BC846S, BC847S BC846S, BC847S IC = 100 mA hFE = 200...450 Tjmax = 150°C SMD General Purpose NPN Transistors SMD Universal-NPN-Transistoren VCEO = 45 V, 65 V Ptot = 250 mW Version 2017-08-18 Typical Applications Signal processing, Switching, Amplification Commercial grade 1) ±0.1 5 4 ±0.1 6 0.9±0.1 1 2 2.1 Features Two transistors in one package General Purpose Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Zwei Transistoren in einem Gehäuse Universell anwendbar Konform zu RoHS, REACH, Pb Konfliktmineralien 1 RoHS EE WE Type Code 1.25±0.1 2 2 x 0.65 EL V SOT-363 Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schalten, Verstärken Standardausführung 1) Mechanical Data 1) 3 2.4 Mechanische Daten 1) Taped and reeled 3000 / 7“ Weight approx. Dimensions - Maße [mm] Gegurtet auf Rolle 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Type Code 6 Dual Transistors T1 1 = E1 2 = B1 6 = C1 5 4 1 2 BC846S T2 3 = C2 4 = E2 5 = B2 T2 T1 1B BC847S 1F 3 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Per transistor – pro Transistor BC846S BC847S Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 65 V 45 V Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung E open VCBO 80 V 50 V Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 6V Ptot 250 mW 3) IC 100 mA Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom ICM 200 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur TS Tj -55...+150°C -55...+150°C Power dissipation – Verlustleistung Collector current – Kollektorstrom 1 2 3 DC Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BC846S, BC847S Characteristics Kennwerte Per transistor – pro Transistor Tj = 25°C Min. Typ. Max. hFE 200 – 450 VCEsat – – – – 250 mV 600 mV VBE 580 mV – – – 700 mV 770 mV ICBO – – 15 nA IEBO – – 100 nA fT 100 MHz – – CCBO – – 4.5 pF DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis VCE = 5 V, IC = 2 mA Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung ) 1 IC = 10 mA, IB = 0.5 mA IC = 100 mA, IB = 5 mA Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung 1) VCE = 5 V, IC = 2 mA VCE = 5 V, IC = 10 mA Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom VCB = 30 V, (E open) Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom VEB = 5 V, (C open) Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität VCB = 10 V, IE =ie = 0, f = 1 MHz Thermal resistance junction to ambient Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 420 K/W 2) 120 [%] 100 80 60 40 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] Power dissipation versus ambient temperature 1) 1 Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. ) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG