Diotec BYW27-50 Silicon rectifier diodes - silizium-gleichrichterdioden Datasheet

BYW27-50 ... BYW27-1000
BYW27-50 ... BYW27-1000
Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2009-10-16
Nominal current
Nennstrom
-0.1
5.1-0.1
Type
+0.5
62.5 -2.5
Ø 2.6
Ø 0.77±0.07
Dimensions - Maße [mm]
1A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...1000 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
DO-41
DO-204AL
Weight approx.
Gewicht ca.
0.4 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
BYW27-50
50
50
BYW27-100
100
100
BYW27-200
200
200
BYW27-400
400
400
BYW27-600
600
600
BYW27-800
800
800
BYW27-1000
1000
1000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 75°C
TA = 100°C
IFAV
IFAV
1 A 1)
0.8 A 1)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
10 A 1)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
50/55 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
12.5 A2s
Tj
TS
-50...+175°C
-50...+175°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BYW27-50 ... BYW27-1000
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 1 A
VF
< 1.3 V
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C
VR = VRRM
VR = VRRM
IR
IR
< 0.2 µA
< 5 µA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 45 K/W 1)
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss
RthL
< 15 K/W
120
10
2
[%]
[A]
100
Tj = 125°C
10
80
Tj = 25°C
1
60
40
10-1
20
IF
IFAV
0
0
TA
100
50
150
[°C]
50a-(1a-1.3v)
10-2
0.4
Rated forward current versus ambient temperature1)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
102
[A]
10
îF
1
1
10
102
[n]
103
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
1
2
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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