BYG10D ... BYG10M BYG10D ... BYG10M Standard Avalanche SMD Rectifier Diodes Standard Avalanche SMD-Gleichrichterdioden IFAV = 1.5 A VF < 1.15 V trr < 1500 ns VRRM = 200...1000 V IFSM = 27/30 A ERSM = 20 mJ Version 2018-03-27 ± 0.2 2.2 ± 0.2 2.1 ± 0.2 5 ± 0.3 Type Typ 1.5 ±0.1 2.7 ± 0.2 0.15 4.5± 0.3 Dimensions - Maße [mm] Typische Anwendungen 50/60 Hz Netzgleichrichtung, Stromversorgungen, Verpolschutz Standardausführung 1) Features Controlled avalanche characteristic High average forward current Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Controlled Avalanche Charakteristik Hoher Dauergrenzstrom Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) RoHS Pb EE WE 1 Typical Applications 50/60 Hz Mains Rectification, Power Supplies, Polarity Protection Commercial grade 1) EL V ~ SMA / ~ DO-214AC Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 7500 / 13“ Weight approx. Gegurtet auf Rolle 0.07 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Maximum ratings 2) Type Typ Grenzwerte2) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Reverse avalanche breakdown voltage Sperrspannung im Durchbruch VRSM [V] 3) BYG10D 200 > 250 BYG10G 400 > 450 BYG10J 600 > 650 BYG10K 800 > 850 BYG10M 1000 > 1050 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TT = 100°C IFAV 1.5 A 4) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz TT = 100°C IFRM 5 A 4) Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung Half sine-wave Sinus-Halbwelle 50 Hz (10 ms) 60 Hz (8.3 ms) IFSM 27 A 30 A t < 10 ms i2t 3.6 A2s Rating for fusing Grenzlastintegral Non-repetitive peak reverse avalanche energy Einmalige Avalanche-Energie in Sperr-Richtung ERSM Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS 1 2 3 4 20 mJ 3) -50...+150°C -50...+150°C Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben IRSM = 1 A, inductive load switch-off – IRSM = 1 A, Abschalten induktiver Last Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BYG10D ... BYG10M Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 1 A IF = 1.5 A VF < 1.1 V < 1.15 V Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 125°C VR = VRRM IR < 5 µA < 50 µA Reverse recovery time Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A trr typ. 1500 ns RthA RthT < 100 K/W 1) < 30 K/W Thermal resistance junction-ambient − Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung Thermal resistance junction-terminal − Wärmewiderstand Sperrschicht-Anschluss 102 120 [%] [A] 100 Tj = 125°C 10 80 Tj = 25°C 1 60 40 10 20 -1 IF IFAV 10 0 0 TT 100 50 150 30a-(1a-1.1v) -2 [°C] 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Rated forward current vs. temp. of the terminals Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals 102 25 [pF] [µA] 20 Tj = 125°C 10 1 15 Tj = 100°C 1 10 10-1 5 Tj = 25°C IR Cj 10-2 0 VRRM 40 60 80 0 100 [%] VR [V] Junction capacitance vs. reverse voltage (typical) Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Sperrspg. (typ.) Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG