受到任何指控。 产品使用可能受赛普拉斯软件许可协议的限制。 www.cypress.com 文档编号：002-03928 版本 ** 14