Diotec BYZ50K47 Press-fit diodes â protectifier Datasheet

BYZ50A22 ... BYZ50A47 | BYZ50K22 ... BYZ50K47
BYZ50A22 ... BYZ50A47 | BYZ50K22 ... BYZ50K47
IFAV = 50 A
VWM
VF
< 1.1 V VBR Min
Tjmax = 200°C IFSM
Press-Fit Diodes – Protectifiers ®
Einpress-Dioden – Protectifiers ®
= 17.8 ... 38.1 V
= 19.8 ... 42.3 V
= 400/450 A
Version 2018-01-08
Typical Applications
On-board alternators
Load dump protection
Commercial grade 1)
Ø 12.75 x 4.2
Press-fit
Ø 12.75
A
28.5 min
Features
TVS (suppressor) characteristic
High junction temperature
Press-fit assembly into aluminum plate
Two polarity versions:
A = Anode to lead wire
K = Cathode to lead wire
Compliant to RoHS, REACH,
Pb
Conflict Minerals 1)
RoHS
K
Dimensions - Maße [mm]
EL
V
EE
WE
4.2+0.3
9.3±0.2
1.3
Rändel 0.8
knurl 0.8
Ø 11
±0.5
Typische Anwendungen
Bordnetz-Generatoren
“Load dump”-Schutz
Standardausführung 1)
Besonderheiten
TVS-(Begrenzer-)Charakteristik
Hohe Sperrschichttemperatur
Einpressmontage in Alu-Kühlblech
Zwei Polaritäten:
A = Anode am Anschlussdraht
K = Kathode am Anschlussdraht
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1)
Mechanische Daten 1)
Packed in cardboard trays
300
Verpackt in Einlagekartons
Weight approx.
10 g
Gewicht ca.
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
260°C/10s
Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
Maximum ratings 2)
Grenzwerte 2)
Max. average forward current – Dauergrenzstrom
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
f > 15 Hz
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
Rating for fusing – Grenzlastintegral
TC = 150°C 3)
IFAV
50 A
TC = 150°C 3)
IFRM
80 A
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms)
IFSM
400 A
450 A
t < 10 ms
i2t
800 A2s
Tj
TS
-50...+200°C
-50...+200°C
TjM
+215°C
FpM
4 kN
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Peak junction temperature in case of load dump
Spitzensperrschichttemperatur im “Load dump” Fall
t < 400 ms
Maximum pressing force – Maximaler Einpressdruck
Characteristics (Tj = 25°C)
Type / Typ
Wire to / Draht an
1
2
3
Kennwerte (Tj = 25°C)
Breakdown voltage
Abbruchspannung
IT = 100 mA
Reverse voltage
Sperrspannung
IR = 5 µA
Max. clamping voltage
Max. Begrenzerspanng.
at / bei Ipp, tp = 1 ms
Anode
Cathode
VBRmin [V]
VBRmax [V]
VR [V]
VC [V]
Ipp [A]
BYZ50A22
BYZ50K22
19.8
24.2
> 17.8
31.9
235
BYZ50A33
BYZ50K33
29.7
36.3
> 26.8
47.7
157
BYZ50A39
BYZ50K39
35.1
42.9
> 31.6
56.4
133
BYZ50A47
BYZ50K47
42.3
51.7
> 38.1
67.8
111
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
Temperature measured at the metallic base – Temperatur am Metallsockel gemessen
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BYZ50A22 ... BYZ50A47 | BYZ50K22 ... BYZ50K47
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 50 A
VF
< 1.1 V
VR = 4 V
Cj
430 pF
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to IR = 0.25 A
trr
typ. 1500 ns
RthC
< 0.6 K/W 1)
Typical junction capacitance
Typische Sperrschichtkapazität
Reverse recovery time
Sperrverzug
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
120
103
[%]
[A]
100
Tj = 125°C
10
2
80
Tj = 25°C
10
60
40
1
20
IF
IFAV
0
10
400a-(50a-1,1v)
-1
0
TC 50
100
150
200
[°C]
Rated forward current versus case temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp.
0.4
VF
1.0
0.8
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
103
[A]
102
îF
10
1
2
10
10
[n]
10
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
3
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1
2
Temperature measured at the metallic base – Temperatur am Metallsockel gemessen
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
Similar pages