Diotec FE1D Superfast switching silicon-rectifier Datasheet

FE1A ... FE1G
FE1A ... FE1G
Superfast Switching Silicon-Rectifiers
Superschnelle Silizium-Gleichrichter
Version 2005-11-08
Nominal current
Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
±0.05
50...400 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
6.3
±0.1
Type
Ø3
62.5±0.5
1A
DO-15
(DO-204AC)
Weight approx.
Gewicht ca.
0.4 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Ø 0.8±0.05
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF at/bei IF = 1 A
FE1A
50
50
< 0.95
FE1B
100
100
< 0.95
FE1D
200
200
< 0.95
FE1F
300
300
< 0.95
FE1G
400
400
< 1.25
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 75°C
IFAV
1 A 1)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
10 A 1)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
30/33 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
4.5 A2s
Tj
TS
-50...+175°C
-50...+175°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
FE1A ... FE1G
Characteristics
Kennwerte
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to IR = 0.25 A
VR = VRRM
IR
< 2 µA
trr
< 50 ns
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 45 K/W 1)
Thermal resistance junction to lead
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
RthL
< 15 K/W
120
102
[%]
[A]
100
FE1A...
FE1F
FE1G
10
80
Tj = 125°C
1
60
40
Tj = 25°C
-1
10
20
IF
IFAV
0
0
TA
50
100
150
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature1)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
1
2
30a-(1a-0.95/1.25v)
-2
10
0.4
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
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© Diotec Semiconductor AG
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