Infineon CLX27 Hirel x-band gaas power-mesfet Datasheet

CLX27
HiRel X-Band GaAs Power-MESFET
•
HiRel Discrete and Microwave Semiconductor
•
For professional power amplifiers
•
For frequencies from 500 MHz to 15 GHz
•
Hermetically sealed microwave power package
•
Low thermal resistance for
high voltage application
•
Power added efficiency > 55 %
•
Space Qualification Expected 1998
ESA/SCC Detail Spec. No.: 5614/007,
Type Variant No.s 04 to 06
ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precautions!
Type
CLX27-00 (ql)
Marking
-
Ordering Code
see below
Pin Configuration
1
2
3
G
S
D
Package
MWP-25
CLX27-05 (ql)
CLX27-10 (ql)
CLX27-nn: specifies output power level (see electrical characteristics)
(ql) Quality Level:
P: Professional Quality,
Ordering Code:
Q62702L119
H: High Rel Quality,
Ordering Code:
on request
S: Space Quality,
Ordering Code:
on request
ES: ESA Space Quality,
Ordering Code:
Q62702L118
(see order instructions for ordering example)
Semiconductor Group
1 of 9
Draft D, September 99
CLX27
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Values
Unit
Drain-source voltage
VDS
11
V
Drain-gate voltage
VDG
13
V
Gate-source voltage
VGS
-6
V
Drain current
ID
420
mA
Gate forward current
IG
5
mA
Compression Level
1)
Operation Range 1
PC
1.5 at VDS ≤ 8 V
dB
2.5 at VDS ≤ 7 V
3.5 at VDS ≤ 6 V
Compression Level
2)
Operation Range 2
PC
3.5 at VDS ≤ 6 V
dB
Compression Level
3)
Operation Range 3
PC
tbd.
dB
Junction temperature
TJ
175
°C
Storage temperature range
Tstg
- 65...+ 175
°C
Total power dissipation 4)
Ptot
3.38
W
Tsol
230
°C
Rth JS
≤ 40
K/W
Soldering temperature
5)
Thermal Resistance
Junction-soldering point
Notes.:
1) Operation Range 1: 80 mA ≤ ID ≤ 160 mA
2) Operation Range 2: ID > 160 mA
3) Operation Range 3: ID < 80 mA
4) At TS = + 40 °C. For TS > + 40 °C derating is required.
5) During 15 sec. maximum. The same terminal shall not be resoldered until 3 minutes have
elapsed.
Semiconductor Group
2 of 9
Draft D, September 99
CLX27
Electrical Characteristics (at TA=25°C; unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
IDss
180
300
420
mA
-VGth
1.2
2.2
3.2
V
IDp3
-
-
60
µA
-IGp3
-
-
24
µA
IDp9.5
-
-
600
µA
-IGp9.5
-
-
240
µA
gm
130
160
-
mS
Rth JS
-
35
-
K/W
DC Characteristics
Drain-source saturation current
VDS = 2 V, VGS = 0 V
Gate threshold voltage
VDS = 3 V, ID = 12 mA
Drain current at pinch-off, low VDS
VDS = 3 V, VGS = -3.5 V
Gate current at pinch-off, low VDS
VDS = 3 V, VGS = -3.5 V
Drain current at pinch-off, high VDS
VDS = 9.5 V, VGS = -3.5 V
Gate current at pinch-off, high VDS
VDS = 9.5 V, VGS = -3.5 V
Transconductance
VDS = 3 V, ID = 120 mA
Thermal resistance
Junction to soldering point
VDS = 8 V, ID = 120 mA, Ts = +25°C
Semiconductor Group
3 of 9
Draft D, September 99
CLX27
Electrical Characteristics (continued)
Parameter
Symbol
Values
min.
typ.
Unit
max.
