Diotec FE1D Superfast recovery rectifier diode Datasheet

FE1A ... FE1G
FE1A ... FE1G
Superfast Recovery Rectifier Diodes
Gleichrichterdioden mit superschnellem Sperrverzug
IFAV = 1 A
VF
< 0.98...1.3 V
Tjmax = 175°C
VRRM = 50...400 V
IFSM = 30/33 A
trr
< 50 ns
Version 2015-11-20
Typical Applications
Rectification of higher frequencies,
High speed switching
Commercial grade 1)
±0.05
±0.1
Besonderheiten
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
RoHS
Pb
Mechanische Daten 1)
Mechanical Data 1)
6.3
Type
62.5 -4.5
Features
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
EE
WE
+0.5
Ø3
Typische Anwendungen
Gleichrichtung hoher Frequenzen
Schnelles Schalten
Standardausführung 1)
EL
V
~DO-15 / ~DO-204AC
Ø 0.8
±0.05
Taped in ammo pack
4000
Gegurtet in Ammo-Pack
Weight approx.
0.4 g
Gewicht ca.
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
260°C/10s
Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings 2)
Type
Typ
Grenzwerte 2)
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
FE1A
50
50
FE1B
100
100
FE1D
200
200
FE1G
400
400
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 75°C
IFAV
1 A 3)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
10 A 3)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
30/33 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
4.5 A2s
Tj
TS
-50...+175°C
-50...+175°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
2
3
1
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
FE1A ... FE1G
Characteristics
Kennwerte
Type
Typ
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
Forward voltage
Durchlass-Spannung
trr [ns]1)
VF [V]
FE1A ... FE1D
< 50
< 0.98
1
FE1G
< 50
< 1.30
1
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C
Typical junction capacitance
Typische Sperrschichtkapzität
at / bei
IF = [A]
VR = VRRM
IR
< 2 µA
VR = 4 V
Cj
10 pF
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 45 K/W 2)
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
RthL
< 15 K/W
120
102
[%]
[A]
100
FE1A...
FE1D
FE1G
10
80
Tj = 125°C
1
60
40
Tj = 25°C
10-1
20
IF
IFAV
0
10-2
0
TA
50
100
150
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature1)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
30a-(1a-0.95/1.25v)
0.4
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1
2
2
IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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