Diotec BY880-50 Silicon rectifier diodes â silizium-gleichrichterdioden Datasheet

BY880-50 ... BY880-1000
BY880-50 ... BY880-1000
Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2010-08-09
Nominal current
Nennstrom
7.5 ±0.1
Type
62.5 ±0.5
Ø 5.4 ±0.1
Ø 1.2 ±0.05
Dimensions - Maße [mm]
8A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...1000 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Ø 5.4 x 7.5 [mm]
Weight approx.
Gewicht ca.
1.0 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
BY880-50
50
50
BY880-100
100
100
BY880-200
200
200
BY880-400
400
400
BY880-600
600
600
BY880-800
800
800
BY880-1000
1000
1000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50°C
IFAV
8 A 1)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
80 A 1)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
400/450 A
Rating for fusing,t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
800 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
Tj
Tj
-50...+175°C
+200°C
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TS
-50...+175°C
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BY880-50 ... BY880-1000
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 8 A
VF
< 1.1 V
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C
VR = VRRM
IR
< 20 µA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 20 K/W 1)
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
RthL 2)
120
< 4 K/W
3
10
[%]
[A]
100
2
10
80
Tj = 125°C
10
60
40
Tj = 25°C
1
20
IF
IFAV
10-1
0
0
TA
100
50
150
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature1)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
300a-(5a-1v)
0.4
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
3
10
[A]
2
10
10
îF
1
1
10
102
[n]
103
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
1
2
2
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
In some standards, measurement of “case temperature” TC is required. For that, measure lead temperature TL and set TC = TL and
RthC = RthL
In einigen Normen wird die Messung der “Gehäusetemperatur” TC verlangt. In diesem Fall ist die Anschlussdrahttemperatur TL zu
messen und folgende Ersetzung vorzunehmen: TC = TL and RthC = RthL
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