European PowerSemiconductor and Electronics Company GmbH + Co. KG Leistungsgleichrichterdioden Power Rectifier Diodes D 798 N Kath ode C athode ø 30 ø 30 A nod e +0.1 ø3,5 x 2 tief / depth beid seitig / on both s ides 2 VW K July 1996 D 798 N Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige Werte Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage tvj = -40°C... t vj max VRRM Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C... t vj max VRSM = V RRM Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current IFRMSM Dauergrenzstrom mean forward current tc = 130 °C IFAVM surge forward current Grenzlastintegral I2 t-value tvj = 25°C, t p = 10 ms V 1650 A IFSM 14,8 kA 11,8 kA I2 t 1095 kA2s 696 kA2s Characteristic values Durchlaßspannung on-state voltage tvj = tvj max , iF = 3,2 kA VT threshold voltage tvj = tvj max VT(TO) Ersatzwiderstand slope resistance tvj = tvj max rT Sperrstrom reverse current tvj = tvj max , VR = V RRM iR Thermische Eigenschaften Thermal properties Innerer Widerstand thermal resistance, junction beidseitig/two-sided, Θ =180° sin R thJC to case max. max. max. 1,77 V 0,81 V 0,28 mΩ 50 mA 0,0460 °C/W beidseitig/two sided, DC max. 0,0415 °C/W Anode/anode, Θ =180° sin max. 0,0755 °C/W Anode/anode, DC max. 0,0710 °C/W Kathode/cathode, Θ =180° sin max. 0,1045 °C/W Kathode/cathode, DC max. 0,1000 °C/W thermal resistance,case to heatsink beidseitig /two-sided R thCK einseitig /single-sided Höchstzul.Sperrschichttemperatur + 100 A Schleusenspannung Übergangs-Wärmewiderstand V A tvj = tvj max , tp = 10 ms Charakteristische Werte 1400, 1800 800 tvj = tvj max , tp = 10 ms tvj = 25°C, t p = 10 ms V 1050 tc = 106 °C Stoßstrom-Grenzwert 800, 1200 max. junction temperature max. 0,0075 °C/W max. 0,0150 °C/W tvj max 180 °C Betriebstemperatur operating temperature tc op -40...+150 °C Lagertemperatur storage temperature tstg -40...+150 °C Mechanische Eigenschaften Mechanical properties Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact ∅ = 30 mm Anpreßkraft clamping force Gehäuseform/case design T 6...15 kN Gewicht weight 110 g Kriechstrecke creepage distance 25 mm Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz Maßbild outline F G typ. C 50 Seite/page m/s 2 D 798 N 1,0 5 0,9 4 ⌠i²dt ⌡ i F [kA] (normiert) 0,8 3 0,7 2 0,6 0,5 1 0,4 0 0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 0 1 2 3 4 5 6 8 7 v F [V] 9 10 tp [m s] D798N_1 D798N_4 Bild/Fig. 1 Grenzdurchlaßkennlinie Limiting forward characteristic i F = f (v F) Bild / Fig. 2 Normiertes Grenzlastintegral / Normalized i²t ∫i²dt = f(tp) tvj = 180 °C tvj = 25 °C IF(0V)M IF(0V)M vR vR 14 16 IF(0V)M IF(0V)M [kA] [kA] 12 14 10 12 1a 2a 1b 1c 8 10 1a 1b 2a 8 6 2b 1c 4 6 2c 2b 2c 4 2 0 0 D798N_5 0,1 0,3 0,2 t [s] Bild / Fig. 3 Grenzstrom / Maximum overload forward current IF(0V)M = f(t) 1 - IFAV(vor) = 0 A; tvj = tC = 25 °C 2 - IFAV(vor) = 800 A; tC = 130 °C; tvj = 180 °C a - vR ≤ 50 V b - v R = 0,5 VRRM c - vR = 0,8 VRRM 0 D798N_6 0,1 0,2 0,3 t [s] Bild / Fig. 4 Grenzstrom / Maximum overload forward current IF(0V)M = f(t) 1 - IFAV(vor) = 0 A; tvj = tC = 25 °C 2 - IFAV(vor) = 800 A; tC = 130 °C; tvj = 180 °C a - v R ≤ 50 V b - v R = 0,5 VRRM c - v R = 0,8 VRRM D 798 N 10 4 Θ 0,04 9 8 7 6 5 T 4 ∆ R thJC [°C/W ] Qr [µAs] iFM [A] 1600 800 3 400 200 2 100 50 0,03 Θ 10 3 9 T 8 7 0,02 6 5 4 3 0,01 2 Θ 0 30 T 60 90 120 150 180 10 2 0,1 10 1 100 -diF /dt [A/µ s] Θ [°el] D798N_3 D798N_7 Bild / Fig. 5 Differenz zwischen den W ärmewiderständen für Pulsstrom und DC Difference between the values of thermal resistance for pulse current and DC Parameter: Stromkurvenform / Current waveform Bild / Fig. 6 Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q r = f(-di F/dt) tvj = tvjmax; vR ≤ 0,5 VRRM; VRM = 0,8 VRRM Beschaltung / Snubber: C = 0,68 µF; R = 5,6 Ω Parameter: Durchlaßstrom / Forward current iFM 0,12 3 0,10 Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC for C Analytical elements of transient thermal impedance ZthJ C Kühlg. Cooling Z (th)JC [°C/W] 0,08 1 2 2 3 0,06 1 Pos. n 1 2 3 4 Rthn °C/W 0,00031 0,00579 0,0114 0,024 τn [s] 0,298 0,000136 0,00233 0,0462 Rthn °C/W 0,0006 0,0055 0,0055 0,0223 5 0,0371 τn [s] 0,000232 0,002548 0,027467 0,152979 3,870018 Rthn °C/W 0,000598 0,005532 0,00457 0,0184 0,0709 τn [s] 0,000234 0,00257 0,0278 0,118 2,822 1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling 2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling 0,04 3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling 0,02 Analytische Funktion / Analytical function ZthJC = 0 10-3 D798N_2 10 -2 10-1 10 0 10 1 t [s] Bild / Fig. 7 Transienter innerer W ärmewiderstand Transient thermal impedance Z thJC = f(t), DC 1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling 2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling 3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling 102 nmax Σ Rthn(1-EXP(-t/τn)) n=1 6 7