BPX 63 BPX 63 fet06012 Silizium-Fotodiode mit sehr kleinem Dunkelstrom Silicon Photodiode with Very Low Dark Current Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm ● Sperrstromarm (typ. 5 pA) ● TO-18, Bodenplatte, mit klarem EpoxyGießharz Features ● Especially suitable for applications from 350 nm to 1100 nm ● Low reverse current (typ. 5 pA) ● TO-18, base plate, transparent epoxy resin lens Anwendungen ● Belichtungsmesser, Belichtungsautomaten Applications ● Exposure meters, automatic exposure timers Typ Type Bestellnummer Ordering Code BPX 63 Q62702-P55 Semiconductor Group 361 10.95 BPX 63 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 40 ... + 80 °C Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t ≤ 3 s) TS 230 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 7 V Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Ptot 200 mW Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Fotoempfindlichkeit, VR = 5 V Spectral sensitivity S 10 (≥ 8) nA/Ix Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 800 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit λ 350 ... 1100 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 0.97 mm2 Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area L×B 0.985 × 0.985 mm Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface H 0.2 ... 0.8 mm Halbwinkel Half angle ϕ ± 75 Grad deg. Dunkelstrom, VR = 1 V Dark current IR 5 (≤ 20) pA Semiconductor Group 362 S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax L×W BPX 63 Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Nullpunktsteilheit, E = 0 Zero crossover S0 ≤ 0.4 pA/mV Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm Spectral sensitivity Sλ 0.50 A/W Quantenausbeute, λ = 850 nm Quantum yield η 0.73 Electrons Photon Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix Open-circuit voltage VO 450 (≥ 380) mV Kurzschlußstrom, Ev = 1000 Ix Short-circuit current ISC 10 µA Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL = 1 kΩ; VR = 5 V; λ = 850 nm; Ip = 10 µA tr, tf 1.3 µs Durchlaßspannung, IF = 100 mA, E = 0 Forward voltage VF 1.3 V Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance C0 100 pF Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO TCV – 2.6 mV/K Temperaturkoeffizient von ISC Temperature coefficient of ISC TCI 0.16 %/K Rauschäquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 1 V, λ = 850 nm NEP 2.5 × 10–15 W √Hz Nachweisgrenze, VR = 1 V, λ = 850 nm Detection limit D* 3.9 × 1013 cm · √Hz W Semiconductor Group 363 BPX 63 Relative spectral sensitivity Srel = f (λ) Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V Open-circuit-voltage VO = f (Ev) Total power dissipation Ptot = f (TA) Dark current IR = f (VR), E = 0 Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0 Dark current IR = f (TA), Ev = 0 V, VR = 1 V Directional characteristics Srel = f (ϕ) Semiconductor Group 364