BY396 ... BY399, RGP30K, RGP30M BY396 ... BY399, RGP30K, RGP30M Fast Silicon Rectifier Diodes – Schnelle Silizium-Gleichrichterdioden Version 2010-03-30 Nominal current Nennstrom 7.5±0.1 Type 62.5 ±0.5 Ø 4.5+0.1 -0.3 Ø 1.2±0.05 Dimensions - Maße [mm] 3A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 100...1000 V Plastic case Kunststoffgehäuse ~ DO-201 Weight approx. Gewicht ca. 1g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] BY396 100 100 BY397 200 200 BY398 400 400 RGP30K 800 800 RGP30M 1000 1000 BY399 = Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 50°C IFAV 3 A 1) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 20 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 100/110 A Rating for fusing, Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 50 A2s Tj TS -50...+150°C -50...+175°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BY396 ... BY399, RGP30K, RGP30M Characteristics Kennwerte Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 3 A VF < 1.2 V Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 10 µA Forward recovery time Durchlassverzugszeit IF = 100 mA tfr < 1.0 µs Reverse recovery time Sperrverzugszeit IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A trr < 500 ns Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 25 K/W 1) Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht RthL < 10 K/W 120 102 [%] [A] 100 Tj = 125°C 10 80 Tj = 25°C 1 60 40 10-1 20 IF IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) 1 1 2 100a-(3a-1.2v) -2 10 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG