Diotec BY399 Fast silicon rectifier Datasheet

BY 396 … BY 399, RGP 30K, RGP 30M
Fast Silicon Rectifiers
Schnelle Silizium Gleichrichter
Nominal current – Nennstrom
3A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
100…1000 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
~ DO-201
Weight approx. – Gewicht ca.
1g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Dimensions / Maße in mm
see page 16
siehe Seite 16
Maximum ratings
Type
Typ
BY 396
BY 397
BY 398
BY 399
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
=
RGP 30K
RGP 30M
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
100
200
400
800
1000
100
200
400
800
1000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50/C
IFAV
3 A 1)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f >15 Hz
IFRM
20 A 1)
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25/C
IFSM
100 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25/C
i2t
50 A2s
Tj
TS
– 50…+150/C
– 50…+175/C
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
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01.10.2002
BY 396 … BY 399, RGP 30K, RGP 30M
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage – Durchlaßspannung
Tj = 25/C
IF = 3 A
VF
< 1.2 V
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25/C
VR = VRRM
IR
< 10 :A
IF = 100 mA
tfr
< 1.0 :s
trr
< 500 ns
Forward recovery time – Durchlaßverzug
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 25 K/W 1)
1
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
01.10.2002
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