AM2000 AM2000 IFAV = 1 A VF < 1.1 V trr ~ 1500 ns Standard Avalanche SMD Rectifier Diodes Standard Avalanche SMD-Gleichrichterdioden VRRM = 1600 V IFSM = 40/44 A ERSM = 20 mJ Version 2017-09-13 _ 0.5 Features Controlled avalanche characteristic High power dissipation High forward surge current Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Controlled Avalanche Charakteristik Hohe Leistungsfähigkeit Hohe Stoßstromfestigkeit Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) RoHS EL V Pb Mechanical Data 1) Type Typ Mechanische Daten 1) Taped and reeled 0.4 5.0±0.3 Typische Anwendungen 50/60 Hz Netzgleichrichtung, Stromversorgungen, Verpolschutz Standardausführung 1) EE WE 0.4 0.1 2.5 +_ 0.2 ~ DO-213AB Plastic MELF Typical Applications 50/60 Hz Mains Rectification, Power Supplies, Polarity Protection Commercial grade 1) 5000 / 13“ 0.5 _ Weight approx. Gegurtet auf Rolle 0.12 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen Dimensions - Maße [mm] MSL = 1 Maximum ratings 2) Type Typ Grenzwerte2) DC blocking voltage Sperrgleichspannung VDC [V] AM2000 Repetitive peak reverse voltage Reverse avalanche breakdown voltage Periodische Spitzensperrspannung Sperrspannung im Durchbruch VRRM [V] VRSM [V] 3) 800 1600 > 1650 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TT = 75°C TT = 100°C IFAV 1 A3) 0.8 A3) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 10 A 4) TA = 85°C t = 1 ms IFSM 100 A Half sine-wave Sinus-Halbwelle 50 Hz (10 ms) 60 Hz (8.3 ms) IFSM 40 A 44 A Rating for fusing Grenzlastintegral t < 10 ms i2t 8 A2s Non-repetitive peak reverse avalanche energy Einmalige Avalanche-Energie in Sperr-Richtung IRSM = 1 mA ERSM 20 mJ Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 4 Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben IRSM = 1 mA Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 AM2000 Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 1 A VF < 1.1 V Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM IR < 5 µA < 50 µA Reverse recovery time Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A trr typ. 1500 ns RthA RthT < 45 K/W 1) < 10 K/W Thermal resistance junction-ambient − Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung Thermal resistance junction-terminal − Wärmewiderstand Sperrschicht-Anschluss 102 120 [%] [A] 100 Tj = 125°C 10 80 Tj = 25°C 60 1 40 10-1 20 IF IFAV 40a-(1a-1.1v) 0 0 TT 100 50 150 10-2 0.4 [°C] Rated forward current vs. temp. of the terminals Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals 102 [µA] 101 0.8 15 Tj = 125°C 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Typical values Typische Werte [pF] 12 Tj = 100°C Tj = 75°C 1 VF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 9 Tj = 50°C 6 Tj = 25°C 10-1 3 IR Cj 10-20 VRRM 40 60 80 Tj = 25°C f = 1.0 MHz Vsig = 50 mVp-p 0 100 [%] Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung Junction capacitance versus reverse voltage Sperrschichtkapazität in Abh. von der Sperrspg. Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG