GSME GMA1037AK Pnp general purpose transistor Datasheet

桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMA1037AK
■FEATURES
特點
PNP General Purpose Transistor
■MAXIMUM
RATINGS (Ta=25℃) 最大額定值
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Rating
額定值
Unit
單位
VCBO
-60
V
VCEO
-50
V
VEBO
-6
V
Collector Current-Continuous
集電極電流-連續
Ic
-150
mA
Collector Power Dissipation
集電極耗散功率
PC
225
mW
Junction Temperature
結溫
Tj
150
℃
Storage Temperature Range
儲存溫度
Tstg
-55〜150
℃
GMA1037AK
Q
R
S
MARK
FQ
FR
FS
HFE
120~270
180~390
270~560
Collector-Base Voltage
集電極-基極電壓
Collector-Emitter Voltage
集電極-發射極電壓
Emitter-Base Voltage
發射極-基極電壓
■DEVICE
MARKING 打標
桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMA1037AK
■ELECTRICAL CHARACTERISTICS
電特性
(TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25℃)
Characteristic
特性參數
Symbol Test Condition Min
Typ
Max
Unit
符號
測試條件
最小值 典型值 最大值 單位
Collector Cutoff Current
集電極截止電流
ICBO
VCB=-60V,
IE=0
—
—
-0.1
μA
Emitter Cutoff Current
發射極截止電流
IEBO
VEB=-6V,
IC=0
—
—
-0.1
μA
V(BR)CBO
IC=-50μA
-60
—
—
V
V(BR)CEO
IC=-1.0mA
-50
—
—
V
V(BR)EBO
IE=-50μA
-6
—
—
V
HFE
VCE=-6V,
IC=-1mA
120
—
560
—
Collector-Emitter Saturation Voltage
集電極-發射極飽和壓降
VCE(sat)
IC=-50mA,
IB=-5mA
—
—
-0.5
V
Base-Emitter Saturation Voltage
基極-發射極飽和壓降
VBE(sat)
IC=-100mA,
IB=-10mA
—
—
-1.0
V
fT
VCE=-12V,
IC=-2mA,
f=100MHz
—
140
—
MHz
Cob
VCB=-12V,
IE=0A,
f=1MHz
—
4.0
5.0
pF
Collector-Base Breakdown Voltage
集電極-基極擊穿電壓
Collector-Emitter Breakdown Voltage
集電極-發射極擊穿電壓
Emitter-Base Breakdown Votlage
發射極-基極擊穿電壓
DC Current Gain
直流電流增益
Transition Frequency
特徵頻率
Collector Output Capacitance
輸出電容
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