GSME MMBT3906 Pnp switching transistor Datasheet

桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMBT3906(销售型號 MMBT3906)
■FEATURES 特點
PNP Switching Transistor
■MAXIMUM RATINGS
最大額定值
Characteristic 特性參數
Symbol 符號
Rating 額定值
Unit 單位
Collector-Emitter Voltage
集電極-發射極電壓
VCEO
-40
Vdc
Collector-Base Voltage
集電極-基極電壓
VCBO
-40
Vdc
Emitter-Base Voltage
發射極-基極電壓
VEBO
-6.0
Vdc
Ic
-200
mAdc
Collector Current-Continuous
集電極電流-連續
■THERMAL CHARACTERISTICS 熱特性
Characteristic 特性參數
Total Device Dissipation 總耗散功率
FR-5 Board(1)
TA=25℃環境溫度爲 25℃
Derate above25℃ 超過 25℃遞減
Total Device Dissipation 總耗散功率
Alumina Substrate, 氧化鋁襯底(2)
TA=25℃環境溫度爲 25℃
Derate above25℃ 超過 25℃遞減
Symbol 符號
Max 最大值
Unit 單位
PD
225
mW
1.8
mW/℃
300
mW
2.4
mW/℃
417
℃/W
PD
Thermal Resistance Junction to Ambient
熱阻
RΘJA
Junction and Storage Temperature
結溫和儲存溫度
TJ,Tstg
■DEVICE
MARKING 打標
BT
390
6(销售型號 MMBT3906)=2A
GM
GMBT
BT390
3906
150℃, -55to+150℃
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GMBT3906(销售型號 MMBT3906)
■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性
(TA=25
25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25℃)
■OFF CHARACTERISTICS 截止電特性
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Min
最小值
Max
最大值
Unit
單位
Collector-Emitter Breakdown Voltage(3)
集電極-發射極擊穿電壓(Ic=-1.0mAdc,IB=0)
V(BR)CEO
-40
—
Vdc
Collector-Base Breakdown Voltage
集電極-基極擊穿電壓(Ic=-10μAdc,IE=0)
V(BR)CBO
-40
—
Vdc
Emitter-Base Breakdown Voltage
發射極-基極擊穿電壓(IE=-10μAdc,Ic=0)
Base Cutoff Current
基極截止電流(VCE=-30Vdc, VEB =-3.0 Vdc)
V(BR)EBO
-6.0
—
Vdc
IBEX
—
-50
nAdc
ICEX
—
-50
nAdc
Symbol
符號
Min
最小值
Max
最大值
Unit
單位
Collector Cutoff Current
集電極截止電流(VCE=-30Vdc, VEB =-3.0Vdc)
■ON CHARCTERISTICS(2)
CHARCTERISTICS(2)導通電特性
Characteristic
特性參數
DC Current Gain 直流電流增益
(Ic=-0.1mAdc,VCE=-1.0Vdc)
(Ic=-1.0mAdc,VCE=-1.0Vdc)
(Ic=-10mAdc,VCE=-1.0Vdc)
(Ic=-50mAdc,VCE=-1.0Vdc)
(Ic=-100mAdc,VCE=-1.0Vdc)
Collector-Emitter Saturation Voltage
集電極-發射極飽和壓降
(Ic=-10mAdc, IB=-1.0mAdc)
(Ic=-50mAdc, IB=-5.0mAdc)
Base-Emitter Saturation Voltage
基極發射極飽和壓降
(Ic=-10mAdc, IB=-1.0mAdc)
(Ic=-50mAdc, IB=-5.0mAdc)
hPE
VCE(sat)
VBE(sat)
—
40
70
100
60
30
—
—
300
—
—
—
—
-0.25
-0.4
-0.65
—
-0.85
-0.95
Vdc
Vdc
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■SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS 小信號特性
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Min
最小值
Max
最大值
Unit
單位
fT
300
—
MHz
Cobo
—
4.0
pF
Cibo
—
8.0
pF
hie
1.0
10
kΩ
hre
0.5
8.0
×10-4
hfe
100
400
—
hoe
1.0
40
μmhos
NF
—
5.0
dB
Symbol
符號
Min
最小值
Max
最大值
Unit
單位
td
—
35
Current-Gain-Bandwidth Product
電流增益-帶寬乘積
(Ic=-10mAdc,VCE=-20Vdc,f=100MHz)
Output Capacitance 輸出電容
(VCB=-5.0Vdc, IE=0, f=1.0MHz)
Input Capacitance 輸入電容
(VEB=-0.5Vdc, IC=0, f=1.0MHz)
Input Impedance 輸入阻抗
(VCE=-10Vdc, IC=-1.0mAdc, f=1.0KHz)
Voltage Feedback Ratio 電壓反饋係數
(VCE=-10Vdc, IC=-1.0mAdc, f=1.0KHz)
Small-Signal Current Gain 小信號電流增益
(VCE=-10Vdc, IC=-1.0mAdc, f=1.0KHz)
Output Admittance 輸出導納
(VCE=-10Vdc, IC=-1.0mAdc, f=1.0KHz)
Noise Figure 噪声係數
(VCE=-5.0Vdc, IC=-100μAdc,Rs=1.0 kΩf=1.0KHz)
■SWITCHING CHARACTERISTICS 開關特性
Characteristic
特性參數
Delay Time
延遲時間
Rise Time
上升時間
Storage Time
儲存時間
(VCC=-3.0Vdc,VBE=-0.5Vdc,
IC=-10mAdc, IB1=-1.0mAdc)
(VCC=-3.0Vdc,IC=-10mAdc,
IB1=IB2=-1.0mAdc)
ns
tr
—
35
ts
—
225
Fall Time
tf
下降時間
1. FR-5=1.0×0.75×0.062in.
2. Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina.
3. Pulse Width<300us;Duty Cycle<2.0%.
4. Pulse Test: Pulse Width<300us;Duty Cycle<2.0%.
ns
—
75
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■DIMENSION 外形封裝尺寸
單位(UNIT):mm
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