Diotec BZW06-256B Transient voltage suppressor diode Datasheet

BZW06-5V8 ... BZW06-376B
BZW06-5V8 ... BZW06-376B
PPPM = 600W
PM(AV) = 5.0 W
Tjmax = 175°C
Transient Voltage Suppressor Diodes
Spannungs-Begrenzer-Dioden
VWM = 5.0 ... 376 V
VBR = 6.8 ... 440 V
Version 2017-08-18
±0.05
6.3±0.1
Type
62.5+0.5
-4.5
Ø3
Typische Anwendungen
Schutz gegen Überspannung
ESD-Schutz
Freilauf-Dioden
Standardausführung 1)
RoHS
Pb
EE
WE
Features
Uni- and Bidirectional versions
Peak pulse power of 600 W
(10/1000 µs waveform)
Very fast response time
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
EL
V
~DO-15 / ~DO-204AC
Typical Applications
Over-voltage protection
ESD protection
Free-wheeling diodes
Commercial grade 1)
Besonderheiten
Uni- und Bidirektionale Versionen
600 W Impuls-Verlustleistung
(10/1000 µs Strom-Impuls)
Sehr schnelle Ansprechzeit
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1)
±0.05
Ø 0.8
Dimensions - Maße [mm]
Mechanische Daten 1)
Taped in ammo pack
4000
Gegurtet in Ammo-Pack
Weight approx.
0.4 g
Gewicht ca.
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
260°C/10s
Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
For bidirectional types (add suffix “B”), electrical characteristics apply in both directions.
Für bidirektionale Dioden (ergänze Suffix “B”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen.
Maximum ratings 2)
Grenzwerte 2)
Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform)
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs)
Steady state power dissipation
Verlustleistung im Dauerbetrieb
TA = 75°C
PPPM
600 W 3)
PM(AV)
5 W 4)
Peak forward surge current, 60Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 60Hz Sinus-Halbwelle
IFSM
100 A 5)
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+175°C
-50...+175°C
Characteristics
Max. instantaneous forward voltage
Augenblickswert der Durchlass-Spannung
Kennwerte
VF
< 3.0 V 5)
< 6.5 V 5)
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
RthA
<45 K/W 4)
Thermal resistance junction to lead
Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschlussdraht
RthL
<15 K/W
1
2
3
4
5
IF = 25 A
Tj = 25°C
VBR ≤ 200 V
VBR > 200 V
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t)
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BZW06-5V8 ... BZW06-376B
Characteristics (Tj = 25°C)
Type
Typ
unidirectional
bidirectional
Kennwerte (Tj = 25°C)
Stand-off
voltage
Sperrspannung
Max. rev. current
Max. Sperrstrom
at / bei VWM
Breakdown voltage at IT = 1 mA
Max. clamping voltage
Abbruch-Spannung bei IT = 1 mA Max. Begrenzer-Spannung
*) at / bei IT = 10 mA
at / bei IPPM (10/1000 µs)
VWM [V]
ID [µA]
5.8
1000
6.8 ± 5%
VBR [V]
VC [V]
IPPM [A]
6.45...7.14 *)
10.5
57
BZW06-5V8
BZW06-5V8B
BZW06-6V4
BZW06-6V4B
6.4
500
7.5 ± 5%
7.13...7.88 *)
11.3
53
BZW06-7V0
BZW06-7V0B
7.02
200
8.2 ± 5%
7.79...8.61 *)
12.1
50
BZW06-7V8
BZW06-7V8B
7.78
50
9.1 ± 5%
8.65...9.55
13.4
45
BZW06-8V5
BZW06-8V5B
8.55
10
