Diotec EGL1A Superfast switching surface mount si-rectifier Datasheet

EGL1A ... EGL1M
EGL1A ... EGL1M
Superfast Switching Surface Mount Si-Rectifiers
Superschnelle Si-Gleichrichter für die Oberflächenmontage
Version 2007-04-05
Nominal current – Nennstrom
1A
1.6
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...1000 V
0.4
Plastic case MiniMELF
Kunststoffgehäuse MiniMELF
DO-213AA
0.4
3.5
Weight approx. – Gewicht ca.
0.04 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Dimensions - Maße [mm]
Marking:
1. green ring denotes “cathode” and “superfast switching rectifier family”
2. colored ring denotes “repetitive peak reverse voltage” (see below)
Kennzeichnung:
1. grüner Ring kennzeichnet “Kathode” und “superschnelle Gleichrichter”
2. farbiger Ring kennzeichnet “Periodische Spitzensperrspannung” (siehe unten)
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
EGL1A
50
50
gray / grau
EGL1B
100
100
red / rot
EGL1D
200
200
orange / orange
EGL1G
400
400
yellow / gelb
EGL1J
600
600
green / grün
EGL1K
800
800
blue / blau
EGL1M
1000
1000
violett / violet
Max. average forward rectified current
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung
2. Cathode ring
2. Kathodenring
EGL1A...EGL1G
TA = 75°C
IFAV
1 A 1)
EGL1J...EGL1M
TA = 50°C
IFAV
1 A 1)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
8 A 1)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
25/30 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
4.5 A2s
Tj
TS
-50...+175°C
-50...+175°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
EGL1A ... EGL1M
Characteristics
Kennwerte
Type
Typ
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
Forward voltage
Durchlass-Spannung
trr [ns] 1)
VF [V]
EGL1A ... EGL1D
< 50
< 1.25
1
EGL1G
< 50
< 1.35
1
EGL1J ... EGL1M
< 75
< 1.8
1
Tj = 25°C
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 125°C
VR = VRRM
VR = VRRM
at / bei
IF [A]
IR
IR
< 5 µA
< 50 µA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 75 K/W 2)
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss
RthT
< 40 K/W
10
120
[%]
[A]
EGL1A...EGL1G
100
EGL1A...D
1
80
EGL1G
EGL1J...EGL1M
EGL1J...M
60
10
-1
40
10-2
20
IF
IFAV
0
0
TA
50
100
150
[°C]
0.4
1
Rated forward current versus ambient temperature )
1
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
2
2
Tj = 25°C
-3
10
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
Similar pages