BAS31, BAS35 BAS31, BAS35 IFAV = 200 mA VF1 < 0.750 V Tjmax = 150°C SMD Small Signal Diodes SMD Kleinsignal-Dioden VRRM = 120 V IFSM1 = 2 A trr < 50 ns Version 2018-01-26 Typical Applications Signal processing, High-speed Switching, Rectifying Commercial grade 1) +0.1 1.1 -0.2 2.9 ±0.1 0.4+0.1 -0.05 1 1.3±0.1 Type Code RoHS Mechanical Data 1) 2 1.9 Besonderheiten Schnelles Schalten Sperr-Abbruch getestet mit 1 mA Niedriger Sperrstrom Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Pb EE WE 2.4 ±0.2 3 Features Fast switching speed Reverse breakdown tested at 1 mA Low leakage current Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) EL V SOT-23 (TO-236) Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schnelles Schalten, Gleichrichten Standardausführung 1) Taped and reeled ±0.1 3000 / 7“ Weight approx. Dimensions - Maße [mm] Mechanische Daten 1) Gegurtet auf Rolle 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 BAS31 BAS35 3 Series Connection 1 2 Type Code L21 3 Type Code L22 Common Anode 1 = A1 2 = C2 3 = C1/A2 1 2 1 = C1 2 = C2 3 = A1/A2 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Power dissipation (per device) Verlustleistung (pro Bauteil) Maximum average forward current Dauergrenzstrom single diode loaded – eine Diode belastet both diodes loaded – beide Dioden belastet Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Non repetitive peak forward surge current Stoßstrom-Grenzwert tp ≤ 1 s tp ≤ 1 µs Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Reverse voltage Sperrspannung DC Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 Ptot 350 mW 3) IFAV 200 mA 3) 100 mA 3) IFRM 600 mA 3) IFSM 1A 2A VRRM 120 V VR 90 V Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C and per diode, unless otherwise specified – TA = 25°C und pro Diode, wenn nicht anders angegeben Mounted on 3 mm2 copper pads per terminal – Montage auf 3 mm2 Kupferbelag (Lötpads) je Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BAS31, BAS35 Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung 1 ) Tj = 25°C Leakage current Sperrstrom 1 ) Reverse avalanche breakdown voltage Sperrspannung im Durchbruch Junction capacitance – Sperrschichtkapazität Reverse recovery time Sperrverzug 10 50 IF = 100 200 400 mA mA mA mA mA VF < 750 mV < 840 mV < 900 mV < 1.00 V < 1.25 V Tj = 25°C Tj = 150°C VR = 90 V IR < 100 nA < 100 µA Tj = 25°C IRSM = 1 mA VRSM > 120 V VR = 0 V, f = 1 MHz CT typ. 35 pF IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA trr < 50 ns Thermal resistance junction to ambient Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung < 400 K/W 2) RthA 10 120 [%] [A] 100 1 80 Tj = 125°C 60 10 -1 40 Tj = 25°C 10-2 20 IF Ptot 0 0 TA 50 100 150 10-3 [°C] Power dissipation versus ambient temperature 2) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.2) 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Mounted on 3 mm2 copper pads per terminal Montage auf 3 mm2 Kupferbelag (Lötpads) je Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG