GBU8A ... GBU8M GBU8A ... GBU8M Silicon-Bridge-Rectifiers Silizium-Brückengleichrichter Version 2013-12-10 21.5 – ±0.2 GBU ... ~ ~ + 2.2 0.5 +0.1 1.1 +0.2 - 0.1 1.8 +0.2 +0.7 1.8 18.2 ±0.3 3.6 Nominal current Nennstrom ±0.7 5.3 +0.5 5.6 ±0.1 1.7 ±0.1 3.4 8A Alternating input voltage Eingangswechselspannung 35...700 V Plastic case Kunststoffgehäuse 21.5 x 18.2 x 3.4 [mm] Weight approx. – Gewicht ca. 7g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert 5.08 Standard packaging bulk Standard Lieferform lose im Karton Dimensions - Maße [mm] Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067 Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067 Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 1) GBU8A 35 50 GBU8B 70 100 GBU8D 140 200 GBU8G 280 400 GBU8J 420 600 GBU8K 560 800 GBU8M 700 1000 Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 36 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 180/200 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Admissible torque for mounting Zulässiges Anzugsdrehmoment 1 1 Tj TS M3 162 A2s -50...+150°C -50...+150°C 9 ± 10% lb.in. 1 ± 10% Nm Valid per diode – Gültig pro Diode Valid, if leads are kept at ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 GBU8A ... GBU8M Characteristics Kennwerte Max. rectified current without cooling fin Dauergrenzstrom ohne Kühlblech TA = 50°C R-load C-load IFAV IFAV 5.6 A 1) 4.5 A 1) Max. rectified current with cooling fin 300 cm² Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2 TA = 50°C R-load C-load IFAV IFAV 8.0 A 6.4 A Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 8 A VF < 1.0 V 2) Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 5 µA Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse Type Typ RthC Max. admissible load capacitor Max. zulässiger Ladekondensator CL [µF] < 3.0 K/W Min. required protective resistor Min. erforderl. Schutzwiderstand Rt [Ω] GBU8A 20000 0.2 GBU8B 10000 0.4 GBU8D 5000 0.8 GBU8G 2500 1.6 GBU8J 1500 2.4 GBU8K 1000 3.2 GBU8M 800 4.0 120 103 [%] [A] 100 Tj = 125°C 2 10 80 Tj = 25°C 10 60 40 1 20 IF IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] 10-1 0.4 Rated forward current versus ambient temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. 1 2 2 270a-(12a-1v) VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Valid, if leads are kept at ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden Valid per diode – Gültig pro Diode http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG