MPSA92 / MPSA94 MPSA92 / MPSA94 High voltage Si-epitaxial planar transistors Hochspannungs-Si-Epitaxial Planar-Transistoren PNP PNP Version 2009-05-07 Power dissipation Verlustleistung 18 9 16 E BC 2 x 2.54 Dimensions / Maße [mm] 625 mW Plastic case Kunststoffgehäuse TO-92 (10D3) Weight approx. Gewicht ca. 0.18 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) MPSA92 MPSA94 Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung B open - VCEO 300 V 400 V Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung E open - VCBO 300 V 400 V Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung C open - VEBO 5V Power dissipation – Verlustleistung Ptot 625 mW 1) Collector current – Kollektorstrom (dc) - IC 300 mA Base current – Basisstrom - IB 100 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Tj -55...+150°C Storage temperature – Lagerungstemperatur TS -55…+150°C Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Min. Typ. Max. Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom IE = 0, - VCB = 200 V IE = 0, - VCB = 160 V MPSA92 MPSA94 - ICB0 - ICB0 – – 250 nA 250 nA - IEB0 – – 100 nA - VCEsat - VCEsat – – 500 mV 500 mV - VBEsat – – 0.9 V Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom IB = 0, - VEB = 3 V Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung ) 2 - IC = 20 mA, - IB = 2 mA MPSA92 MPSA94 Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung 2) - IC = 20 mA, - IB = 2 mA 1 2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 MPSA92 / MPSA94 Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis Min. Typ. Max. hFE hFE hFE 25 40 25 – – fT – 70 MHz – CCB0 CCB0 – – 7 pF 7 pF 1 - VCE = 10 V, - IC = 1 mA - VCE = 10 V, - IC = 10 mA - VCE = 10 V, - IC = 30 mA Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz - VCE = 20 V, - IC = 10 mA, f = 100 MHz Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität MPSA92 MPSA94 - VCB = 20 V, - IE = ie = 0, f = 1 MHz Thermal resistance junction – ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft < 200 K/W 2) RthA Recommended complementary NPN transistors Empfohlene komplementäre NPN-Transistoren MPSA42, MPSA44 120 [%] 100 80 60 40 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] Power dissipation versus ambient temperature 1) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) 1 2 2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG