Diotec ES3B Superfast efficient smd rectifier diode Datasheet

ES3A ... ES3J
ES3A ... ES3J
IFAV = 3.0 A
VF1 < 0.9 V
Tjmax = 150°C
Superfast Efficient SMD Rectifier Diodes
Superschnelle SMD-Gleichrichter für hohen Wirkungsgrad
VRRM = 50...600 V
IFSM = 115/125 A
trr
< 20...35 ns
Version 2015-10-26
±0.2
2.2±0.3
2.1±0.2
7.9
0.15
RoHS
Pb
Besonderheiten
Extrem niedrige Sperrverzugszeit
Niedrige Fluss-Spannung
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1)
3
Type
Typ
Features
Extremely low reverse recovery time
Low forward voltage drop
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
EE
WE
5.8±0.2
1.2
Typische Anwendungen
Gleichrichtung hoher Frequenzen
Wandlerstufen mit hohem Wirkungsgrad
Standardausführung 1)
EL
V
~ SMC / ~ DO-214AB
Typical Applications
Rectification of higher frequencies
High efficient switching stages
Commercial grade 1)
Taped and reeled
Weight approx.
7.2
±0.5
Dimensions - Maße [mm]
Mechanische Daten 1)
3000 / 13“
Gegurtet auf Rolle
0.21 g
Gewicht ca.
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
260°C/10s
Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Maximum ratings 2)
Type
Typ
Grenzwerte 2)
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
ES3A
50
50
ES3B
100
100
ES3C
150
150
ES3D
200
200
ES3F
300
300
ES3G
400
400
ES3J
600
600
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TT = 100°C
IFAV
3A
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
15 A 3)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
115/125 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
50 A2s
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
2
3
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
Max. temperature of the terminals TT = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
ES3A ... ES3J
Characteristics
Kennwerte
Type
Typ
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
trr [ns] 1)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V]
at / bei
IF [A]
ES3A...ES3D
< 20
< 0.9
3
ES3F...ES3G
< 25
< 1.3
3
ES3J
< 35
< 1.5
3
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C
VR = VRRM
VR = VRRM
IR
IR
< 5 µA
< 500 µA
Cj
20 pF
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 40 K/W 2)
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
RthL
< 10 K/W
Typical junction capacitance
Typische Sperrschichtkapzität
VR = 4 V
10
120
[%]
[A]
ES3A...D
100
1
80
ES3F...G
60
ES3J
0.1
40
10-2
20
IF
IFAV
0
10-3
0
TT
50
100
150
[°C]
Tj = 25°C
VF
[V]
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Rated forward current vs. temp. of the terminals
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1
2
2
IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
Similar pages