Shindengen D1UBA80-7062 800v 1a Datasheet

面実装型
Bridge Diode
Surface Mounting Device
■外観図 OUTLINE
D1UBA80
Unit : mm
Weight : 0.087g(typ.)
Package:SOPA-4
800V 1A
①
④
特長
品名略号
Type No.
• SMD
• 耐久性に優れ高信頼性
• 端子間 3.4mm
管理番号(例)
Control No.
UA80
0916
③
Feature
①
+
〜
③
〜
②
6.2
②
ロット記号(例)
Date code
• SMD
• High-Reliability
• Pin-distance 3.4mm for isolation
④
−
5.3
1.6
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
'PSEFUBJMTPGPVUMJOFEJNFOTJPOT SFGFSUPPVSXFCTJUFPSUIF4FNJDPOEVDUPS
4IPSU'PSN$BUBMPH"TGPSUIFNBSLJOH SFGFSUPUIFTQFDJàDBUJPOi.BSLJOH 5FSNJOBM$POOFDUJPOu
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings(指定のない場合 Tl = 25℃/unless otherwise speci
項
目
記号
条 件
Symbol Conditions
Item
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
●電気的・熱的特性
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
単位
Unit
Tstg
−55〜150
℃
Tj
150
℃
800
V
IO
IFSM
2
It
18
(J534)
アルミナ基板実装
50Hz 正弦波,抵抗負荷,Ta = 25℃
On alumina substrate
50Hz sine wave,
プリント基板実装
Resistance load, Ta = 25℃
On glass-epoxy substrate
50Hz 正弦波,非繰り返し1サイクルせん頭値,Tj = 25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃
1ms≦t<10ms,Tj = 25℃, 1素子当たりの規格値
per diode
1.0
VF
IR
θja
IF = 0.4A, パルス測定,1素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
VR =VRM, パルス測定,1素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
接合部・リード間
Junction to Lead
アルミナ基板実装
On alumina substrate
接合部・周囲間
Junction to Ambient
プリント基板実装
On glass-epoxy substrate
A
0.8
30
A
3
A2s
Electrical Characteristics(指定のない場合 Tl = 25℃/unless otherwise speci
θjl
熱抵抗
Thermal Resistance
)
D1UBA80
VRM
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
電流二乗時間積
Current Squared Time
品 名
Type No.
MAX
0.95
MAX
10
MAX
25
MAX
62.5
MAX
80
)
V
μA
℃/W
SMD Bridge
D1UBA80
■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS
* Sine wave は 50Hz で測定しています。
* )[TJOFXBWFJTVTFEGPSNFBTVSFNFOUT
*半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。
Typical は統計的な実力を表しています。
* 4FNJDPOEVDUPSQSPEVDUTHFOFSBMMZIBWFDIBSBDUFSSJTUJDWBSJBUJPO
5ZQJDBMJTBTUBUJTUJDBMBWFSBHFPGUIFEFWJDFhTBCJMJUZ
(J534)
19
Mouser Electronics
Authorized Distributor
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Shindengen:
D1UBA80-7062
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