MMBTA56 MMBTA56 IC = -500 mA hFE > 100 Tjmax = 150°C SMD General Purpose PNP Transistors SMD Universal-PNP-Transistoren VCES = -60 V Ptot = 250 mW Version 2018-01-18 SOT-23 (TO-236) Features General Purpose Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Universell anwendbar Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1 1 1.3±0.1 2 Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 1.9±0.1 RoHS Pb EE WE Type Code 3000 / 7“ Weight approx. 1=B 2=E 3=C Dimensions - Maße [mm] EL V 3 2.4 ±0.2 0.4 Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schalten, Verstärken Standardausführung 1) +0.1 1.1 -0.2 2.9 ±0.1 +0.1 -0.05 Typical Applications Signal processing, Switching, Amplification Commercial grade 1) Gegurtet auf Rolle 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Type Code Recommended complementary NPN transistors Empfohlene komplementäre NPN-Transistoren 2GM or JB MMBTA06 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung B open - VCEO 60 V Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung E open - VCBO 60 V Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open - VEBO 4V Ptot 250 mW 3) - IC 500 mA Base current – Basisstrom - IB 100 mA Peak Base current – Basis-Spitzenstrom - IBM 200 mA Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Power dissipation – Verlustleistung Collector current – Kollektorstrom DC Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Characteristics Kennwerte Tj = 25°C Min. Typ. Max. hFE 100 100 – – 4 DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ) - VCE = 1 V 1 2 3 4 - IC = 1 mA - IC = 100 mA Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 MMBTA56 Characteristics Kennwerte Tj = 25°C Min. Typ. Max. - VCEsat – – 0.25 V - VBE – – 1.2 V - ICBO – – 100 nA - IEBO – – 100 nA fT 50 MHz – – 1) Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. - IC = 100 mA, - IB = 10 mA Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung ) 1 - IC = 100 mA, - VCE = 1 V Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom - VCB = 80 V E open Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom - VEB = 4 V C open Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz - IC = 100 mA, - VCE = 1 V, f = 100 MHz Thermal resistance junction to ambient Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 420 K/W 2) 120 [%] 100 80 60 40 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] Power dissipation versus ambient temperature 2 ) 2 Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. ) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG