Sanyo CPH5810 Cph5810 Datasheet

CPH5810
注文コード No. N 8 2 0 6
MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
SBD : ショットキバリアダイオード
CPH5810
汎用スイッチングデバイス
特長
・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ(MCH3312)
とショットキバリアダイオード(SBS001)を 1 パッケージ
に内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能である。
・[MOS]
・低オン抵抗。
・超高速スイッチング。
・4V 駆動。
・[SBD]
・逆回復時間が短い。
・低順電圧。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
項目
[MOSFET 部]
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
記号
ドレイン電流
(DC)
ドレイン電流
(パルス)
VDSS
VGSS
ID
IDP
許容損失
チャネル温度
PD
Tch
保存周囲温度
[SBD 部]
Tstg
繰り返しピーク逆電圧
VRRM
非繰り返しピーク逆サージ電圧 VRSM
平均整流電流
IO
サージ順電流
IFSM
接合部温度
保存周囲温度
Tj
Tstg
条件
定格値
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
セラミック基板(600mm2 × 0.8mm)装着時 1unit
50Hz 正弦波
1 サイクル
unit
− 30
± 20
V
V
−2
−8
A
A
0.9
150
W
℃
− 55 〜+ 125
℃
11
15
V
V
500
5
mA
A
− 55 〜+ 125
− 55 〜+ 125
℃
℃
単体品名表示:QL
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途(生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途)に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥
について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
12805PE TS IM ◎川浦 TA-100105 No.8206-1/5
CPH5810
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
項目
記号
定格値
条件
min
typ
max
unit
[MOSFET 部]
ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン・ソースしゃ断電流
V(BR)DSS
IDSS
ID= − 1mA, VGS=0
VDS= − 30V, VGS=0
ゲート・ソースもれ電流
ゲート・ソースしゃ断電圧
IGSS
VGS(off)
VGSS= ± 16V, VDS=0
VDS= − 10V, ID= − 1mA
順伝達アドミタンス
yfs
RDS(on)1
VDS= − 10V, ID= − 1A
ID= − 1A, VGS= − 10V
入力容量
RDS(on)2
Ciss
205
200
出力容量
帰還容量
Coss
Crss
ID= − 500mA, VGS= − 4V
VDS= − 10V, f=1MHz
VDS= − 10V, f=1MHz
VDS= − 10V, f=1MHz
47
32
pF
pF
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
td(on)
tr
指定回路において
指定回路において
7.2
2.9
ns
ns
ターンオフ遅延時間
下降時間
指定回路において
指定回路において
21
8.7
ns
ns
総ゲート電荷量
ゲート・ソース電荷量
td(off)
tf
Qg
Qgs
VDS= − 10V, VGS= − 10V, ID= − 2A
VDS= − 10V, VGS= − 10V, ID= − 2A
5.5
0.98
nC
nC
ゲート・ドレイン電荷量
ダイオード順電圧
Qgd
VSD
VDS= − 10V, VGS= − 10V, ID= − 2A
IS= − 2A, VGS=0
0.82
− 0.85
nC
V
VR
VF
IR
IR=400µA
順電圧
逆電流
IF=500mA
VR=6V
0.4
端子間容量
逆回復時間
C
trr
VR=10V, f=1MHz サイクル
IF=IR=100mA, 指定回路において
50
ドレイン・ソース間オン抵抗
[SBD 部]
逆電圧
外形図
− 30
− 1.2
1.4
2.0
110
−1
V
µA
± 10
− 2.6
µA
V
145
S
mΩ
290
− 1.5
11
mΩ
pF
V
0.45
200
V
µA
10
pF
ns
電気的接続図
unit : mm
2171
5
4
3
3
1 : Cathode
2 : Drain
3 : Gate
4 : Source
5 : Anode
2.8
0.05
0.6
1.6
0.6
5
0.15
4
0.2
2.9
1
2
0.2
0.4
0.4
0.9
0.95
0.7
1
2
Top view
1 : Cathode
2 : Drain
3 : Gate
4 : Source
5 : Anode
SANYO : CPH5
No.8206-2/5
CPH5810
スイッチングタイム測定回路図
(MOSFET 部)
trr 指定回路図
(SBD 部)
Duty≦10%
0V
--10V
ID= --1A
RL=15Ω
D
50Ω
100Ω
10Ω
100mA
VIN
10µs
VOUT
10mA
100mA
VDD= --15V
VIN
PW=10µs
D.C.≦1%
--5V
G
trr
CPH5810
P.G
50Ω
S
ID -- VDS
[MOSFET部]
--5.0
0V
V
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
°C
°C --25°C
--0.8
--3.5
Ta
=75
VGS= --3.0V
ドレイン電流, ID -- A
5V
--3.
--1.2
--1.0
--0.4
25
--0.5
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
IT03223
RDS(on) -- VGS [MOSFET部]
400
Ta=25°C
350
300
250
--1.0A
200
ID= --0.5A
150
100
50
0
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
--18
0
--1.0
--20
IT03225
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
0
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
[MOSFET部]
--4.0
--1.6
ドレイン電流, ID -- A
ID -- VGS
VDS= --10V
--4.5
--4.
--6.0
--10.0
V
--2.0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
--4.5
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
IT03224
RDS(on) -- Ta [MOSFET部]
400
350
300
V
= --4
VGS
,
A
0.5
250
-I D=
200
= --10V
A, V GS
150
.0
I D= --1
100
50
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
周囲温度, Ta -- °C
100
120
140
160
IT03226
No.8206-3/5
CPH5810
yfs -- ID
10
[MOSFET部]
VDS= --10V
5
7
75
°C
5
3
3
2
--0.1
7
5
3
2
2
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
SW Time -- ID
2
3
--0.01
--0.2
5 7 --10
IT03227
[MOSFET部]
100
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
--1.1
--1.2
ダイオード順電圧, VSD -- V
IT03228
Coss, Crss -- VDS [MOSFET部]
Ciss,
3
VDD= --15V
VGS= --10V
f=1MHz
Ciss
2
7
Ciss, Coss, Crss -- pF
スイッチングタイム, SW Time -- ns
--1.0
7
5
--25°C
°C
25
= -Ta
1.0
°C
25°C
25
2
ドレイン電流, ID -- A
5
3
td(off)
2
10
tf
td(on)
7
5
tr
3
100
7
5
Coss
Crss
3
2
2
1.0
--0.1
10
2
3
5
7
2
--1.0
3
ドレイン電流, ID -- A
5
0
[MOSFET部]
--8
--10
7
5
--7
3
2
ドレイン電流, ID -- A
--6
--5
--4
--1
3
2
0
1
2
3
4
5
6
総ゲート電荷量, Qg -- nC
IT03231
[MOSFET部]
PD -- Ta
1.0
0.9
セ
0.8
ラ
ミ
ッ
ク
基
0.6
板
(6
00
m
--20
--25
IDP= --8A
--30
<10µs
10
0µ
s
1m
10 s
m
s
ID= --2A
D
C
10
op
0m
er
3
2
--2
0
--15
--1.0
7
5
--0.1
7
5
--3
--10
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V IT03230
[MOSFET部]
ASO
2
VDS= --10V
ID= --2A
--9
--5
IT03229
VGS -- Qg
--10
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
VGS=0
Ta=7
5°C
3
0.1
--0.01
許容損失, PD -- W
[MOSFET部]
3
2
順電流, IF -- A
順伝達アドミタンス, yfs -- S
7
IF -- VSD
--10
7
5
at
s
io
n
Operation in this
area is limited by RDS(on).
Ta=25°C
1パルス
セラミック基板(600mm2×0.8mm)装着時 1unit
--0.01
--0.01 2 3
5 7--0.1
2 3
5 7--1.0
2 3
5 7 --10
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
2 3
5
IT09132
m2
×
0.
8m
0.4
m
)装
着
時
0.2
1u
ni
t
0
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
160
IT09133
No.8206-4/5
CPH5810
IF -- VF
7
[SBD部]
5
2
1.0
7
5
0.1
3
2
逆電流, IR -- mA
2
--25°
C
25°
C
=12
3
75 °
C
5°C
5
Ta
順電流, IF -- A
3
7
0.01
7
5
[SBD部]
Ta=125°C
100°C
75°C
0.1
7
5
3
2
50°C
0.01
7
5
3
2
3
2
25°C
0.001
7
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
順電圧, VF -- V
0
2
4
[SBD部]
2
100
7
5
3
2
8
10
12
IT09167
IFSM -- t
7
サージ順電流, IFSM(ピーク値) -- A
3
6
逆電圧, VR -- V
IT09166
C -- VR
5
端子間容量, C -- pF
IR -- VR
3
2
[SBD部]
電流波形 50Hz正弦波
6
IS
20ms
t
5
4
3
2
1
0
10
3
5
7
1.0
2
3
逆電圧, VR -- V
5
7
10
2
IT09168
7 0.01
2
3
5
7 0.1
2
3
5
7 1.0
時間, t -- s
2
3
ID00387
取り扱い上の注意:本製品は、MOSFET ですので、帯電性の大きな環境での取り扱いはご遠慮下さい。
本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ
り、お客様の製品(機器)での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では
予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。
弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障
が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与
えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、
保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。
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PS No.8206-5/5
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