10 ± 5%
9.5...10.5
14.5
41
BZW06-9V4
BZW06-9V4B
9.4
5
11 ± 5%
10.5...11.6
15.6
38
BZW06-10
BZW06-10B
10.2
5
12 ± 5%
11.4...12.6
16.7
36
BZW06-11
BZW06-11B
11.1
5
13 ± 5%
12.4...13.7
18.2
33
BZW06-13
BZW06-13B
12.8
5
15 ± 5%
14.3...15.8
21.2
28
BZW06-14
BZW06-14B
13.6
5
16 ± 5%
15.2...16.8
22.5
27
BZW06-15
BZW06-15B
15.3
5
18 ± 5%
17.1...18.9
25.2
24
BZW06-17
BZW06-17B
17.1
5
20 ± 5%
19.0...21.0
27.7
22
BZW06-19
BZW06-19B
18.8
5
22 ± 5%
20.9...23.1
30.6
20
BZW06-20
BZW06-20B
20.5
5
24 ± 5%
22.8...25.2
33.2
18
BZW06-23
BZW06-23B
23.1
5
27 ± 5%
25.7...28.4
37.5
16
BZW06-26
BZW06-26B
25.6
5
30 ± 5%
28.5...31.5
41.5
14.5
BZW06-28
BZW06-28B
28.2
5
33 ± 5%
31.4...34.7
45.7
13.1
BZW06-31
BZW06-31B
30.8
5
36 ± 5%
34.2...37.8
49.9
12.0
BZW06-33
BZW06-33B
33.3
5
39 ± 5%
37.1...41.0
53.9
11.1
BZW06-37
BZW06-37B
36.8
5
43 ± 5%
40.9...45.2
59.3
10.1
BZW06-40
BZW06-40B
40.2
5
47 ± 5%
44.7...49.4
64.8
9.3
BZW06-44
BZW06-44B
43.6
5
51 ± 5%
48.5...53.6
70.1
8.6
BZW06-48
BZW06-48B
47.8
5
56 ± 5%
53.2...58.8
77.0
7.8
BZW06-53
BZW06-53B
53.0
5
62 ± 5%
58.9...65.1
85.0
7.1
BZW06-58
BZW06-58B
58.1
5
68 ± 5%
64.6...71.4
92.0
6.5
BZW06-64
BZW06-64B
64.1
5
75 ± 5%
71.3...78.8
103
5.8
BZW06-70
BZW06-70B
70.1
5
82 ± 5%
77.9...86.1
113
5.3
BZW06-78
BZW06-78B
77.8
5
91 ± 5%
86.5...95.5
125
4.8
BZW06-85
BZW06-85B
85.8
5
100 ± 5%
95.0...105
137
4.4
BZW06-94
BZW06-94B
94.0
5
110 ± 5%
105...116
152
3.9
BZW06-102
BZW06-102B
102
5
120 ± 5%
114...126
165
3.6
BZW06-111
BZW06-111B
111
5
130 ± 5%
124...137
179
3.4
BZW06-128
BZW06-128B
128
5
150 ± 5%
143...158
207
2.9
BZW06-136
BZW06-136B
136
5
160 ± 5%
152...168
219
2.7
BZW06-145
BZW06-145B
145
5
170 ± 5%
162...179
234
2.6
BZW06-154
BZW06-154B
154
5
180 ± 5%
171...189
246
2.4
BZW06-171
BZW06-171B
171
5
200 ± 5%
190...210
274
2.2
BZW06-188
BZW06-188B
188
5
220 ± 5%
209...231
301
2.0
BZW06-213
BZW06-213B
213
5
250 ± 5%
237...263
344
1.8
BZW06-239
BZW06-239B
239
5
280 ± 5%
266...294
384
1.7
BZW06-256
BZW06-256B
256
5
300 ± 5%
285...315
414
1.6
BZW06-273
BZW06-273B
273
5
320 ± 5%
304...336
438
1.6
BZW06-299
BZW06-299B
299
5
350 ± 5%
332...368
482
1.6
BZW06-342
BZW06-342B
342
5
400 ± 5%
380...420
548
1.3
BZW06-376
BZW06-376B
376
5
440 ± 5%
418...462
603
1.3
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
BZW06-5V8 ... BZW06-376B
120
[%]
tr = 10 µs
100
100
[%]
80
80
60
60
40
IPPM/2
PPPM/2
40
IPP
20
20
PM(AV)
0
PPP
0
TA
50
100
150
0
[°C]
Steady state power dissip. vs. ambient temperature1)
1
Dauer-Verlustleistung in Abh. v. d. Umgebungstemp. )
tP
0
1
2
3
[ms] 4
10/1000µs - pulse waveform
10/1000µs - Impulsform
2
10
[kW]
10
1
PPP
0.1
0.1µs
tP
1µs
10µs
100µs
1ms
10ms
Non repetitive peak pulse power versus pulse width (10/1000 wave form)
Einzel-Impuls-Spitzenleistung in Abh. von der Pulsdauer (10/1000-Impuls)
1
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Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
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