Diotec BCX38B Si-epitaxial planar darlington-transistor Datasheet

BCX38B
BCX38B
Si-Epitaxial Planar Darlington-Transistors
Si-Epitaxial Planar Darlington-Transistoren
NPN
NPN
Version 2006-07-24
Power dissipation
Verlustleistung
18
9
16
E BC
2 x 2.54
Dimensions - Maße [mm]
625 mW
Plastic case
Kunststoffgehäuse
TO-92
(10D3)
Weight approx. – Gewicht ca.
0.18 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
BCX38B
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung
B open
VCEO
60 V
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung
E open
VCBO
80 V
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
C open
VEBO
10 V
Power dissipation – Verlustleistung
Ptot
625 mW 1)
Collector current – Kollektorstrom (dc)
IC
800 mA
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
ICM
2A
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
2000
4000
–
–
–
–
VCEsat
–
–
1.25 V
VBE
–
–
1.8 V
ICBO
–
–
100 nA
IEB0
–
–
100 nA
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis )
2
IC = 100 mA, VCE = 5 V
IC = 500 mA, VCE = 5 V
hFE
hFE
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. 2)
IC = 800 mA, IB = 8 mA
Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung 2)
IC = 800 mA, VCE = 5 V
Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom
VCB = 60 V, (E open)
Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom
VEB = 8 V, (C open)
1
2
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BCX38B
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 200 K/W 1)
Pinning – Anschlußbelegung
T
1
T
E
B
2
C
T1
T2
E
B
Si-Epitaxial Planar Darlington-Transistors
Si-Epitaxial Planar Darlington-Transistoren
C
120
[%]
100
80
60
40
20
Ptot
0
0
TA
50
100
150
[°C]
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1)
1
1
2
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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