Diotec ABS6 Surface mount si-bridge-rectifiers with 4mm pitch Datasheet

ABS2 ... ABS10
ABS2 ... ABS10
Surface Mount Si-Bridge-Rectifiers with 4mm Pitch
Si-Brückengleichrichter für die Oberflächenmontage mit 4mm Raster
Version 2013-01-21
±0.1
0.2±0.1
4.0±0.2
6.2
+0.2
4.4±0.2
Type
Typ
140...700 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
5.0±0.2
~
0.8 A
Alternating input voltage
Eingangswechselspannung
1.5
1.4
±0.1
Nominal current – Nennstrom
ABS
+
Weight approx.
Gewicht ca.
~
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
0.6±0.1
0.1 g
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Dimensions - Maße [mm]
Green Molding
Halogen-Free
Maximum ratings and Characteristics
Type
Typ
Max. altern. input voltage
Max. Eingangswechselspg.
Rep. peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspg.
VVRMS [V]
VRRM [V] 1)
ABS2
140
200
ABS4
280
400
ABS6
420
600
ABS8
560
800
ABS10
700
1000
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
5.4 A 2)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
27/30 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
3.6 A2s
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
2
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
Valid per diode – Gültig pro Diode
Max. temperature of the terminals TT = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
ABS2 ... ABS10
Characteristics
Kennwerte
0.8 A 1)
1 A 2)
Max. average forward rectified current
Dauergrenzstrom
TA = 40°C
IFAV
IFAV
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 0.4 A
IF = 0.8 A
VF
VF
< 0.95 V 3)
< 1.1 V 3)
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C
VR = VRRM
IR
< 5 µA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
RthA
< 80 K/W 1)
< 62 K/W 2)
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
RthT
< 25 K/W
120
10 2
[%]
[A]
100
10
80
Tj = 25°C
60
1
40
10 -1
20
IF
IFAV
0
10 -2
0
TA
50
100
150
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.
1
2
3
2
30a-(0.4a-0.95v)
0 .4
VF
0 .8
1 .0
1 .2
1 .4
[V] 1 .8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Mounted on P.C. Board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Mounted on Alumina Substrate 2500mm² with 1 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Aluminium-Substrat 2500mm² mit 1 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Valid per diode – Gültig pro Diode
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
Similar pages