MPSA56 MPSA56 IC = - 500 mA hFE >100 Tjmax = 150°C General Purpose PNP Transistors Universal-PNP-Transistoren VCEO = - 80 V Ptot = 625 mW Version 2018-01-19 (1) 18 9 16 E BC Typical Applications Signal processing, Switching, Amplification Commercial grade 1) Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schalten, Verstärken Standardausführung 1) Features General purpose Two raster versions Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Universell anwendbar Zwei Raster-Versionen Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) RoHS EE WE Pb EL V TO-92 (10D3) Mechanical Data 1) 2 x 2.54 ±0.1 4.6 E BC min 12.5 4.6 ±0.1 (2) Mechanische Daten 1) (1) Taped in ammo pack (Raster 2.54) (2) On request: in bulk (Raster 1.27, suffix “BK”) 4000 5000 Weight approx. (1) Gegurtet in Ammo-Pack (Raster 2.54) (2) Auf Anfrage: Schüttgut (Raster 1.27, Suffix “BK”) 0.18 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen 2 x 1.27 MSL N/A Dimensions - Maße [mm] Recommended complementary NPN transistors Empfohlene komplementäre NPN-Transistoren MPSA06 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) MPSA56 Collector-Emitter-voltage Kollektor-Emitter-Spannung B open - VCEO 80 V Collector-Base-voltage Kollektor-Basis-Spannung E open - VCBO 80 V Emitter-Base-voltage Emitter-Basis-Spannung C open - VEBO 4V Ptot 625 mW 3) - IC 500 mA Peak Collector current Kollektor-Spitzenstrom - ICM 1A Peak Base current Basis-Spitzenstrom - IBM 200 mA Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Power dissipation Verlustleistung Collector current Kollektorstrom DC Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 MPSA56 Characteristics Kennwerte Tj = 25°C Min. Typ. Max. hFE 100 100 – – - VCEsat – – 0.25 V - VBE – – 1.2 V - ICBO – – 100 nA - IEBO – – 100 nA fT 50 MHz – – 1 DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ) - VCE = 1 V - IC = 10 mA - IC = 100 mA Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. 1) - IC = 100 mA - IB = 10 mA 1 Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung ) - IC = 100 mA - VCE = 1 V Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom - VCB = 80 V E open Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom - VEB = 4 V C open Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz - IC = 100 mA, - VCE = 1 V, f = 100 MHz Thermal resistance junction to ambient Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 200 K/W 2) 120 [%] 100 80 60 40 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] Power dissipation versus ambient temperature 2 ) 2 Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. ) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG