Diotec BAS16 Surface mount silicon planar small-signal diode Datasheet

BAS 16
Silizium-Planar-Diode
für die Oberflächenmontage
Surface Mount Silicon Planar
Small-Signal Diode
Nominal current – Nennstrom
250 mA
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
85 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
SOT-23
(TO-236)
Weight approx. – Gewicht ca.
Dimensions / Maße in mm
1 = anode
2 = n. c. / frei
3 = cathode
0.01 g
Standard packaging taped and reeled
see page 18
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle siehe Seite 18
Maximum ratings
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM
Max. average forward current
Dauergrenzstrom
IFAV
250 mA 1)
f > 15 Hz
IFRM
450 mA 1)
tp = 1 :s
IFSM
2A
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
Tj = 25/C
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
Characteristics
85 V
– 65...+ 150/C
– 65...+ 150/C
Kennwerte
Forward voltage
Durchlaßspannung
Tj = 25/C
IF = 1 mA
IF = 10 mA
IF = 50 mA
IF = 0.15 A
VF
VF
VF
VF
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25/C
Tj = 150/C
Tj = 150/C
VR = 75 V
VR = 25 V
VR = 75 V
IR
IR
IR
) Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
11.03.2003
< 715 mV
< 855 mV
< 1.0 V
< 1.25 V
< 1 :A
< 30 :A
< 50 :A
1
1
BAS 16
Junction capacitance
Sperrschichtkapazität
Reverse recovery time
Sperrverzug
VF = VR = 0 V
f = 1 MHz
IF = 10 mA über / through
IR = 10 mA bis / to IR = 1 mA,
UR = 6 V, RL = 100 S
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
2
Ctot
< 2 pF
trr
< 6 ns
RthA
< 417 K/W 1)
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