Diotec BY134 Silicon rectifier diodes - silizium-gleichrichterdioden Datasheet

BY133 ... BY135
BY133 ... BY135
Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2011-01-10
Nominal current
Nennstrom
-0.1
5.1-0.1
Type
+0.5
62.5 -2.5
Ø 2.6
Ø 0.77±0.07
Dimensions - Maße [mm]
1A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
150...1300 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
DO-41
DO-204AL
Weight approx.
Gewicht ca.
0.4 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V] 1)
BY133
1300
1600
BY134
600
800
BY135
150
200
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50°C
IFAV
1A
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
10 A 2)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
50/55 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
12.5 A2s
Tj
TS
-50...+175°C
-50...+175°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
2
Tested with pulses IR = 100 µA, tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2%
Gemessen mit Impulsen IR = 100 µA, tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BY133 ... BY135
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
VF
< 1.3 V
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C VR = VRRM
Tj = 100°C VR = VRRM
IR
IR
< 5 µA
< 50 µA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 45 K/W 1)
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss
RthT
< 15 K/W
120
IF = 1 A
10
2
[%]
[A]
100
Tj = 125°C
10
80
Tj = 25°C
1
60
40
10-1
20
IF
IFAV
0
0
TA
100
50
150
[°C]
50a-(1a-1.3v)
10-2
0.4
Rated forward current versus ambient temperature1)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
102
[A]
10
îF
1
1
10
102
[n]
103
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
1
2
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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