Diotec BY255 Silicon rectifier diodes - silizium-gleichrichterdioden Datasheet

BY251 ... BY255, BY1600 ... BY2000
BY251 ... BY255, BY1600 ... BY2000
Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2011-03-04
Nominal Current
Nennstrom
7.5±0.1
Type
62.5
±0.5
Ø 4.5+0.1
-0.3
3A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
200...2000 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
~ DO-201
Weight approx.
Gewicht ca.
Ø 1.2±0.05
Dimensions - Maße [mm]
0.8 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
BY251
200
200
BY252
400
400
BY253
600
600
BY254
800
800
BY255
1300
1300
BY1600
1600
1600
BY1800
1800
1800
BY2000
2000
2000
higher voltages see
BY4...BY16
höhere Spannungen siehe
4000...16000
4000...16000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50°C
IFAV
3 A 1)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
20 A 1)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
100/110 A
Rating for fusing, Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
50 A2s
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+175°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BY251 ... BY255, BY1600 ... BY2000
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 3 A
VF
< 1.1 V
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C
VR = VRRM
IR
< 20 µA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 25 K/W 1)
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
RthL
< 10 K/W
120
2
10
[%]
[A]
100
Tj = 125°C
10
80
Tj = 25°C
60
1
40
10-1
20
IF
IFAV
0
10
100a-(3a-1.1v)
-2
0
TA
100
50
150
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.
0.4
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
2
10
[A]
10
îF
1
1
10
102
[n]
103
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
1
2
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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