Diotec DBI25-04A Three-phase si-bridge-rectifier Datasheet

DBI25-04A ... DBI25-16A
DBI25-04A ... DBI25-16A
Three-Phase Si-Bridge-Rectifiers
Dreiphasen-Si-Brückengleichrichter
Version 2011-07-19
35
±0.2
±0.2
5.5
±0.2
4.0
16
16.5
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
400...1600 V
35 x 25 x 4 [mm]
Pinning – Anschlussfolge
1.5
-0.3
4
2.0
3.5
25 A
Plastic case – Plastikgehäuse
±0.2
25±0.2
Type
Nominal current – Nennstrom
1.3
4
1.0
±0.2
0.5
4x7.5
Dimensions - Maße [mm]
– ~~~ +
Weight approx. – Gewicht ca.
9g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging in tubes
Standard Lieferform in Stangen
Features
Vorteile
Solderable terminals for (automatic) PCB
assembly
Enlarged creepage and clearance for direct
heatsink assembly
UL Recognized Product – File E175067
Lötbare Anschlüsse für (automatisierte)
Leiterplattenmontage
Vergrößerte Luft- und Kriechstrecken für
direkte Kühlkörpermontage
UL anerkanntes Produkt – File Nr. E175067
Maximum ratings and Characteristics
Type
Typ
Grenz- und Kennwerte
Max. alternating input voltage
Max. Eingangswechselspg.
VVRMS [V]
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspg.
VRRM [V] 1)
Surge peak reverse volt.
Stoßpitzensperrspannung
VRSM [V] 1)
DBI25-04A
280
400
500
DBI25-08A
560
800
900
DBI25-12A
800
1200
1300
DBI25-16A
1000
1600
1700
Max. current without cooling – Dauergrenzstrom ohne Kühlung
TA = 50°C
IFAV
4.0 A 2)
Max. current mounted on heatsink
Dauergrenzstrom bei Kühlkörpermontage
(R or C load)
TC
TC
TC
TC
IFAV
IFAV
IFAV
IFAV
40
25
15
6
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
74 A 2)
Peak forward surge current 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
370/390 A
Rating for fusing, t < 10 ms – Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
=
=
=
=
85°C
115°C
130°C
145°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Operating temperature – Betriebstemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
2
Tj
Top
TS
A
A
A
A
680 A2s
-50...+175°C
150°C
-50...+150°C
Valid per diode – Gültig pro Diode
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlüsse in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
DBI25-04A ... DBI25-16A
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 12.5 A
VF
< 1.05 V 1)
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 150°C
VR = VRRM
IR
IR
< 10 µA 1)
< 1500 µA 1)
Isolation voltage terminals to case – Isolationsspg. Anschlüsse zum Gehäuse
VISO
> 2500 V
Thermal resist. junction to ambient – Wärmewiderst. Sperrschicht – Umgebung
RthA
< 50 K/W 1)
Thermal resistance junction to case – Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
RthC
< 4.3 K/W 1)
Admissible mounting torque
Zulässiges Anzugsdrehmoment
M4
9 ± 10% lb.in.
1 ± 10% Nm
120
103
[%]
[A]
100
Tj = 125°C
102
80
Tj = 25°C
10
60
40
1
20
IF
IFAV
0
10-1
0
TC
50
100
150
[°C]
350a-(12.5a-1,05v)
0.4
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Rated forward current versus case temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp.
100
[%]
10
Zth
Rth
1 10-4 [s]
10-3
10-2
10-1
1
[tp]
Relative transient thermal impedance vs. pulse duration (typical)
Relativer transienter Wärmewiderstand über Impulsdauer (typisch)
1
2
10
Valid per diode – Gültig pro Diode
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© Diotec Semiconductor AG
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