Siemens LAE675-U2 Power topled hyper-bright led Datasheet

Power TOPLED®
Hyper-Bright LED
LA E675
Besondere Merkmale
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•
Gehäusebauform: P-LCC-4
Gehäusefarbe: weiß
als optischer Indikator einsetzbar
zur Hintergrundbeleuchtung, Lichtleiter- und
Linseneinkopplung
für alle SMT-Bestücktechniken geeignet
gegurtet (8 mm-Filmgurt)
JEDEC Level 3
nur IR Reflow Löten
VPL06837
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Features
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P-LCC-4 package
color of package: white
for use as optical indicator
for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
suitable for all SMT assembly methods
available taped on reel (8 mm tape)
JEDEC Level 3
IR reflow soldering only
Typ
Emissionsfarbe
Type
Color of
Emission
LA E675
LA E675-S1
LA E675-S2
LA E675-T1
LA E675-T2
LA E675-U1
LA E675-U2
amber
Farbe der
Lichtaustrittsfläche
Color of the
Light Emitting
Area
Lichtstärke
Lichtstrom
Bestellnummer
Luminous
Intensity
IF = 50 mA
I V (mcd)
Luminous
Flux
IF = 50 mA
ΦV (mlm)
Ordering Code
colorless clear
Q62703-Q3764
160
200
250
320
400
500
...
...
...
...
...
...
250
320
400
500
630
800
600 (typ.)
750 (typ.)
900 (typ.)
1200 (typ.)
1500 (typ.)
1800 (typ.)
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I V max / I V min ≤ 1.6.
Luminous intensity ratio in one packaging unit I V max / I V min ≤ 1.6.
Helligkeitswerte werden bei einer Strompulsdauer von 25 ms spezifiziert.
Luminous intensity is specified at a current pulse duration of 25 ms.
Semiconductor Group
1
1998-11-05
LA E675
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Top
– 40 ... + 100
°C
Lagertemperatur
Storage temperature range
Tstg
– 40 ... + 100
°C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Tj
+ 120
°C
Durchlaßstrom
Forward current
IF
70
mA
Sperrspanung1)
Reverse voltage1)
VR
3
V
Verlustleistung
Power dissipation
TA ≤ 25 °C
Ptot
130
mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Montage auf PC-board*) (Padgröße ≥ 12 mm2)
mounted on PC board*) (pad size ≥ 12 mm2)
Rth JA
290
K/W
1)
1)
Werte
Values
Einheit
Unit
Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.
Reverse biasing should be avoided.
*) PC-board: FR4
Semiconductor Group
2
1998-11-05
LA E675
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
min.
typ.
max.
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
IF = 50 mA
λpeak
–
624
–
nm
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
IF = 50 mA
λdom
612
617
623
nm
Spektrale Bandbreite bei 50% Irel max
Spectral bandwidth at 50% Irel max
IF = 50 mA
∆λ
–
18
–
nm
Abstrahlwinkel bei 50% Iv (Vollwinkel)
Viewing angle at 50% Iv
2ϕ
–
120
–
Grad
deg.
Durchlaßspannung1)
Forward voltage1)
IF = 50 mA
VF
–
2.1
2.55
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 3 V
IR
–
0.01
10
µA
Temperaturkoeffizient von λdom (IF = 50 mA)
Temperature coefficient of λdom (IF = 50 mA)
TCλ
–
0.05
–
nm/K
Temperaturkoeffizient von λpeak (IF = 50 mA)
Temperature coefficient of λpeak (IF = 50 mA)
TCλ
–
0.14
–
nm/K
Temperaturkoeffizient von VF (IF = 50 mA)
Temperature coefficient of VF (IF = 50 mA)
TCV
–
– 2.1
–
mV/K
Temperaturkoeffizient von IV (IF = 50 mA)
Temperature coefficient of IV (IF = 50 mA)
TCI
–
– 0.6
–
%/K
1)
V
Durchlaßspannungsgruppen
Forward voltage groups
Gruppe
Group
Durchlaßspannung
Forward voltage
Einheit
Unit
min.
max.
1
1.85
2.25
V
2
2.15
2.55
V
Semiconductor Group
3
1998-11-05
LA E675
Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 °C, IF = 50 mA
Relative spectral emission
V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
OHL00436
100
Ι rel
%
80
Vλ
amber
60
40
20
0
400
450
500
550
600
650
nm
λ
700
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)
Radiation characteristic
40˚
30˚
20˚
10˚
0˚
ϕ
50˚
OHL01660
1.0
0.8
0.6
60˚
0.4
70˚
0.2
80˚
0
90˚
100˚
1.0
0.8
Semiconductor Group
0.6
0.4
0˚
20˚
4
40˚
60˚
80˚
100˚
120˚
1998-11-05
LA E675
Relative Lichtstärke IV/IV(50 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25 °C
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25 °C
OHL00232
10 2
mA
ΙF 5
ΙV
OHL00437
10 1
Ι V (50 mA)
10 0
10 1
5
5
10 -1
5
10 0
10 -2
5
5
10 -1
1.0
1.4
1.8
2.2
2.6
10 -3 -1
10
3.0 V 3.4
VF
5 10 0
5 10 1
mA 10 2
ΙF
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
OHL00438
100
Ι F mA
80
60
40
20
0
0
20
40
Semiconductor Group
60
80 C 100
TA
5
1998-11-05
LA E675
Maßzeichnung
Package Outlines
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
3.0
2.6
2.3
2.1
2.1
1.7
0.8
0.6
A
0.9
0.7
C
C
A: Anode
C: Cathode
0.18
0.12
0.6
0.4
GPL06991
package
marking
1.1
0.5
C
3.7
3.3
3.4
3.0
(2.4)
0.1 typ
Empfehlung Lötpaddesign
Recommended Pad
Infrarot/Vapor-Phase Reflow-Lötung
Infrared Vapor-Phase Reflow-Soldering
3.3
3.3
0.4
2.6
1.85
4.2
7.5
0.5
1.1
Paddesign for
improved heat dissipation
Semiconductor Group
Lötstoplack
solder resist
6
Cu Fläche / Cu-area
= 12 mm 2 per pad
OHLP0439
Padgeometrie für
verbesserte Wärmeableitung
1998-11-05
LA E675
Gurtung
Taping
C
C
A
OHA00440
C
Semiconductor Group
7
1998-11-05
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