Siemens LS5436 Hyper 5 mm t1 led, non diffused hyper-bright led Datasheet

Hyper 5 mm (T1) LED, Non Diffused
Hyper-Bright LED
LS 5436, LA 5436, LO 5436
LY 5436
Besondere Merkmale
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●
eingefärbtes, diffuses Gehäuse
zur Einkopplung in Lichtleiter
als optischer Indikator einsetzbar
Lötspieße mit Aufsetzebene
gegurtet lieferbar
Störimpulsfest nach DIN 40839
Features
●
●
●
●
●
●
colored, diffused package
optical coupling into light pipes
for use as optical indicator
solder leads with stand-off
available taped on reel
load dump resistant acc. to DIN 40839
Typ
Type
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehäusefarbe
Color of
Package
Lichtstärke
Luminous
Intensity
IF = 20 mA
IV (mcd)
Bestellnummer
Ordering Code
LS 5436-SO
super-red
colorless clear
≥ 160 (350 typ.)
Q62703-Q3626
LA 5436-TO
amber
colorless clear
≥ 250 (500 typ.)
Q62703-Q3919
LO 5436-TO
orange
colorless clear
≥ 250 (500 typ.)
Q62703-Q3628
LY 5436-TO
yellow
colorless clear
≥ 250 (500 typ.)
Q62703-Q3630
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.
Semiconductor Group
1
1998-09-18
LS 5436, LA 5436, LO 5436, LY 5436
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
LS, LO, LA
Einheit
Unit
LY
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Top
– 55 ... + 100
˚C
Lagertemperatur
Storage temperature range
Tstg
– 55 ... + 100
˚C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Tj
+ 100
˚C
Durchlaßstrom
Forward current
IF
30
20
mA
Stoßstrom
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
IFM
1
0.2
A
Sperrspanung1)
Reverse voltage1)
VR
Verlustleistung
Power dissipation
TA ≤ 25 ˚C
Ptot
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Rth JA
1)
1)
3
80
V
55
500
mW
K/W
Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.
Reverse biasing should be avoided.
Semiconductor Group
2
1998-09-18
LS 5436, LA 5436, LO 5436, LY 5436
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS
LA
LO
LY
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
IF = 20 mA
(typ.) λpeak
(typ.)
645
622
610
591
nm
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
IF = 20 mA
(typ.) λdom
(typ.)
632
615
605
587
nm
Spektrale Bandbreite bei 50% Irel max
Spectral bandwidth at 50% Irel max
IF = 20 mA
(typ.) ∆λ
(typ.)
16
16
16
15
nm
2ϕ
30
30
30
30
Grad
deg.
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 20 mA
(typ.) VF
(max.) VF
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
V
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 3 V
(typ.) IR
(max.) IR
0.01
10
0.01
10
0.01
10
0.01
10
µA
µA
Abstrahlwinkel bei 50% Iv (Vollwinkel)
Viewing angle at 50% Iv
Temperaturkoeffizient von λdom (IF = 20 mA)
Temperature coefficient of λdom (IF = 20 mA)
TCλ
0.014 0.062 0.067 0.096 nm/K
Temperaturkoeffizient von λpeak,
IF = 20 mA
Temperature coefficient of λpeak,
IF = 20 mA
TCλ
0.14
0.13
0.13
nm/K
(typ.)
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 20 mA (typ.) TCV
Temperature coefficient of VF, IF = 20 mA (typ.)
Semiconductor Group
0.13
(typ.)
3
– 1.95 – 1.78 – 1.67 – 2.51 mV/K
1998-09-18
LS 5436, LA 5436, LO 5436, LY 5436
Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 20 mA
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
OHL00235
100
Ι rel
%
80
Vλ
60
yellow
orange
amber
super-red
40
20
0
400
450
500
550
600
650
nm
λ
700
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)
Radiation characteristic
40
30
20
10
φ
0
OHL00314
1.0
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
0.2
0
90
100
1.0
0.8
Semiconductor Group
0.6
0.4
0
4
20
40
60
80
100
120
1998-09-18
LS 5436, LA 5436, LO 5436, LY 5436
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
OHL00232
10 2
mA
ΙF 5
OHL00248
35
Ι F mA
30
25
10 1
yellow
20
5
15
10 0
10
5
5
10 -1
1.0
1.4
1.8
2.2
2.6
0
3.0 V 3.4
VF
Relative Lichtstärke IV/IV(20 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25˚C
20
40
60
80 C 100
ΤA
Relative Lichtstärke IV / IV(25˚C ) = f (TA)
Relative luminous intensity
IF = 20 mA
OHL00233
10 1
0
OHL00238
Ι V 2.0
ΙV
Ι V (20 mA)
Ι V (25 C)
1.6
10 0
orange
yellow
amber
super-red
5
1.2
10 -1
5
0.8
superred
yellow
orange/amber
10 -2
0.4
5
10 -3 -1
10
orange
yellow
amber
super-red
5 10 0
Semiconductor Group
5 10 1
0
-20
mA 10 2
ΙF
5
0
20
40
60
C
TA
100
1998-09-18
LS 5436, LA 5436, LO 5436, LY 5436
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
LS, LA, LO
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
LY
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
OHL00322
10 1
A
ΙF 5
tp
tp
D=
T
ΙF
ΙF
5
T
0.1
0.2
10 -1
tp
tp
D=
T
5
D=
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
10 0
OHL00316
10 0
A
0.5
10 -1
0.2
5
0.5
ΙF
T
D=
0.005
0.01
0.02
0.05
5
10 -2
10 -2
10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 s 10 2
tp
Maßzeichnung
Package Outlines
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennzeichnung:
Cathode mark:
Semiconductor Group
10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 s 10 2
tp
Kürzerer Lötspieß
Short solder lead
6
1998-09-18
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