Diotec BC546 General purpose npn transistor Datasheet

BC546 ... BC549
BC546 ... BC549
IC
= 100 mA
hFE ~ 110/200/420
Tjmax = 150°C
General Purpose NPN Transistors
Universal-NPN-Transistoren
VCEO = 30...65 V
Ptot = 500 mW
Version 2018-02-01
(1)
18
9
16
CBE
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schalten, Verstärken
Standardausführung 1)
Features
General Purpose
Three current gain groups
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
RoHS
Pb
EE
WE
2 x 2.54
Typical Applications
Signal processing,
Switching, Amplification
Commercial grade 1)
EL
V
TO-92 (10D3)
1
Mechanische Daten 1)
Mechanical Data )
±0.1
(2)
CBE
min 12.5
4.6±0.1
4.6
2 x 1.27
Besonderheiten
Universell anwendbar
Drei Stromverstärkungsklassen
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
(1) Taped in ammo pack
(Raster 2.54)
(2) On request: in bulk
(Raster 1.27, suffix “BK”)
4000
5000
Weight approx.
(1) Gegurtet in Ammo-Pack
(Raster 2.54)
(2) Auf Anfrage: Schüttgut
(Raster 1.27, Suffix “BK”)
0.01 g
Gewicht ca.
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
260°C/10s
Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
Dimensions - Maße [mm]
Current gain groups
Stromverstärkungsgruppen
BC546A
BC547A
BC548A
BC549A
BC546B
BC547B
BC548B
BC549B
Recommended complementary PNP transistors
Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren
BC546C
BC547C
BC548C
BC549C
BC556 ... BC559
Maximum ratings 2)
Grenzwerte 2)
BC546
BC547
BC548/549
Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung
E-B short
VCES
80 V
50 V
30 V
Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung
B open
VCEO
65 V
45 V
30 V
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
C open
VEBO
80 V
50 V
30 V
Emitter-Base-voltage
C open
VEBO
5V
Ptot
500 mW 3)
IC
100 mA
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
ICM
200 mA
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom
IBM
200 mA
- IEM
200 mA
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom
DC
Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
2
3
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BC546 ... BC549
Characteristics
Kennwerte
Tj = 25°C
Min.
Typ.
Max.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis )
1
VCE =
5V
IC = 10 µA
Group A
Group B
Group C
hFE
–
–
–
90
150
270
–
–
–
IC = 2 mA
Group A
Group B
Group C
hFE
110
200
420
–
–
–
220
450
800
IC = 100 mA
Group A
Group B
Group C
hFE
–
–
–
120
200
400
–
–
–
Collector-Emitter cutoff current – Kollektor-Emitter-Reststrom
VCE =
80 V
50 V
30 V
B-E short
BC546
BC547
BC548 / BC549
ICES
–
0.2 nA
15 nA
VCE =
80 V
50 V
30 V
B-E short
Tj = 125°C
BC546
BC547
BC548 / BC549
ICES
–
–
4 µA
VCEsat
–
–
80 mV
200 mV
250 mV
600 mV
VBEsat
–
–
700 mV
900 mV
–
–
VBE
580 mV
–
660 mV
–
700 mV
770 mV
fT
–
300 MHz
–
CCBO
–
3.5 pF
6 pF
CEBO
–
9 pF
–
F
–
–
2 dB
1.2 dB
10 dB
4 dB
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. 1)
IC = 10 mA
IC = 100 mA
IB = 0.5 mA
IB = 5 mA
Base-Emitter saturation voltage – Basis-Emitter-Sättigungsspannung 1)
IC = 10 mA
IC = 100 mA
IB = 0.5 mA
IB = 5 mA
Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung 1)
VCE = 5 V
VCE = 5 V
IC = 2 mA
IC = 10 mA
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität
VCB = 10 V, IE =ie = 0, f = 1 MHz
Emitter-Base Capacitance – Emitter-Basis-Kapazität
VEB = 0.5 V, IC = ic = 0, f = 1 MHz
Noise figure – Rauschzahl
VCE = 5 V, IC = 200 µA, RG = 2 kΩ
f = 1 kHz, Δf = 200 Hz
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
RthA
< 200 K/W 2)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1
2
2
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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