ETC ECH8608 Switching device Datasheet

ECH8608
注文コード No. N 8 1 7 9
ECH8608
N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
汎用スイッチングデバイス
特長
・低オン抵抗、超高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 形電界効果トランジスタを 1 パッケージに
2 素子内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能である。
・2.5V 駆動。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
項目
ドレイン・ソース電圧
記号
VDSS
VGSS
ID
条件
ドレイン電流
(パルス)
許容損失
IDP
PD
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
セラミック基板(900mm2 × 0.8mm) 装着時 1unit
全損失
チャネル温度
PT
Tch
セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時
保存周囲温度
Tstg
ゲート・ソース電圧
ドレイン電流
(DC)
N-channel
20
P-channel
− 20
unit
V
± 10
6
± 10
−4
V
A
40
− 40
1.3
A
W
1.5
150
W
℃
− 55 〜+ 150
℃
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
項目
記号
条件
ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン・ソースしゃ断電流
V(BR)DSS
IDSS
ID=1mA, VGS=0
VDS=20V, VGS=0
ゲート・ソースもれ電流
ゲート・ソースしゃ断電圧
IGSS
VGS(off)
順伝達アドミタンス
yfs
RDS(on)1
RDS(on)2
VGS= ± 8V, VDS=0
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID=3A
定格値
typ
min
unit
max
[N-channel]
ドレイン・ソース間オン抵抗
20
0.5
7
1
V
µA
± 10
1.3
µA
V
30
44
mΩ
mΩ
10
S
ID=3A, VGS=4V
ID=1.5A, VGS=2.5V
22
30
VDS=10V, f=1MHz
VDS=10V, f=1MHz
VDS=10V, f=1MHz
指定回路において
780
300
pF
pF
150
19
pF
ns
入力容量
出力容量
Ciss
Coss
帰還容量
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
Crss
td(on)
tr
td(off)
指定回路において
指定回路において
134
90
ns
ns
下降時間
tf
指定回路において
94
ns
単体品名表示: FA
次ページへ続く。
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途(生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途)に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥
について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
11205PE TS IM ◎川浦 TB-00001088 No.8179-1/6
ECH8608
前ページより続く。
項目
記号
条件
定格値
typ
23
min
max
unit
総ゲート電荷量
Qg
ゲート・ソース電荷量
ゲート・ドレイン電荷量
Qgs
Qgd
VDS=10V, VGS=10V, ID=6A
VDS=10V, VGS=10V, ID=6A
VDS=10V, VGS=10V, ID=6A
ダイオード順電圧
[P-channel]
VSD
IS=6A, VGS=0
ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン・ソースしゃ断電流
V(BR)DSS
IDSS
ID= − 1mA, VGS=0
VDS= − 20V, VGS=0
ゲート・ソースもれ電流
ゲート・ソースしゃ断電圧
IGSS
VGS(off)
順伝達アドミタンス
yfs
RDS(on)1
VGS= ± 8V, VDS=0
VDS= − 10V, ID= − 1mA
VDS= − 10V, ID= − 2A
ID= − 2A, VGS= − 4.5V
入力容量
RDS(on)2
Ciss
ID= − 1A, VGS= − 2.5V
VDS= − 10V, f=1MHz
58
800
出力容量
帰還容量
Coss
Crss
VDS= − 10V, f=1MHz
VDS= − 10V, f=1MHz
210
160
pF
pF
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
指定回路において
指定回路において
17
197
ns
ns
ターンオフ遅延時間
下降時間
td(on)
tr
td(off)
tf
指定回路において
指定回路において
88
128
ns
ns
総ゲート電荷量
ゲート・ソース電荷量
Qg
Qgs
VDS= − 10V, VGS= − 10V, ID= − 4A
VDS= − 10V, VGS= − 10V, ID= − 4A
21
1.4
nC
nC
ゲート・ドレイン電荷量
ダイオード順電圧
Qgd
VSD
VDS= − 10V, VGS= − 10V, ID= − 4A
IS= − 4A, VGS=0
3.2
− 0.82
ドレイン・ソース間オン抵抗
外形図
nC
1.6
3.6
nC
nC
0.84
1.2
V
−1
V
µA
± 10
− 1.3
µA
V
54
S
mΩ
− 20
− 0.4
4.9
7
37
87
− 1.2
mΩ
pF
nC
V
電気的接続図
5
1
4
0.65
0.25
2.3
8
0.07
0.9
2.9
8
7
6
5
1
2
3
4
0.15
2.8
0.3
0.25
unit : mm
2206B
1 : Source1
2 : Gate1
3 : Source2
4 : Gate2
5 : Drain2
6 : Drain2
7 : Drain1
8 : Drain1
Top view
1 : Source1
2 : Gate1
3 : Source2
4 : Gate2
5 : Drain2
6 : Drain2
7 : Drain1
8 : Drain1
SANYO : ECH8
No.8179-2/6
ECH8608
スイッチングタイム測定回路図
[N-channel]
[P-channel]
VDD=10V
VIN
VDD= --10V
VIN
0V
--4.5V
4V
0V
ID=3A
RL=3.3Ω
VIN
D
ID= --4A
RL=2.5Ω
VIN
D
VOUT
VOUT
PW=10µs
D.C.≦1%
PW=10µs
D.C.≦1%
G
G
ECH8608
ECH8608
ID -- VDS
--4.0
ドレイン電流, ID -- A
7
1.5V
6
5
4
3
--2.5V
-1
.5
V
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
1
--0.5
VGS= --1.0V
0
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
9
ID -- VGS
0
1.0
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
--10
VDS=10V
--9
--0.9
--1.0
IT04367
ID -- VGS
[Nch]
8
[Pch]
VDS= --10V
ドレイン電流, ID -- A
--8
7
6
5
Ta=
3
1
0.5
1.0
1.5
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
--7
--6
--5
--4
--3
--2
25°
C
2
--25°C
75°C
4
0
0
--0.1
IT04385
5°C
25 --25°C
°C
10
0.9
=7
0.1
Ta
0
ドレイン電流, ID -- A
--3.5
2
VGS=1.0V
[Pch]
--2.0V
--4.5
2.5
8
S
ID -- VDS
--5.0
V
4.0V
9
50Ω
[Nch]
2.0V
3.0V
10
ドレイン電流, ID -- A
P.G
S
--3.5V
--3.0V
50Ω
--4.0V
P.G
--1
2.0
IT04386
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
--1.6
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
--1.8
--2.0
IT04368
No.8179-3/6
[Nch]
Ta=25°C
60
50
ID=3A
1.5A
40
30
20
10
0
0
2
4
6
8
[Nch]
45
40
V
2.5
S=
, VG
1.5A
I D=
35
30
25
I D=
=4.0V
3A, V GS
20
15
10
5
--25
0
25
50
75
100
125
150
周囲温度, Ta -- °C
IT04388
yfs -- ID
[Nch]
5
順伝達アドミタンス, yfs -- S
°C
--25
C
75°
5
C
25°
3
2
1.0
30
20
10
--1
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--9
RDS(on) -- Ta
90
--10
IT04369
[Pch]
80
.5V
--2
S=
, VG
70
--1
I D=
60
A
50
5V
= --4.
