BAS70, BAS70-04, BAS70-05, BAS70-06 BAS70, BAS70-04, BAS70-05, BAS70-06 IFAV = 70 mA VF1 < 0.41 V Tjmax = 150°C SMD Small Signal Schottky Diodes SMD Kleinsignal-Schottkydioden VRRM = 70 V IFSM = 100 mA trr < 5 ns Version 2017-07-07 Typical Applications Signal processing, High-speed switching, Polarity protection Commercial grade 1) 0.4 Type Code 1 1.3 ±0.1 2.4 ±0.2 3 2 1.9 Besonderheiten Extrem schnelles Schalten Niedrige Sperrschicht-Kapazität Niedriger Sperrstrom Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) RoHS Pb EE WE Features Very high switching speed Low junction capacitance Low leakage current Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) +0.1 1.1 -0.2 2.9 ±0.1 +0.1 -0.05 Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schnelles Schalten, Verpolschutz Standardausführung 1) EL V SOT-23 (TO-236) Mechanical Data 1) ±0.1 Mechanische Daten 1) Taped and reeled 3000 / 7“ Weight approx. Dimensions - Maße [mm] Gegurtet auf Rolle 0.01 g Solder & assembly conditions Gewicht ca. 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 BAS70 BAS70-04 3 Type Code 73 Single Diode 1 2 3 Type Code 74 Series Connection 1 2 1 = A 2 = n. c. 3 = C 1 = A1 2 = C2 3 = C1/A2 BAS70-05 BAS70-06 3 Type Code 75 Common Cathode 1 2 3 Type Code 76 Common Anode 1 = A1 2 = A2 3 = C1/C2 1 2 1 = C1 2 = C2 3 = A1/A2 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Power dissipation − Verlustleistung 3) Max. average forward current – Dauergrenzstrom DC Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom Non repetitive peak forward surge current – Stoßstrom-Grenzwert Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 4 tp ≤ 1 s Ptot 200 mW 4) IFAV 70 mA 4) IFRM 70 mA 4) IFSM 100 mA VRRM 70 V Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C and per diode, unless otherwise specified – TA = 25°C und pro Diode, wenn nicht anders angegeben Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BAS70, BAS70-04, BAS70-05, BAS70-06 Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 1 mA IF = 15 mA VF VF < 410 mV < 1000 mV Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C VR = 50 V IR < 100 nA 1) Breakdown voltage Abbruchspannung Tj = 25°C IR = 10 µA VBR > 70 V 1) CT 2 pF trr < 5 ns Max. junction capacitance Max. Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz Reverse recovery time Sperrverzug IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA Thermal resistance junction to ambient Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 625 K/W 2) 120 [%] [A] 100 80 60 40 20 IF Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Power dissipation versus ambient temperature 2) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.2) 2 Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG