Siemens LSB480-GK Symbol led 5 mm x 2.5 mm, partly diffused Datasheet

Symbol LED
5 mm × 2.5 mm, Partly Diffused
LR B480, LS B480, LY B480
LG B480
Besondere Merkmale
eingefärbtes, teildiffuses Gehäuse
als optischer Indikator in Frontplatte einsetzbar
Lötspieße ohne Aufsetzebene
Bargraphanzeige
gegurtet lieferbar
Störimpulsfest nach DIN 40839
VEX06719
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Features
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colored, partly diffused package
for use as optical indicator in frontpanel
solder leads without stand-off
Bargraph displays
available taped on reel
load dump resistance acc. to DIN 40839
Typ
Type
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehäusefarbe
Color of
Package
Lichtstärke
Luminous
Intensity
IF = 10 mA
IV (mcd)
Bestellnummer
Ordering Code
LR B480-BD
LR B480-C
LR B480-D
LR B480-CE
red
red, partly
diffused
0.16
0.25
0.40
0.25
…
…
…
…
0.80
0.50
0.80
1.25
Q62703-Q1464
Q62703-Q1465
Q62703-Q2648
Q62703-Q3841
LS B480-EH
LS B480-G
LS B480-H
LS B480-GK
super-red
red, partly
diffused
0.63
1.60
2.50
1.60
… 5.00
… 3.20
… 5.00
… 12.50
Q62703-Q1466
Q62703-Q1467
Q62703-Q1468
Q62703-Q1469
LY B480-EH
LY B480-G
LY B480-H
LY B480-J
LY B480-GK
yellow
yellow, partly
diffused
0.63
1.60
2.50
4.00
1.60
… 5.00
… 3.20
… 5.00
… 8.00
… 12.50
Q62703-Q1470
Q62703-Q1471
Q62703-Q2006
Q62703-Q1473
Q62703-Q2007
LG B480-EH
LG B480-G
LG B480-H
LG B480-GK
green
green, partly
diffused
0.63
1.60
2.50
1.60
… 5.00
… 3.20
… 5.00
… 12.50
Q62703-Q1477
Q62703-Q1870
Q62703-Q2025
Q62703-Q2026
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.
Semiconductor Group
1
11.96
LR B480, LS B480, LY B480
LG B480
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
LR
Einheit
Unit
LS, LY, LG
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Top
– 55 … + 100
˚C
Lagertemperatur
Storage temperature range
Tstg
– 55 … + 100
˚C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Tj
+ 100
˚C
Durchlaßstrom
Forward current
IF
Stoßstrom
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
IFM
0.5
A
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
5
V
Verlustleistung
Power dissipation
TA ≤ 25 ˚C
Ptot
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
Rth JA
Semiconductor Group
2
45
100
40
140
400
mA
mW
K/W
LR B480, LS B480, LY B480
LG B480
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LR
LS
LY
LG
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
IF = 20 mA
(typ.) λpeak
(typ.)
660
635
586
565
nm
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
IF = 20 mA
(typ.) λdom
(typ.)
645
628
590
570
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max
Spectral bandwidth at 50 % Irel max
IF = 20 mA
(typ.) ∆λ
(typ.)
35
45
45
25
nm
2ϕ
100
100
100
100
Grad
deg.
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 10 mA
(typ.) VF
(max.) VF
1.6
2.0
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
V
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 5 V
(typ.) IR
(max.) IR
0.01 0.01 0.01 0.01 µA
10
10
10
10
µA
Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % IV
Kapazität
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
Schaltzeiten:
Switching times:
IV from 10 % to 90 %
IV from 90 % to 10 %
IF = 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω
Semiconductor Group
(typ.) C0
25
12
10
15
pF
(typ.) tr
(typ.) tf
120
50
300
150
300
150
450
200
ns
ns
3
LR B480, LS B480, LY B480
LG B480
Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 20 mA
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
4
LR B480, LS B480, LY B480
LG B480
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25 ˚C
Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25 ˚C
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
LS, LY, LG
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
LR
Semiconductor Group
5
LR B480, LS B480, LY B480
LG B480
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA)
Wavelength at peak emission
IF = 20 mA
Dominantwellenlänge λdom = f (TA)
Dominant wavelength
IF = 20 mA
Durchlaßspannung VF = f (TA)
Forward voltage
IF = 10 mA
Semiconductor Group
6
LR B480, LS B480, LY B480
LG B480
Relative Lichtstärke IV/IV(25 °C) = f (TA)
Relative luminous intensity
IF = 10 mA
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
GEX06719
Maßzeichnung
Package Outlines
Kathodenkennzeichnung:
Cathode mark:
Semiconductor Group
Kürzerer Lötspieß
Short solder lead
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