Diotec ES3A Superfast efficient surface mount silicon rectifier diode Datasheet

ES3A ... ES3J
ES3A ... ES3J
Superfast Efficient Surface Mount Silicon Rectifier Diodes
Superschnelle Hocheffizienz-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage
Version 2013-12-11
±0.2
2.2
±0.3
2.1±0.2
7.9
1.2
0.15
Nominal current
Nennstrom
3A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...600 V
Type
Typ
3
5.8±0.2
Plastic case
Kunststoffgehäuse
~ SMC
~ DO-214AB
Weight approx. – Gewicht ca.
0.21 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
7.2±0.5
Dimensions - Maße [mm]
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
ES3A
50
50
ES3B
100
100
ES3C
150
150
ES3D
200
200
ES3F
300
300
ES3G
400
400
ES3J
600
600
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TT = 100°C
IFAV
3A
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
15 A 1)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
115/125 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
50 A2s
Tj
-50...+150°C
-50...+150°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
TS
Max. temperature of the terminals TT = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
ES3A ... ES3J
Characteristics
Kennwerte
Type
Typ
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
trr [ns] 1)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V]
at / bei
IF [A]
ES3A...ES3D
< 20
< 0.9
3
ES3F...ES3G
< 25
< 1.3
3
ES3J
< 35
< 1.5
3
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C VR = VRRM
Tj = 100°C VR = VRRM
IR
IR
< 5 µA
< 500 µA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 40 K/W 2)
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
RthL
< 10 K/W
10
120
[%]
[A]
ES3A...D
100
1
80
ES3F...G
60
ES3J
0.1
40
10-2
20
IF
IFAV
0
10
0
TT
50
100
150
[°C]
Rated forward current vs. temp. of the terminals
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals
1
2
2
Tj = 25°C
-3
VF
[V]
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
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