AC Characteristics
Linear power gain 1)
dB
Glp
VDS = 8 V, ID = 120 mA, f = 2.3 GHz,
Pin = 0 dBm
CLX27-00
17.5
18.5
-
CLX27-05
18.0
19.0
-
CLX27-10
18.0
19.0
-
Power output at 1dB gain compr. 1)
P1dB
dBm
VDS = 8 V, ID(RF off) = 120 mA, f = 2.3 GHz
CLX27-00
-
26.5
-
CLX27-05
-
27.3
-
CLX27-10
-
27.8
-
Output Power 1)
dBm
Pout
VDS = 8 V, ID(RF off) = 120 mA, f = 2.3 GHz,
Pin = 10.5 dBm
CLX27-00
26.0
26.5
-
CLX27-05
27.0
27.3
-
CLX27-10
27.5
27.8
-
Power added efficiency 1), 2)
PAE
%
VDS = 8 V, ID(RF off) = 120 mA, f = 2.3 GHz,
Pin = 10.5 dBm
CLX27-00
45
50
-
CLX27-05
48
53
-
CLX27-10
50
55
-
Notes.:
1) RF Power characteristics given for power matching conditions
2) Power added efficiency: PAE = (PRFout - PRFin) / PDC
Semiconductor Group
4 of 9
Draft D, September 99
CLX27
Typical Common Source S-Parameters
f
[GHz]
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1,0
1,1
1,2
1,3
1,4
1,5
1,6
1,7
1,8
1,9
2,0
2,1
2,2
2,3
2,4
2,5
2,6
2,7
2,8
2,9
3,0
3,1
3,2
3,3
3,4
3,5
4,0
4,5
5,0
5,5
6,0
6,5
7,0
7,5
8,0
8,5
9,0
9,5
10,0
10,5
11,0
11,5
12,0
12,5
13,0
13,5
14,0
14,5
15,0
15,5
16,0
16,5
17,0
17,5
18,0
|S11|
[magn]
0,945
0,928
0,911
0,898
0,886
0,875
0,867
0,861
0,855
0,849
0,844
0,839
0,834
0,830
0,826
0,822
0,819
0,815
0,812
0,810
0,807
0,806
0,804
0,803
0,802
0,800
0,799
0,799
0,797
0,796
0,795
0,794
0,793
0,793
0,792
0,791
0,791
0,790
0,789
0,788
0,788
0,787
0,786
0,784
0,780
0,776
0,770
0,757
0,739
0,715
0,690
0,666
0,641
0,619
0,599
0,585
0,583
0,592
0,613
0,636
<S11
[angle]
-45
-52
-60
-66
-73
-80
-87
-93
-100
-106
-111
-117
-122
-126
-131
-135
-140
-144
-147
-151
-154
-158
-161
-164
-167
-169
-172
-175
-177
-180
178
165
157
147
139
131
123
116
108
100
92
84
76
68
61
54
47
39
32
24
15
5
-6
-19
-33
-48
-63
-76
-88
-98
Semiconductor Group
|S21|
[magn]
8,649
8,466
8,254
8,022
7,777
7,531
7,281
7,028
6,776
6,533
6,298
6,067
5,842
5,628
5,421
5,221
5,027
4,843
4,669
4,506
4,354
4,212
4,076
3,948
3,830
3,717
3,611
3,509
3,410
3,315
3,227
2,883
2,574
2,320
2,123
1,950
1,805
1,686
1,584
1,493
1,394
1,340
1,275
1,217
1,166
1,121
1,083
1,052
1,030
1,012
0,995
0,982
0,971
0,970
0,960
0,955
0,952
0,945
0,950
0,966
V DS = 3
<S21
[angle]
151
145
140
135
131
126
122
117
113
109
105
101
98
94
91
88
84
81
78
76
73
70
67
65
62
60
58
55
53
51
48
37
27
18
9
2
-8
-17
-26
-35
-44
-53
-62
-71
-80
-89
-97
-106
-115
-125
-135
-144
-154
-165
-177
172
160
151
142
134
V, I D = 120 mA, Z o
|S12|
<S12
[magn] [angle]
0,0266
67
0,0283
60
0,0303
55
0,0327
50
0,0352
47
0,0381
43
0,0407
40
0,0428
37
0,0448
34
0,0463
31
0,0478
29
0,0493
26
0,0504
23
0,0512
20
0,0518
18
0,0530
16
0,0531
14
0,0537
12
0,0543
10
0,0546
8
0,0548
6
0,0553
5
0,0555
3
0,0557
2
0,0558
1
0,0559
-1
0,0559
-2
0,0560
-3
0,0562
-4
0,0550
-5
0,0562
-7
0,0564
-13
0,0567
-18
0,0567
-23
0,0571
-26
0,0574
-29
0,0585
-32
0,0601
-35
0,0623
-38
0,0646
-40
0,0675
-43
0,0700
-47
0,0734
-52
0,0772
-56
0,0817
-61
0,0867
-66
0,0924
-71
0,0995
-76
0,1082
-82
0,1156
-89
0,1245
-97
0,1384
-104
0,1540
-113
0,1713
-122
0,1915
-133
0,2144
-145
0,2376
-157
0,2660
-166
0,2967
-175
0,3244
179
5 of 9
= 50 Ω
|S22|
[magn]
0,136
0,141
0,148
0,156
0,165
0,177
0,185
0,195
0,204
0,213
0,224
0,232
0,240
0,248
0,256
0,264
0,271
0,278
0,283
0,289
0,293
0,296
0,300
0,301
0,306
0,310
0,314
0,319
0,323
0,326
0,329
0,344
0,360
0,374
0,387
0,402
0,415
0,428
0,440
0,452
0,464
0,473
0,488
0,501
0,512
0,524
0,534
0,539
0,541
0,541
0,538
0,526
0,510
0,489
0,466
0,442
0,415
0,402
0,400
0,408
<S22
[angle]
-85
-91
-97
-104
-111
-118
-125
-130
-135
-140
-144
-148
-152
-155
-158
-161
-164
-167
-169
-172
-174
-177
-178
180
178
177
175
174
172
170
168
163
157
151
146
141
136
130
125
118
111
103
96
89
83
77
71
66
60
55
49
42
34
25
16
5
-9
-24
-36
-46
k-Fact.
[magn]
0,22
0,27
0,32
0,35
0,37
0,39
0,40
0,41
0,42
0,43
0,44
0,45
0,47
0,48
0,50
0,52
0,54
0,56
0,58
0,60
0,63
0,64
0,67
0,69
0,71
0,73
0,75
0,77
0,79
0,84
0,85
0,93
1,01
1,11
1,21
1,30
1,36
1,41
1,44
1,47
1,50
1,51
1,50
1,48
1,47
1,43
1,39
1,38
1,37
1,39
1,40
1,40
1,40
1,37
1,35
1,31
1,25
1,19
1,07
0,98
S 21 /S 12
[dB]
25,1
24,8
24,4
23,9
23,4
23,0
22,5
22,2
21,8
21,5
21,2
20,9
20,6
20,4
20,2
19,9
19,8
19,6
19,3
19,2
19,0
18,8
18,7
18,5
18,4
18,2
18,1
18,0
17,8
17,8
17,6
17,1
16,6
16,1
15,7
15,3
14,9
14,5
14,1
13,6
13,1
12,8
12,4
12,0
11,5
11,1
10,7
10,2
9,8
9,4
9,0
8,5
8,0
7,5
7,0
6,5
6,0
5,5
5,1
4,7
MAG
[dB]
15,8
14,1
12,9
12,0
11,3
10,7
10,1
9,6
9,0
8,6
8,2
7,9
7,5
7,2
7,0
6,6
6,2
5,7
5,3
4,7
4,2
3,9
3,5
3,2
3,0
2,9
3,4
Draft D, September 99
CLX27
Typical Common Source S-Parameters (continued)
f
[GHz]
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1,0
1,1
1,2
1,3
1,4
1,5
1,6
1,7
1,8
1,9
2,0
2,1
2,2
2,3
2,4
2,5
2,6
2,7
2,8
2,9
3,0
3,1
3,2
3,3
3,4
3,5
4,0
4,5
5,0
5,5
6,0
6,5
7,0
7,5
8,0
8,5
9,0
9,5
10,0
10,5
11,0
11,5
12,0
12,5
13,0
13,5
14,0
14,5
15,0
15,5
16,0
16,5
17,0
17,5
18,0
|S11|
[mag]
0,946
0,931
0,914
0,898
0,887
0,879
0,872
0,865
0,859
0,854
0,849
0,844
0,839
0,835
0,831
0,826
0,823
0,820
0,817
0,814
0,812
0,811
0,809
0,808
0,807
0,805
0,804
0,804
0,803
0,803
0,802
0,801
0,800
0,799
0,798
0,798
0,797
0,796
0,796
0,795
0,794
0,793
0,793
0,793
0,792
0,792
0,790
0,778
0,761
0,738
0,714
0,695
0,666
0,641
0,620
0,604
0,604
0,620
0,643
0,667
<S11
[ang]
-45
-51
-58
-65
-71
-78
-85
-91
-98
-104
-109
-115
-120
-125
-129
-133
-138
-142
-145
-149
-152
-156
-159
-162
-165
-168
-170
-173
-176
-178
180
167
157
149
140
132
124
117
109
101
93
85
77
69
61
54
47
40
32
23
15
5
-7
-20
-34
-48
-63
-77
-89
-98
Semiconductor Group
|S21|
[mag]
9,316
9,124
8,903
8,660
8,404
8,150
7,888
7,628
7,367
7,110
6,862
6,615
6,374
6,144
5,922
5,708
5,501
5,304
5,120
4,944
4,783
4,628
4,480
4,336
4,206
4,079
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3,845
3,737
3,632
3,537
3,120
2,776
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2,258
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1,772
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1,041
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0,900
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|S12|
<S12
[ang]
[mag]
[ang]
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-172
6 of 9
= 50 Ω
|S22|
[mag]
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<S22
[ang]
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5
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-19
-28
k-Fact.
[mag]
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1,02
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S 21 /S 12
[dB]
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MAG
[dB]
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10,3
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9,4
9,0
8,8
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8,6
8,7
8,6
