Diotec BAV102 Superfast switching surface mount si-diode Datasheet

BAV100 ... BAV103
BAV100 ... BAV103
Superfast Switching Surface Mount Si-Diodes
Superschnelle Si-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2005-08-15
0.4
3.5
0.4
1.6
Max. power dissipation – Max. Verlustleistung
500 mW
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...300 V
Plastic case MiniMELF
Kunststoffgehäuse MiniMELF
DO-213AA
Weight approx.– Gewicht ca.
0.04 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Dimensions - Maße [mm]
Marking:
One green ring denotes “cathode” and “superfast switching diode”
The type numbers are noted only on the lable on the reel
Kennzeichnung:
Ein grüner Ring kennzeichnet “Katode” und “superschnelle Diode”
Die Typenbezeichnungen sind nur auf dem Rollenaufkleber vermerkt
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V] 1)
BAV100
50
60
BAV101
100
120
BAV102
200
200
BAV103
300
300
Max. power dissipation
Max. Verlustleistung
TA = 75°C
Ptot
500 mW 2)
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 75°C
IFAV
200 mA 2)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
650 mA 2)
Peak forward surge current, t ≤ 1 s
Stoßstrom, t ≤ 1 s
TA = 25°C
IFSM
1A
Peak forward surge current, t ≤ 1 µs
Stoßstrom, t ≤ 1 µs
TA = 25°C
IFSM
5A
Tj
TS
-50...+175°C
-50...+175°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
2
Tested with pulses IR = 100 µA, tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2%
Gemessen mit Impulsen IR = 100 µA, tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BAV100 ... BAV103
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 0.2 A
VF
< 1.25 V
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 125°C
VR = VRRM
IR
IR
< 5 µA
< 50 µA
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to IR = 0.25 A
trr
< 50 ns
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 150 K/W 1)
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss
RthT
< 70 K/W
10
120
[%]
[A]
100
1
80
Tj = 125°C
10-1
60
40
Tj = 25°C
-2
10
20
IF
Ptot
0
0
TA
50
100
150
[°C]
10-3
0
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1)
1
1
2
VF
0.4
0.6
0.8
1.0
[V] 1.4
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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