Diotec BC327 General purpose pnp transistor Datasheet

BC327 ... BC328
BC327 ... BC328
IC
= -800 mA
hFE ~ 160/250/400
Tjmax = 150°C
General Purpose PNP Transistors
Universal-PNP-Transistoren
VCEO = -25 ... -45 V
Ptot = 625 mW
Version 2018-02-02
(1)
18
9
16
C BE
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schalten, Verstärken
Standardausführung 1)
Features
General Purpose
Three current gain groups
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
Universell anwendbar
Drei Stromverstärkungsklassen
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
RoHS
Pb
EE
WE
2 x 2.54
Typical Applications
Signal processing,
Switching, Amplification
Commercial grade 1)
EL
V
TO-92 (10D3)
Mechanical Data 1)
±0.1
(2)
CBE
min 12.5
4.6±0.1
4.6
2 x 1.27
Mechanische Daten 1)
(1) Taped in ammo pack
(Raster 2.54)
(2) On request: in bulk
(Raster 1.27, suffix “BK”)
4000
(1) Gegurtet in Ammo-Pack
(Raster 2.54)
(2) Auf Anfrage: Schüttgut
(Raster 1.27, Suffix “BK”)
5000
Weight approx.
0.18 g
Gewicht ca.
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
260°C/10s
Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
Dimensions - Maße [mm]
Current gain groups
Stromverstärkungsgruppen
BC327-16
BC327-25
BC327-40
Recommended complementary NPN transistors
Empfohlene komplementäre NPN-Transistoren
BC328-16
BC328-25
BC328-40
BC337 ... BC338
Maximum ratings 2)
Grenzwerte 2)
BC327
BC328
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung
E-B short
- VCES
50 V
30 V
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung
B open
- VCEO
45 V
25 V
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
C open
- VEBO
5V
Ptot
625 mW 3)
- IC
800 mA
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
- ICM
1A
Base current – Basisstrom
- IB
100 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom
1
2
3
DC
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BC327 ... BC328
Characteristics
Kennwerte
Tj = 25°C
Min.
Typ.
Max.
1
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis )
- VCE = 1 V
- IC = 100 mA
Group -16
Group -25
Group -40
hFE
100
160
250
160
250
400
250
400
630
- IC = 300 mA
Group -16
Group -25
Group -40
hFE
60
100
170
130
200
320
–
–
–
- VCEsat
–
–
0.7 V
- VBE
–
–
1.2 V
BC327
BC328
- ICES
–
2 nA
100 nA
BC327
BC328
- ICES
–
–
10 µA
fT
–
100 MHz
–
CCBO
–
12 pF
–
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. 1)
- IC = 500 mA
- IB = 50 mA
Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung 1)
- VCE = 1 V
- IC = 300 mA
Collector-Emitter cutoff current – Kollektor-Emitter-Reststrom
- VCE = 45 V
- VCE = 25 V
B-E short
- VCE = 45 V
- VCE = 25 V
B-E short
Tj = 125°C
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
- VCE = 5 V, - IC = 10 mA, f = 50 MHz
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität
- VCB = 10 V, IE =ie = 0, f = 1 MHz
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
RthA
< 200 K/W 2)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1
2
2
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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