8,4
8,1
7,6
7,3
6,7
6,1
5,9
Draft D, September 99
CLX27
Typical Common Source S-Parameters (continued)
f
[GHz]
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0,6
0,7
0,8
0,9
1,0
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1,2
1,3
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1,9
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2,1
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2,8
2,9
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18,0
|S11|
[mag]
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<S11
[ang]
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13
3
-9
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-36
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-66
-80
-92
-101
Semiconductor Group
|S21|
[mag]
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|S12|
<S12
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[ang]
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-167
7 of 9
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|S22|
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<S22
[ang]
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MAG
[dB]
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10,8
10,6
10,6
10,9
Draft D, September 99
CLX27
Order Instructions:
Full type variant including quality level must be specified by the orderer. For HiRel Discrete
and Microwave Semiconductors the ordering code specifies device family and quality level
only.
Ordering Form:
Ordering Code: Q..........
CLX27- (nn) (ql)
(nn):
Output Power Level
(ql): Quality Level
Ordering Example:
Ordering Code: Q62702L118
CLX27-10 ES
For CLX27; Output Power Level 10 (Pout>27.5 dBm)
in ESA Space Quality Level
Further Informations:
See our WWW-Pages:
- Discrete and RF-Semiconductors (Small Signal Semiconductors)
www.infineon.de/semiconductor/products/35/35.htm
- HiRel Discrete and Microwave Semiconductors
www.infineon.de/semiconductor/products/35/353.htm
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Semiconductor Group
++89 234 24480
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Infineon Technologies Semiconductors,
High Frequency Products Marketing,
P.O.Box 801709,
D-81617 Munich
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CLX27
MWP-25 Package
Published by Infineon Technologies Semiconductors,
High Frequency Products Marketing, P.O.Box 801709,
D-81617 Munich.
Infineon Technologies AG 1998. All Rights Reserved.
As far as patents or other rights of third parties are
concerned, liability is only assumed for components per
se, not for applications, processes and circuits
implemented within components or assemblies.
The information describes the type of component and shall
not be considered as assured characteristics.
1
2
3
Terms of delivery and rights to change design reserved.
For questions on technology, delivery and prices please
contact the Offices of Semiconductor Group in Germany or
the
Infineon
Technologies
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Due to technical requirements components may contain
dangerous substances. For information on the type in
question please contact your nearest Infineon
Technologies Office, Semiconductor Group.
Infineon Technologies Semiconductors is a certified CECC
and QS9000 manufacturer (this includes ISO 9000).
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