BELLING BLP1208 Blp1208 Datasheet

BLP1208
PN 结 Si 光电池
描述
工作在低频区域的 Si 光电池,可接收波长处于峰值波长附近的光信号。
应用
• 遥控电路
• 光纤通信
结构
芯片结构:平面 PN 型结构
电极:顶部 AlSi
外形图和尺寸
Anode
芯片尺寸:12 mm × 8 mm
芯片厚度:300±25µm
P
Cathode
N
纵向结构
N
P
N
http://www.belling.com.cn
N
芯片结构:平面 PN 型结构
电极:AlSi
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8/18/2006
BLP1208
光电特性(Ta=25°)
参数
符号
测试条件
暗电流
ID VR=10V E=0mW/cm2
Reverse dark current
反向击穿电压
2
Reverse
breakdown VBR IR=100µA, H=0mV/cm
voltage
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最小值 典型值 最大值
单位
30
nA
50
V
8/18/2006
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