, VGS
A
2
-I D=
40
30
20
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
周囲温度, Ta -- °C
IT04370
yfs -- ID
[Pch]
VDS= --10V
3
2
10
7
Ta=
5
3
°C
--25
C
75° 25°C
2
1.0
5
7
2
1.0
3
5
7
IF -- VSD
5
--0.1
2
10
IT04389
--1.0
7
5
3
2
Ta
=75
°C
25°
C
--25
°C
順電流, IF -- A
1.0
7
5
3
2
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
ダイオード順電圧, VSD -- V
1.1
1.2
IT04390
2
5
3
7 --10
2
IT04371
IF -- VSD
3
2
--10
7
5
3
2
0.4
7 --1.0
[Nch]
VGS=0
0.3
5
3
ドレイン電流, ID -- A
10
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
2
VGS=0
--0.1
7
5
3
2
--0.01
7
5
3
2
--0.001
--0.2
[Pch]
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
°C
3
3
2
0.01
7
5
3
2
0.001
0.2
--2
--25
2
ドレイン電流, ID -- A
順電流, IF -- A
40
7
7
5
0.1
ID= --1A
5°C
25°
C
順伝達アドミタンス, yfs -- S
2
Ta=
50
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
VDS=10V
7
--2A
5
3
10
60
=7
0
--50
[Pch]
Ta=25°C
IT04387
RDS(on) -- Ta
50
RDS(on) -- VGS
70
Ta
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
10
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
RDS(on) -- VGS
70
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
ECH8608
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
ダイオード順電圧, VSD -- V
--1.1
--1.2
IT04372
No.8179-4/6
ECH8608
SW Time -- ID
5
3
2
td(off)
tf
100
7
tr
5
3
td(on)
2
10
0.1
2
3
5
7
2
1.0
3
5
5
td(off)
100
tf
7
tr
5
3
td(on)
2
10
7
--0.1
2
3
5
7
2
--1.0
3
5
ドレイン電流, ID -- A
3
f=1MHz
7
IT04373
Ciss, Coss, Crss -- VDS
[Nch]
2
[Pch]
f=1MHz
2
1000
Ciss, Coss, Crss -- pF
Ciss, Coss, Crss -- pF
VDD= --10V
VGS= --4.5V
2
10
IT04391
Ciss, Coss, Crss -- VDS
[Pch]
3
7
ドレイン電流, ID -- A
3
SW Time -- ID
[Nch]
VDD=10V
VGS=4V
スイッチングタイム, SW Time -- ns
スイッチングタイム, SW Time -- ns
7
Ciss
7
5
Coss
3
2
Crss
1000
Ciss
7
5
3
Coss
Crss
2
100
100
7
7
5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
7
6
5
4
3
2
ドレイン電流, ID -- A
5
10
15
20
--12
--14
--16
--18
--20
IT04374
[Pch]
VDS= --10V
ID= --4A
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
総ゲート電荷量, Qg -- nC
IT04393
ASO
[Nch]
IDP=40A
<10µs
1m
ID=6A
10
DC
10
s
ms
0m
s
op
er
1.0
7
5
3
2
ati
on
Operation in this
area is limited by RDS(on).
Ta=25°C
1パルス
セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時 1unit
0.01
0.01
2 3
5 7 0.1
2 3
5 7 1.0
2 3
5 7 10
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
0
25
--100
7
5
3
2
ドレイン電流, ID -- A
0
0.1
7
5
3
2
--10
0
0
10
7
5
3
2
--8
--1
1
100
7
5
3
2
--6
VGS -- Qg
--10
--9
8
--4
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
[Nch]
VDS=10V
ID=6A
9
--2
IT04392
VGS -- Qg
10
0
20
2 3
IT04394
--10
7
5
3
2
2
6
8
10
12
14
16
18
20
22
総ゲート電荷量, Qg -- nC
IT04375
ASO
[Pch]
IDP= --40A
<10µs
1m
s
10
ID= --4A
DC
ms
10
0m
s
op
er
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
4
ati
on
Operation in this
area is limited by RDS(on).
Ta=25°C
1パルス
セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時 1unit
--0.01
--0.01
2 3
5 7 --0.1
2 3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10 2 3
IT04376
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
No.8179-5/6
ECH8608
PD -- Ta
許容損失, PD -- W
1.8
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
全
損
失
1.0
1u
0.8
ni
t
0.6
0.4
0.2
セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時
0
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
160
IT04377
取り扱い上の注意:本製品は、MOSFET ですので、帯電性の大きな環境での取り扱いはご遠慮下さい。
本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ
り、お客様の製品(機器)での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では
予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。
弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障
が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与
えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、
保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。
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PS No.8179-6/6
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