Diotec BY299 Fast silicon rectifier diodes â schnelle silizium-gleichrichterdioden Datasheet

BY296 ... BY299
BY296 ... BY299
Fast Silicon Rectifier Diodes – Schnelle Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2010-03-30
Nominal current
Nennstrom
7.5±0.1
Type
62.5
±0.5
Ø 4.5+0.1
-0.3
Ø 1.2±0.05
Dimensions - Maße [mm]
2A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
100...800 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
~ DO-201
Weight approx.
Gewicht ca.
0.8 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
BY296
100
100
BY297
200
200
BY298
400
400
BY299
800
800
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50°C
IFAV
2 A 1)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
20 A 1)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
70/80 A
Rating for fusing, Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
24 A2s
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+175°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BY296 ... BY299
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 3 A
VF
< 1.3 V
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C
VR = VRRM
IR
< 10 µA
Forward recovery time
Durchlassverzugszeit
IF = 100 mA
tfr
< 1.0 µs
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
trr
< 500 ns
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 25 K/W 1)
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
RthL
< 10 K/W
120
10
2
[%]
[A]
100
10
80
Tj = 125°C
1
60
Tj = 25°C
40
10-1
20
IF
IFAV
0
-2
0
TA
50
100
150
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
1
1
2
70a-(3a-1.3v)
10
0.4
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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