ETC1 EM1681 Em1681 Datasheet

モノリシック型
ホールIC
EMシリーズ
EM1681
梱包は5000個/巻のテ−ピングとなります。
EM1681は、
ホール素子と波形整形用ICが一体化されている超小型ホールICです。
ホール素子はパルス駆動されているため、
VDD=3V時平均消費電流5.5μAときわめて低消費電力です。
両極検知
電源電圧
ホール素子
高感度
出力形式
小型表面実装
2.4〜3.3V
パルス駆動
Bop:3mT
CMOS出力
パッケージ
●磁電変換特性
Vout
S or N
VOH
H
マーク面
1:VDD
1
2
2:OUT
BhN
N or S
BhS
3:N.C.
VOL
4:VSS
0
N極 BopN BrpN
印加磁束の方向
L
BrpS
BopS
S極
●回路構成
磁束密度
1:VDD
Switch
項 目
記号
定
格
単
位
電
源
電
圧 VDD
−0.1 〜 5
V
出
力
電
流 Iout
±1
mA
−30 〜 85
℃
動 作 周 囲 温 度 Topr
保
存
温
度 Tstg
Dynamic
Offset Cancellator
●最大定格(Ta=25℃)
2:VSS
Pulse
Hall
Chopper Amplifier
Regulator Element Stabilizer
℃
−40 〜 125
●電気的特性(Ta=25℃ VDD=3V)
項 目
記号
動作電圧範囲
測
定
条
件
最小
2.0*
BrpS
出力L→H磁束密度 IBrpNI
BhS
ヒ ス テリシ ス 幅
I B h NI
パルス駆動周期
Tp
出力High電圧
VOH
出力Low電圧
VOL
Io=+1.0mA
電
IDD
平均値
Io=−1.0mA
標準
3.0
3.0
最大
3.3
4.0
単位
電
流
Output
Stage
最小
標準
最大
単位
V
B S
出力H→L磁束密度 IBOPNI
OP
1.8
3.0
4.2
mT
mT
BrpS
出力L→H磁束密度 IB NI
rp
1.0
2.2
3.4
mT
B S
ヒ ス テリシ ス 幅 BhN
I h I
0.1
0.8
1.5
mT
1.2
2.2
3.2*
mT
0.3*
0.8
1.5*
mT
50
70
ms
項 目
記号
測
定
VDD
CMOS出力
0.4
V
5.5
9
μA
1[mT]=10[Gauss]
件
●外付け部品推奨回路
V
VDD −0.4
条
注)本特性は設計保証となります。
OUT
源
Schmitt
trigger
&Latch
●磁界特性(Ta=30℃〜85℃ VDD=3V)
2.4
VDD
BOPS
出力H→L磁束密度 IBOPNI
3:OUT
VDD
EM1681
N.C.
外付けコンデンサ
0.1μF
VSS
「*」印の特性値は設計保証値になります。
GND
EM1681
•製品はある確率で故障する可能性があります。医療機器、
自動車、航空宇宙機器、原子力制御用機器等、その装置・機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず、生命・身体・財
産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は、必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください。
•本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります。
b
●(参考)ランド形状(単位:mm)
●外形寸法図(単位:mm)
0.50
1
φ0.3
Sensor center
0〜0.1
0.90
2.1±0.2
1.25±0.1
2
0.25
2.1±0.1
1.3
0.3
5°
1.90
5°
3
4
0.05
+0.1
0.55−0
0.3 0.25
0.1
5°
5°
端子番号
1
2
3
4
接続
VDD
OUT
N.C.
VSS
備考
機能
電源ピン
信号出力ピン
GNDと短絡
−
GND
f
注1)センサ中心はφ0.3mmの
円内に位置します
注2)公差は特に定める以外は
±0.1mmとします
注3)リード平坦度:端子間の
スタンドオフの差は最大
0.15mmとします。
●使用電圧範囲
1.30
●パルス駆動消費電流(VDD=3V)
3.4
50ms
IDD
48μs
3.2
入力電圧[V]
j
IDD ON
(TYP : 3mA)
3
2.8
2.6
IDD ON
(TYP : 5.5μA)
2.4
IDD OFF
(TYP : 3μA)
time
2.2
−40
−20
0
20
40
60
80
100
周囲温度[℃]
●動作タイミング
●動作磁束密度温度特性
6
IDD
動作磁束密度[mT]
4
IDD
BopS
o
2
BopS
0
VDD=3V
t
Bop
B
t
Brp
BrpN
−2
BrpN
−4
−6
−50
B
0
50
周囲温度[℃]
Vout
High
100
t
Vout
High
t
Low
Low
t
Operate Point Timing
t
Release Point Timing
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