Diotec ER2D Superfast switching surface mount si-diode Datasheet

ER2A ... ER2M
ER2A ... ER2M
Superfast Switching Surface Mount Si-Diodes
Superschnelle Si-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2006-07-04
Nominal current – Nennstrom
± 0.5
2.1
2.2
± 0.2
± 0.1
5.4
3.7
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...1000 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
~ SMB
~ DO-214AA
Weight approx. – Gewicht ca.
2
+ 0.1
1.1
2A
± 0.5
5
Dimensions - Maße [mm]
0.1 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
ER2A
50
50
ER2B
100
100
ER2D
200
200
ER2G
400
400
ER2J
600
600
ER2K
800
800
ER2M
1000
1000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TT = 100°C
IFAV
2A
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
10 A 1)
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
50 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
1
TS
12.5 A2s
-50...+150°C
-50...+150°C
Max. temperature of the terminals TT = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
ER2A ... ER2M
Characteristics
Kennwerte
Type
Typ
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
trr [ns] 1)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V]
at / bei
IF [A]
ER2A...ER2D
< 35
< 1.0
2
ER2G
< 35
< 1.25
2
ER2J...ER2M
< 75
< 1.7
2
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C
VR = VRRM
VR = VRRM
IR
IR
< 5 µA
< 300 µA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 50 K/W 2)
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
RthL
< 15 K/W
10
120
[%]
[A]
100
ER2A...D
1
ER2G
80
ER2J...M
0.1
60
40
10-2
20
IF
IFAV
0
10-3
0
TT
50
100
150
[°C]
Rated forward current vs. temp. of the terminals
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals
1
2
2
Tj = 25°C
VF
[V]
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
Similar pages